台北報導
　記憶體大廠美光（Micron）今年參加台北國際電腦展（COMPUTEX），資深副總裁暨策略長David Moore以「智匯數據、無所不在」為題發表專題演說，美光總裁暨執行長Sanjay Mehrotra也透過影片說明美光在台灣重要營運進展，而才剛落成啟用的中科廠將會導入最先進的1α奈米DRAM製程及極紫外光（EUV）微影技術。
　David Moore在主題演說中表示，疫情推動全球經濟加速數位化，5G、人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）、物聯網等產業大趨勢，持續改變世界上每個產業，記憶體扮演關鍵角色。美光與台灣業者緊密合作，包括聯發科手機平台導入美光行動式DRAM及儲存裝置、與群聯及超微合作開發PCIe 5固態硬碟（SSD）、與研華共同打造最適合物聯網的DRAM及NAND Flash產品等。
　David Moore亦宣布美光創投將注資第二輪基金2億美元於扶植深度技術（deep tech）領域的新創公司，關注範疇更廣的深度技術創新，同時為為彰顯美光追求多元平等包容（DEI）的承諾，第二階段基金將有20％的投資資本鎖定由女性及其他少數族群所領導的新創公司。
　Sanjay Mehrotra表示，台灣擁有世界上最先進的邏輯和DRAM半導體技術，美光在台灣創建DRAM卓越製造中心，是先進的半導體製造生態系統，並部署導入人工智慧（AI）的自動化智慧製造系統，有助提高營運效率。美光是台灣最大外資企業，美光台中廠是最先進製程的DRAM廠，除了導入1α奈米DRAM製程，EUV技術也會在今年導入，而美光在台灣員工人數已達1萬人，未來還會持續增加工作機會。
　美光已宣布將EUV技術放入DRAM技術藍圖，將由10奈米世代中的1γ（gamma）製程節點開始導入。美光的EUV製程DRAM會先在台灣開始生產，美光台中A3廠是美光首座支援EUV製程DRAM廠，預計2024年進入量產階段，之後再擴大應用到美國、日本等其它地區的DRAM廠。

台灣廠將成美光旗下 導入EUV製程首例
台北報導
記憶體大廠美光（Micron）宣布未來十年將投入1,500億美元資本及研發資出，美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia表示，美光持續看好5G、雲端、電動車及人工智慧（AI）等新興領域將會帶來龐大記憶體需求，成為美光投入大筆資本支出的關鍵，但目前尚未底定資本投入方向，並重申台灣依舊是美光生產供應鏈的重要角色。
美光宣布未來十年將投入1,500億美元資本支出，Manish指出，由於電動車、5G、雲端、人工智慧及智慧手機等終端需求不斷成長，以美光現有產能無法因應未來十年的記憶體需求，因此將以規劃1,500億美元投入增加產能及製程研發等應用。至於美光1,500億美元資本支出案，目前是否有任何新建廠房規劃。Manish說，美光當前尚無確切計畫可透露，未來會持續與美國、新加坡及台灣等政府持續溝通，評估各地新建廠計畫。
不過，Manish也坦承，1,500億美元的資本支出計畫當中確定會包含製程研發及微縮成本。他指出，製成微縮成本相當高，但這也是讓利潤成長的關鍵之一，因此美光會持續投入在DRAM、NAND Flash的先進研發開發。
針對外媒報導指出，美光正在評估在美國設廠的可能性。對此，Manish表示，美光確實有在評估在美國設廠計畫，不過由於在美國生產成本高出亞洲35～45％，因此後續需要評估美國聯邦政府及地方政府補貼措施，才會產生足夠誘因在美國設廠，且即便在美國設廠，也不會取代亞洲生產供應鏈的地位。
外界傳出，美光在日本廣島現有廠區將投入8,000億日圓（約合新台幣1954.5億元）擴建廠房，代表台灣在美光生產供應鏈地位恐因此降低。對此，Manish表示，美光在廣島的投資案一事並未獲得公司證實，且台灣目前為美光最先進製程1α奈米製程DRAM的生產重鎮，未來台灣美光更將導入極紫外光（EUV）製程DRAM廠，為旗下全球首座支援EUV製程的DRAM廠。
對於記憶體產業在2022年恐迎來衰退，Manish認為，短期確實有遇到一些記憶體需求修正的壓力，不過從中長期角度來看，在各式新興終端應用持續發展同時，記憶體含量需求只升不減，因此美光仍舊看好未來記憶體市場發展。

