法人：記憶體上游如南亞科、華邦電未切入HBM市場，但受惠DDR4報價漲，將推升Q3營運

台北報導
　受惠於人工智慧（AI）帶動的高階記憶體需求持續火熱，美光宣布上調2025會計年度第四季（2025年6月至8月）財測，預估營收將達111億至113億美元，季增19.34％至21.49％，優於原先預估的104億至110億美元。毛利率預計達44％至45％，高於原先的41％至43％；每股稅後純益（EPS）上看2.78至2.92美元，顯示獲利動能同步強化。
　法人指出，台系記憶體上游廠商如南亞科、華邦電等，未切入高頻寬記憶體（HBM）市場，但受惠先前DDR4現貨報價上漲，將推升第三季營運，12日包括新上市凌航、南亞科、宇瞻、華邦電等記憶體族群，股價漲逾6％。
　美光指出，AI驅動的資料中心產品需求強於預期，加上新產品推出、單機記憶體容量提升，以及客戶庫存持續回補，帶動下半年位元出貨量將高於上半年。
　雖然PC與智慧型手機短期需求偏弱，但在DRAM與NAND Flash價格回升支撐下，美光樂觀看待2025年整體營運，並透露AI應用所需的高頻寬記憶體（HBM）訂單，至2025年底已全數售罄，高階SSD供應同樣吃緊。
　另據陸媒消息指出，美光將對中國大陸區進行業務調整，主要原因是，行動NAND產品市場持續疲軟，且相較其他NAND領域成長放緩，美光因而決定在全球範圍內停止未來行動NAND產品的開發，包括終止UFS 5（第五代通用快閃記憶體）的研發。
　此一決策僅影響全球行動NAND產品開發，美光將持續開發並支持SSD、汽車及其他終端市場的NAND解決方案，並繼續在全球推進行動DRAM業務，提供業界領先的DRAM產品組合。
　據悉，美光的NAND行動業務（UFS、eMMC）已多年虧損，加上NAND需求重心逐漸轉向資料中心領域，該公司因而決定不再自行開發UFS與eMMC產品，而是專注銷售NAND顆粒給模組廠，由其製作UFS與eMMC成品。

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　三大原廠紛紛縮減舊製程產能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm製程的DDR4生產，美光亦通知客戶停產伺服器用舊製程DDR4模組，SK海力士據傳也將DDR4產出比重降至20％。
　法人認為，市場景氣低迷，上游記憶體廠加速產品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉向高頻寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產品。
　短期內記憶體價格受到關稅備貨與供給控制支撐，但整體環境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。
　三星已通知供應鏈，1y nm及1z nm製程的8GB LPDDR4記憶體將於2025年4月停止生產（EOL），要求客戶於2025年6月前完成最後訂單（LBO）。多款8GB及16GB DDR4 SODIMM與UDIMM模組將停產，最後出貨日期為2025年12月10日。
　法人預期，採用1y nm 16GB DDR4顆粒的OEM業者首當其衝，供應量將大幅減少；記憶體模組廠雖仍可取得三星DDR4顆粒，但貨源持續吃緊。
　三星計畫減少1y nm製程產出，2024年該製程占位元產出約20％，但2025年下半年比重將降至10％以下。
　1z nm製程為2024年主力，占約30％，2025年將降至20％，預計2026年進入DDR4 EOL倒數，2027年全面停產。
　同時，三星的1a nm及1b nm新製程產出比重將快速提升，1a nm為2025上半年主流，但2025年下半年1b nm製程將占第四季產出逾40％。
　採用新製程的DDR5模組，將優先供應戴爾、惠普、華碩、宏碁等PC OEM客戶，舊製程DDR4則繼續供應消費性及模組客戶。
　記憶體模組廠因DDR4產出減少，採購顆粒不足，模組廠轉向認證及採購台系業者產品，如南亞科及華邦電等，法人預期，2025年第二季合約價將上漲，主因原廠謹慎控制產能，加上美國關稅政策反覆，帶動短期記憶體採購動能。
　法人認為，客戶提前拉貨以應對不確定性，可能導致2025年下半年旺季不旺。
　當前記憶體廠商的策略為配合客戶需求，增加美國庫存，以降低未來風險。