產業新訊

三星、台積 赴美爆製程大戰

新聞日期:2021/11/24 新聞來源:經濟日報/聯合報

報導記者/李京倫、簡永祥

台北報導
三星攻3奈米 2024量產 良率恐落後 台積也留推進伏筆
台積電與南韓三星的晶片爭奪戰,將延伸到美國,並展開先進製程較勁。華爾街日報報導,三星計畫斥資一七○億美元,在德州泰勒市建造在美第二座晶圓代工廠,且外傳將切入三奈米製程,製程將超越台積電美國廠,也同樣預定二○二四年量產,但專家認為,三星無論是良率、導入客戶數都與台積電有很大的落差,短期仍難靠大量投資超越台積電。
這是南韓科技巨頭三星在拜登政府推動擴大美國半導體生產之際的一項鉅額投資。三星集團副會長李在鎔日前訪美親自與白宮高層討論後,返南韓後敲定重大投資;德州州長艾波特預定在當地時間廿三日下午五時進行「經濟相關發表」,外界猜測可能就是三星設廠事項。
值得注意的是,三星此舉也與台積電較勁意味濃。三星選定德州設立新廠,且預定投資一七○億美元(約新台幣四七二二億元),金額高於台積電在亞利桑那州的一二○億美元(約新台幣三千四百億元)投資額,無疑是要大量投注在先進製程技術,以縮短與台積電差距。
依據台積電的規畫,美國亞利那桑廠將提供五奈米製程服務,三奈米製程則在台灣接單生產。但稍早台積電總裁魏哲家在法說會,不排除在美國興建第二座晶圓廠,市場推測,台積電已預留將製程推進至三奈米的伏筆。不過,台積電表示,不對競爭對手發展及美國廠技術布局做任評論,一切以公告為準。
三星此舉是否會對台積電接單造成威脅,工研院產科國際所(IEK)研究總監楊瑞臨表示,有別於三星將率先導入環繞閘極(GAA)技術,台積電的三奈米生產據點集中在台灣,且採用鰭式場效電晶體(FinFET)架構,顯然對自家技術信心十足,且直到二奈米才會導入GAA製程。
楊瑞臨指出,三星動作及投資手筆雖大,和台積電在台灣、美國、中國大陸,甚至在日本及德國布建新產能相比,三星短期仍難超越台積電。不過,三星是全球最大記憶體製造廠,在愈來愈多的晶片訴求異質整合下,且先進封裝技術仍不斷變革,三星未來還是有機會,但仍需持續觀察。
知情人士透露,三星曾考慮的設廠地點包括亞利桑那州、紐約州和佛州,也曾考慮三星在美首座晶圓代工廠所在地德州首府奧斯汀。泰勒市人口一萬六千人,距奧斯汀約五十公里。新廠占地近五平方公里,遠大於奧斯汀廠。泰勒市將在十年內提供三星相當於減稅百分之九十二點五的房地產稅優惠,接下來數十年優惠將遞減。
促進晶片在美製造是拜登政府和美國國會的優先要務。美國會已著手立法,提供資金促進在美投資。參院六月通過提撥五百廿億美元補助在美新設半導體製造廠,但本案在眾院還未過關。
【2021-11-24 聯合報 A8 財經要聞】

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