執行長Sanjay Mehrotra：未來三年再增2,000名員工，擴編在地團隊

獨家專訪
記憶體大廠美光科技（Micron）執行長Sanjay Mehrotra於19日接受本報獨家專訪，指出美光在台設立DRAM卓越中心，過去三年平均每年在台投資30億美元，是台灣最大外商企業，Sanjay Mehrotra表示，非常看重台灣DRAM技術開發及量產能力，美光今年剛進入量產的台中A3廠會是首座支援極紫外光（EUV）製程DRAM廠。以下是專訪紀要。
台中A3廠 率先全球生產
問：美光導入EUV時程進度為何？
答：美光已宣布將EUV技術放入DRAM技術藍圖，將由10奈米世代中的1γ（gamma）製程節點開始導入。美光的EUV製程DRAM會先在台灣開始生產，台中A3廠會是首座支援EUV製程DRAM廠，預計2024年進入量產階段，之後再擴大應用在美國等其它地區的晶圓廠。美光非常重視台灣的EUV技術研發能力，過去幾年EUV研發中心就在台灣，並已建立很好的生態系統支援，美光善用台灣團隊的專長，已為進入EUV製程世代做好準備。
加快台晶圓、封測廠建置
問：台積電及ASML近期在台大舉徵才，美光今年人才招募計畫為何？
答：美光在台灣有9,000多名員工，是很棒的團隊，讓美光成為記憶體技術的市場領導者。美光DRAM卓越中心設在台灣，台灣團隊參與了1α（alpha）先進製程節點開發，現在已在台中廠進入量產，同時也是1α製程第一個生產據點。美光是台灣最大外商企業，過去三年平均每年在台投資30億美元，未來也會深耕台灣，加快台灣晶圓廠及封測廠技術推進及產能建置，未來2～3年會再增加2,000名員工，會持續擴大台灣團隊規模。
問：美光獲得多項最佳職場認證，如何做到跨國最佳職場？
答：美光在記憶體市場是技術領導者，1α製程DRAM、176層3D NAND等先進技術都已量產，關鍵原因之一在於有很好的職場讓員工能發揮所長，原因之二是美光十分重視多元包容的企業文化，原因之三是員工重視行善及社會責任，三大原因造就跨國最佳職場。美光去年捐贈50萬美元協助台灣科學及大學教育，疫情期間也大力協助各地社群，員工有很好的職場就可以協助企業技術領先且引領創新。
記憶體供需 並未失衡
問：記憶體廠商今年紛紛提高資本支出，美光如何看待記憶體市場供需變化？
答：記憶體在2000年占全球半導體市場比重僅10％，但現在占比已達30％。從供給的角度出發，摩爾定律放緩、資本密集度提升等趨勢，整個記憶體市場的供需並未失衡，和過去幾年相比逐漸好轉。展望未來幾年，整體產業的供需態勢預計會是穩健、健康的狀態。

將採CIP計畫減少光罩使用道數，降低晶圓代工價格過高問題

台北報導
晶圓代工龍頭台積電下半年5奈米接單滿載，優化版4奈米明年進入量產，已獲蘋果、高通、聯發科、博通、英特爾等大廠採用，但3奈米推進面臨晶片設計複雜度及晶圓代工成本大幅拉高等問題，關鍵在於新款極紫外光（EUV）曝光機採購金額創新高，產出吞吐量（throughput）提升速度放緩，恐將導致3奈米晶圓代工價格逼近3萬美元。
由於3奈米晶圓代工價格過高恐影響客戶製程微縮速度，為了在明年之後加速客戶5奈米產品線轉換至3奈米，並維持先進製程依循摩爾定律推進軌道，設備業界透露，台積電將啟動EUV持續改善計畫（Continuous Improvement Plan，CIP），希望在略為增加晶片尺寸的同時，減少先進製程EUV光罩使用道數，以降低3奈米「曲高和寡」問題。
台積電近幾年擴大採購EUV曝光機，下半年5奈米產能全開，包括蘋果A15應用處理器及M1X／M2電腦處理器、聯發科及高通新款5G手機晶片、超微Zen 4架構電腦及伺服器處理器等將陸續導入量產。台積電為了維持技術領先，由5奈米優化後的4奈米將在明年進入量產，全新3奈米也將在明年下半年導入量產，然而客戶端對於延長使用4奈米或採用全新3奈米態度搖擺，關鍵差別在於EUV光罩層數多寡決定了晶圓代工價格高低。
業者分析，EUV曝光機價格愈來愈高，下半年即將推出的NXE：3600D價格高達1.4～1.5億美元，產出吞吐量每小時可達160片12吋晶圓，與上代機型相較增加幅度不大。而由製程上來看，4奈米主要是以5奈米進行優化，EUV光罩層大約在14層以內，但3奈米預計將採用25層EUV光罩層，所以3奈米晶圓代工價格恐怕上看3萬美元，並不是所有客戶都願意買單。為了降低客戶產品線由5奈米向3奈米推進速度放緩的疑慮，台積電啟動EUV CIP計畫改善製程，希望透過減少EUV光罩層使用道數及相關材料，例如將3奈米的25層EUV光罩層減少至20層。設備業者指出，雖然晶片尺寸將因此略為增加，但若計畫成功可以有效降低生產成本及晶圓價格，加快客戶產品線轉向3奈米。

