8吋氮化鎵技術平台對第一批客戶送樣 預計下季試產
【台北報導】
在台積電宣布退出GaN業務發展後，力積電（6770）在昨（22）日的法說會上證實，公司與納微半導體合作，應用在AI伺服器的8吋氮化鎵（GaN） 100V技術平台，對第一批客戶已開始送樣，預計今年第4季開始試產，由於美國和日本客戶對此詢問度明顯提升，為配合市場和客戶需求，力積電將擴大對GaN的產能，增添相關機台。

力積電昨天同時公布第2季營運成果，單季稅後虧損達33.34億元，較上一季和去年同期虧損明顯擴大，每股淨損0.8元，是近八個季度低點。

力積電總經理朱憲國指出，公司在8吋GaN應用於AI伺服器的100V技術平台開發已近完成，第一批客戶送樣中，規劃今年第4季開始試產；其中，650V因友廠退出GaN代工市場，納微半導體新聞稿發布後也引起市場注意，近日美日客戶對力積電GaN代工詢問度明顯提升，公司規劃GaN方面增加機台以擴大產能，以因應客戶及市場未來需求。

關於市場關注的中介層（Interposer），朱憲國說明，當前開始出貨，以CoWoS-S為主，CoWoS-L也提供給客戶設計導入，此產品線充分利用DRAM前段製程（矽電容）與邏輯後段製程（銅產線），對取代部分較低毛利之DRAM及邏輯產品有很大幫助。

力積電董事會日前已通過中介層擴增產能的資本支出提案，朱憲國表示，正向看待對今、明年的毛利貢獻會逐步浮現。另外，DRAM四層WoW堆疊業務部分，搭配友廠先進邏輯製程晶片的驗證順利進行中，DRAM八層WoW堆疊技術則配合客戶開發中，未來連同中介層會成為3D AI Foundy 的主要獲利來源。

朱憲國說明，DRAM代工需求因一線廠商宣布退出8GDDR4市場，促使客戶提前備貨，需求反轉向上，近期投片已近滿載。

至於SLC Flash經歷幾個季度的沉寂後，現階段終端客戶庫存較健康，備貨意願較高，力積電在24奈米SLC Flash已進入量產階段，且由於主流廠商有計畫幾年內慢慢退出SLC Flash，新客戶設計導入持續進行中。

針對邏輯產品線，朱憲國指出，上半年因關稅不確定性，再加上中國大陸補貼政策刺激消費等二大因素，使得客戶提前投片，近來投片有所降溫，第2季投片較首季微幅下降1%。

【2025-07-23/經濟日報/C4版/上市櫃公司】

結盟納微 代工氮化鎵產品 間接打入輝達供應鏈 後市可期
【台北報導】
輝達新世代AI伺服器電源導入第三代半導體氮化鎵（GaN），主要合作夥伴納微半導體近期獲市場追捧，股價飆漲。納微結盟力積電（6770），由力積電為其代工氮化鎵產品，隨輝達新電源應用發威，力積電後市可期。

受惠輝達訂單加持，納微近期股價強勢，上周五（18日）勁揚8.29%，昨日截稿前盤前再漲逾6%，力積電股價同受激勵，昨天逆勢收紅，終場漲0.2元、收16.85元。力積電今天將舉行法說會，法人關注與納微的合作細節與後續在AI相關領域接單狀況。

納微已為輝達開發一款專為AI資料中心、設計的先進800V高壓直流輸電（HVDC）架構。據悉，輝達規劃將傳統13.8kV交流電（AC）轉為800V高壓直流輸電，藉此革新能源效率，藉由該架構減少銅製匯流排體積，並減少電力轉換次數來降低能耗。與傳統54V系統相比，1MW新架構可望減少45%的銅材用量，對現代AI資料中心日益增加的電力需求來說，是重大發展。

輝達預測，最新800V高壓直流輸電架構不但可讓電源效率提升5%，還能顯著降低維護及冷卻成本，電源供應器的故障率預料會減少70%，同時可將高壓直流輸電接入資訊與運算機櫃。