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DRAM廠南亞科9日召開法人說明會，受惠於第二季DRAM平均銷售價格上漲30％，推升合併營收達266.37億元，歸屬母公司稅後淨利季增近1.3倍達61.62億元，每股淨利2.00元優於預期。南亞科總經理李培瑛表示，全球經濟逐步復甦有助整體DRAM需求成長，第三季價格將逐月或逐季調漲，第四季價格還有續漲機會，下半年展望樂觀正面，但需留意長短料對供應鏈影響。
南亞科第二季雖然DRAM位元銷售與上季持平，但出貨均價大漲30％，推升合併營收季增27.7％達226.37億元，較去年同期成長37.3％，平均毛利率季增13.2個百分點達42.3％，與去年同期相較提升11.7個百分點，代表本業獲利的營業利益季增逾1.3倍達70.63億元，與去年同期相較成長近1.2倍。
南亞科第二季歸屬母公司稅後淨利61.62億元，與第一季相較大幅成長近1.3倍，與去年同期相較亦大幅提升91.3％，為2019年第一季以來的十季度獲利新高，每股淨利2.00元並優於市場預期，而第二季底每股淨值提升至51.43元。
李培瑛表示，供應鏈長短料對個人電腦、伺服器等生產鏈的影響，以及新冠肺炎疫情持續，甚至是DRAM廠的資本支出變化情況，都有可能延遲復甦，也是需要特別關注的變數。
至於第三季DRAM價格展望，李培瑛表示，目前看來DRAM第三季將逐月或逐季調漲，但漲幅不會像第二季那麼大，第四季價格有機會續漲或與上季持平。至於在出貨量，南亞科第三季位元成長率是持平或微幅下滑，主要是產能已達上限且庫存已消化。
由於三大DRAM廠已加快進行極紫外光（EUV）微影技術的布局，李培瑛表示，EUV的使用會是長期的發展趨勢，不會突然間爆發，加上採購EUV曝光機的時間長，未來廠商的規劃多數會以新產能的應用為主，因為應用在舊產能上不符合經濟效益，所以在2022年對市場影響不會太大。
南亞科為了滿足市場要求及長遠發展，已宣布將在南林科學園區中興建新DRAM廠，持續導入先進製程及產品並擴充產能，新廠總月產能預估達4.5萬片，第一期工程預計年底動土，目標於2023年底前完工並開始裝機量產，總投資金額達新台幣3,000億元，包括先期建置EUV生產能力。李培瑛表示，雖然南亞科第三代10奈米製程可能還不會採用EUV技術，但會為長遠布局預做準備。

規劃建置極紫外光（EUV）微影生產線，預估2024年開始第一階段量產。
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DRAM廠南亞科董事長吳嘉昭與新北市市長侯友宜20日共同宣布，南亞科規劃於新北市泰山區南林科技園區，投資興建一座雙層無塵室12吋DRAM廠，總投資金額達新台幣3,000億元。此座廠房將採用南亞科自主研發10奈米製程技術生產DRAM，同時規劃建置極紫外光（EUV）微影生產技術。
台塑集團總裁王文淵及經濟部工業局局長呂正華到場力挺，說明台塑集團及政府全力支持新DRAM廠投資計畫。
南亞科新廠月產能預估將達4.5萬片，總投資金額達新台幣3,000億元，預期可直接提供2,000個優質工作機會，並間接創造產業鏈數千個就業機會。新DRAM廠預估以7年分三階段完成投資，第一階段將建置月產能1.5萬片生產線並導入第二代10奈米製程量產DDR5或LPDDR5，預計2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產。
吳嘉昭表示，DRAM是所有電子產品智慧化的關鍵元件，是半導體產業極為重要的一環。因應全球記憶體市場成長趨勢，此次南亞科投資興建先進晶圓廠，提升國際競爭力，台塑企業將全力支持，以具體行動增加高經濟產值與優質工作機會。同時，南亞科長期經營穩健且財務健全，已實現DRAM技術自主里程碑，未來將持續創新研發，以邁向企業永續為目標。
南亞科總經理李培瑛表示，這是南亞科4年多來再度展開新廠投資計畫，南亞科在全球DRAM市場占有率約3％，建新廠並不是為了擴大市占率，主要是希望能提升競爭力，縮小與競爭同業的差距，同時也是基於公司長遠發展需求
李培瑛表示，DRAM應用相當多元，包括5G、人工智慧（AI）、自駕車與雲端等，DRAM市場需求每年穩定成長約15～20％，相關DRAM廠也都理性擴產，對南亞科來說，既有廠房空間已經不足，因此決定興建新12吋晶圓廠，量產第一階段將建立月產能1.5萬片生產線，並導入自主研發第二代10奈米製程，至於EUV技術開發將在第三代10奈米製程啟動。

台積電半導體製程持續微縮，驅動能源效率每二年倍增
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晶圓代工龍頭台積電董事長劉德音表示，市場對於人工智慧（AI）及5G的數位運算效能提升永不滿足，技術的創新會持續推動更具能源效率的運算需求，而半導體技術持續微縮，也將造就每二年能源效率提升、倍增的情況。
劉德音23日參加台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）大師論壇，以IC創新的未來為題發表演說。他表示，2020年已進入5G及「無所不在運算」的時代，世界因為科技創新持續轉變並向前邁進，如台積電為聯發科代工的7奈米5G手機晶片天璣1000，運算效能是12奈米4G手機晶片Helio P90的2倍，資料下載速度更是提升8倍。
劉德音表示，5G技術同時帶來大數據（Big Data）及AI運算成為顯學，先進製程則可以讓晶片進行更具能源效率的運算。例如台積電為超微代工的7奈米第二代EPYC伺服器處理器，運算效能是上代14奈米第一代EPYC處理器的2倍以上，但功耗卻反而大幅降低50％。
劉德音也舉例指出，台積電為輝達代工的7奈米A100繪圖處理器因運算效能大幅提升，伺服器建置成本與前代產品相較僅十分之一，耗電量大幅降低到只有前代產品的二十分之一。
另外，台積電為賽靈思代工的7奈米Versal ACAP的運算效能，幾乎等於22個16奈米可程式邏輯閘陣列（FPGA）。
劉德音說，半導體製程微縮正在驅動能源效率的提升，7奈米微縮至5奈米可以提升13％運算速度、降低21％功耗，5奈米微縮至3奈米可提升11％運算速度及降低27％功耗。而要推動製程微縮，除了採用先進的極紫外光（EUV）微影技術，還包括電晶體架構及半導體材料的創新。
劉德音表示，未來幾年半導體技術進入3奈米及更先進製程，會採用新的電晶體架構及材料、更優化的EUV技術、以及新的系統架構及3D整合等。所以製程節點會不斷的向下微縮至比奈米更細小，運算效能提升的同時也可大幅降低功耗，每二年能源效能提升倍增的趨勢不會停止。而半導體要持續創新，會更需要供應鏈所有合作夥伴共同合作才行。

極紫外光微影技術引爆強勁需求
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極紫外光（EUV）已確定是次世代微影技術主流，隨著DRAM廠開始在16奈米及更先進製程、晶圓代工廠及IDM廠在7奈米及更先進邏輯製程等開始導入EUV技術，引爆極紫外光光罩盒（EUV Pod）強勁需求。由於半導體廠接單中只要多1層EUV光罩層需求，就要對應增加約240～260顆EUV Pod採購量，家登（3680）成為最大受惠者，現有產能滿載供不應求，訂單也已經排滿到明年上半年。
根據設備大廠艾司摩爾（ASML）統計，自2011年開始生產採用EUV微影技術晶圓以來，至2018年第二季末為止，累計採用EUV曝光的晶圓數高達320萬片，其中光是2018年的前6個月，累計晶圓就達100萬片左右。隨著台積電及三星晶圓代工開始量產支援EUV的7奈米，英特爾將在2021年後量產採用EUV製程7奈米，以及三星及SK海力士著手興建支援EUV的DRAM生產線，EUV市場已進入成長爆發階段。
今年EUV設備能提供的晶圓吞吐量已開始符合半導體廠量產需求，而根據ASML的預估，月產能達4.5萬片的7奈米或5奈米12吋晶圓廠，每增加1層EUV光罩層需求就要搭配1台EUV機台系統支援；而月產能達10萬片的16奈米至1A奈米DRAM廠，每增加1層EUV光罩層需求就需搭配1.5～2台的EUV機台系統支援。
業者分析，若月產能達4.5萬片的7奈米12吋廠所生產的處理器或繪圖晶片，EUV光罩層數加總起來若達20層，生產線上就得搭配安裝20台EUV機台系統。此外，目前7奈米單一晶片平均採用的EUV光罩層數約3～5層，但微縮至5奈米製程後的EUV光罩層數將大舉提升至14～16層，若再進一步微縮至3奈米製程，EUV光罩層數可能會高達24層以上。
隨著EUV光罩層數的快速增加，生產鏈已經全面動了起來，由於每增加1層EUV光罩層，就要對應增加約240～260顆EUV Pod採購量，但EUV Pod使用年限最多只有2年。所以，隨著EUV光罩層數持續提高，投入EUV量產的半導體大廠均擴大釋出EUV Pod採購訂單，家登成為最大受惠者，現有產能到年底已滿載供不應求，訂單也排滿到明年上半年。