據悉，輝達上述新AI電源應用，主要透過導入氮化鎵，並與納微合作，由納微提供氮化鎵。納微並將採用力積電8吋廠0.18微米製程生產其氮化鎵產品，攜手搶攻AI電源領域。

力積電說明，該公司決定投入氮化鎵領域已有二、三年，是重要的轉型方向之一，納微也是力積電合作已久的客戶，目前產能皆足夠，待客戶需求確立後，將會擴大產能並支援客戶成長。

力積電將為納微生產100V至650V的氮化鎵產品，以滿足48V基礎設施，包括超大型AI資料中心和電動車對氮化鎵日益增長的需求，首批產品預計今年第4季度完成認證，並規劃100V系列於2026上半年在力積電率先投產，650V產品則在未來一至二年，從現有供應商台積電逐步轉由力積電生產。業界正向看待，納微攜手輝達衝刺氮化鎵新應用商機，力積電作為納微的代工夥伴，也將一起搶食輝達新世代電源導入氮化鎵的大商機。

【2025-07-22/經濟日報/C3版/市場焦點】

德微：瞄準機器人與無人機市場，強打ESD與TVS抑制器　朋程：聚焦發展Power GaN與48V車用模組

 台北報導
　人形機器人為實現靈活控制，需整合伺服控制、電池管理、感測器與AI系統等多個子系統，帶動對高效能功率元件需求大增。台廠德微（3675）與朋程（8255）積極切入此波成長機會。德微瞄準機器人與無人機市場，強攻ESD靜電保護與TVS抑制器等防護元件；朋程則聚焦發展Power GaN與48V車用模組，搶攻高頻、高效馬達驅動應用。
　機器人中通常部署約40部伺服馬達（PMSM）和控制系統，將是功率元件的新藍海應用場域。TI預估，馬達分布在身體的不同部位，例如頸部、軀幹等，還不包括細部的手部電機，若要模擬人手自由度，單手即需整合十幾個以上的微馬達，其功率還需視執行的特定功能而定，高功率應用如髖關節、腿部驅動甚至需達百安培等級。
　台廠方面，德微科技聚焦機器人、無人機等應用場域，鎖定ESD（靜電保護元件）與TVS（瞬態電壓抑制器）市場。
　德微今年上半年營收12.68億元，年減13.2％，但第二季起營運回溫，法人看好下半年各產品布局陸續發酵，將有望優於上半年。
　TI分析，人形機器人的伺服系統具有更高的控制精度、尺寸和散熱要求。
　GaN（氮化鎵）技術在馬達驅動具備優勢，特別適合高切換頻率情境，而體積的縮小及低損耗的高精度馬達控制，GaN將會是首選。
　朋程深耕汽車領域，提供48V高壓ULLD（超效二極體）產品。上半年合併營收達42.8億元，年增16.2％、持續締歷史新猷。第四季將新增48V MOSFET模組產能，且有望導入自製晶片，法人看好朋程透過集團分工，打造完整功率元件產業鏈。
　朋程6月底斥資1.92億元，加碼投資功率元件廠ANJET，增資後預計取得約32％之股權，瞄準SiC、GaN寬能隙半導體商機。相關業者透露，第三代半導體持續洗牌，碳化矽大廠破產、GaN代工也有業者逐步退出，產業重整過後將有利於存活下來的公司。

碳化矽晶圓龍頭Wolfspeed破產...

台北報導 

　碳化矽（SiC）晶圓龍頭Wolfspeed因債台高築，不堪負荷，傳出恐將在未來幾周內提出破產申請，致盤後股價崩跌58％。21日台廠碳化矽概念股嘉晶（3016）、越峰（8121）、環球晶（6488）、漢磊（3707）、穩懋（3105）大喜，漢磊、嘉晶更是直接漲停表態。

Wolfspeed因工業和車用市場需求疲軟，再加上被川普關稅大刀砍到見骨，致營運走疲，日前發出「持續經營」預警（going-concern），且釋出全年營收恐將比預期低的訊息，其財務體質也在崩壞中，截至3月31日止，Wolfspeed帳上現金僅約13億美元，但債務卻高掛65億美元，其中有一筆5.75億美元可轉換公司債將在2026年5月到期，也使得Wolfspeed破產的傳言盛囂塵上。近期又傳出Wolfspeed 在接到幾項由債權人提出的庭外債務整頓協議後，準備按照美國破產法第11章聲請破產保護。
業者表示，台灣在磊晶與代工製程具備技術優勢，或成國際客戶分散供應鏈風險首選。惟中國大陸SiC廠近年來發展快速，陸商如天科合達、河北同光等近年積極擴張6吋晶圓產能，市占率逼近全球半數，挑戰8吋製程。
業界人士認為，Wolfspeed若退出市場，陸廠將迅速填補空缺，價格戰恐延續，短期內SiC晶圓價格壓力不減。
市場關注8吋SiC技術發展，Wolfspeed為先行者，該公司破產恐延後技術商轉時程。另一方面，國際大廠意法半導體（STM）、安森美（ON）近年強化垂直整合布局，可能收購Wolfspeed資產，鞏固市場地位。
Wolfspeed財務危機，代表碳化矽市場進入加速洗牌階段，大陸廠商憑藉產能與成本優勢，可能主導中低端市場，台廠與國際大廠則需透過技術升級（如8吋晶圓）與垂直整合維持競爭力。
法人指出，受市場景氣不佳與中國殺價搶市拖累的漢磊已連六季出現虧損，嘉晶獲利能力稍佳，但今年首季每股稅後純益（EPS）0.01元，亦為2020年第二季以來的新低，在碳化矽廠中獲利與已連二季認虧的越峰不相上下，拜Wolfspeed財務危機之賜，或有轉機出現。

【台北報導】
三五族半導體廠英特磊IET-KY（4971）昨（8）日召開法說會，董事長高永中指出，正積極搶攻AI相關商機，本季營收仍將維持高檔，全年營運可期。

英特磊日前公布首季稅後淨損6,000萬元，每股淨損1.54元，虧損主因首季公司股價上升，致可轉換公司債（CB）評價依公允市價評估負債而認列損失，屬營業外會計項目，本業則轉盈。

據悉，英特磊的CB首季幾乎已轉換完畢，已於4月下櫃；本業方面，上季營收2.7億元，年增逾四成，本業獲利約4,200萬元，轉虧為盈，成長動能無虞。

【2025-05-09/經濟日報/C4版/市場焦點】

【新竹訊】
竹南科學園區再添新成員，分子尼奧科技（Quantum NIL Corporation）2024年10月獲准進駐園區。該公司2022年8月成立，專攻化合物半導體材料晶圓代工（pre-fab wafer foundry）與超穎光學元件（metalens）的設計製造，為產業供應鏈創造新的營運模式，以市場同業屈指可數的情況來看，與30年前的台積電有幾分相似。

執行長林仲相表示，化合物半導體材料與矽材料的晶圓代工，所使用技術與設備相近但又不全然相同。分子尼奧的團隊同時具備關鍵機台與材料設計及修改能力，最重要的核心競爭力是，擁有可結合半導體曝光微影製程的複合式奈米壓印技術（hybrid nanoimprint lithography）。

林仲相表示，英國磊晶大廠IQEIQE看中洲磊科技的奈米壓印技術，2016年雙方達成協議，併購洲磊的奈米壓印部門；2022年此部門又從IQE以管理層收購方式（management buyout ）獨立分割成立分子尼奧科技。

林仲相在整個過程全程參與，並主導在竹南園區設立生產線，今年進一步成立新竹設計研發中心。目前可代工2、3、4、6、8吋晶圓，以磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、鍺化合物（Ge）等材料來對應不同產品應用。

值得一提的是，分子尼奧也搭上當紅的超穎光學列車，採用奈米壓印蝕刻技術製造超穎透鏡（Metalens）中的高密度奈米微結構，翻轉現有鏡片鏡頭產業，將率先應用於AR眼鏡。

分子尼奧在目標產業供應鏈的位置是穩懋、宏捷科的上游，主攻結合光子晶體應用場域的高客製化量產製造。林仲相表示，設定的初期目標客戶為國際大廠，成立竹南廠後，也會就近服務國內需求。

【2025-02-19/經濟日報/C7版/電子科技】

【台北訊】
專業碳化矽（SiC）長晶技術廠商格棋化合物半導體，以「低缺陷密度8吋碳化矽晶圓技術」榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎肯定，該項技術不僅能提高能源效率與減少碳排放，更能促進綠色技術的普及，對推動地球永續有積極助益。

格棋副總賴柏帆表示，核心團隊投入高品質碳化矽長晶技術研發將近10年，此次獲獎是對格棋在創新技術和卓越品質方面的高度肯定，證明致力推動綠色科技和永續發展正走在對的道路上。

格棋致力於晶體生長和晶圓的技術開發和製造，以嚴格的原材料物性控管，降低材料雜質並穩定長晶過程；精確的籽晶沾黏技術，控制籽晶的定位，促進晶體均勻生長；先進的熱場參數控制技術，防止晶體熱裂和結晶缺陷的產生；精密的模組設計與組裝，避免晶體污染和模組變形。憑藉4項核心技術優勢，格棋有效降低晶體的線缺陷、面缺陷及體缺陷，提升功率元件的效率、可靠性、穩定性及使用壽命。

為滿足市場多元需求，格棋提供彈性化的產品組合，包括碳化矽晶體（SiC Ingot）、碳化矽晶圓（SiC Wafer）、碳化矽籽晶（SiC Seed）和碳化矽磊晶晶圓（SiC EPI Wafer），並透過虛擬IDM模式，整合上下游價值鏈，依照客戶屬性，整合包含加工、磊晶、設計、製造、元件等廠商，簡化服務窗口與供應鏈服務客戶。（劉靜君）

【2025-01-06/經濟日報/B3版/商業流通】

世界砸24.8億取得漢磊13％私募股權；2026下半年量產
台北報導
世界先進（5347）與漢磊（3707）10日簽訂策略合作協議，雙方將攜手合作，推動碳化矽（SiC）八吋晶圓的技術研發與生產製造，世界先進並參與漢磊私募普通股認購，投資金額24.8億元，以共同推動具競爭優勢的產品製造服務，建立雙方的長期策略合作關係。
　漢磊辦理私募增資案，世界先進認購50,000仟股，投資24.8億元，將取得13％股權。
漢磊將於主管機關核准募資登記後，和世界先進展開合作。相關技術初期由漢磊轉移，預計2026下半年開始量產。
結合雙方的技術優勢和市場資源，漢磊及世界先進並將共同進行SiC技術研發、市場推廣，為客戶創造更大的價值；未來雙方亦將評估SiC技術研發及量產進度，進行更進一步的合作。
　此次合作，將專注於八吋SiC半導體晶圓製造的技術開發及未來的量產，由於SiC的材料特性，可以有效提升能源效率，特別在因應全球暖化的節能減碳趨勢下，其應用將普及到電動化車款（xEV）、AI資料中心、綠能儲能及工控甚至消費性產品等。
漢磊董事長徐建華表示，漢磊集團旗下的嘉晶電子（3016）與世界先進長期以來即為矽磊晶事業合作夥伴，本次私募引進世界先進成為策略性股東，透過投資結合將使彼此間的策略合作更緊密。
漢磊與世界先進的合作，將在漢磊現有六吋晶圓製造技術及客戶的基礎上，共同合作進行八吋SiC技術平台開發及產能布建，以提供全球IDM及Fabless客戶具有長期競爭力的解決方案。
本次策略合作可為世界先進、漢磊及嘉晶電子三方公司創造新的成長動能與合作綜效，並為客戶及股東權益創造更高價值。
世界先進董事長方略表示，世界先進與漢磊的策略夥伴關係，將兩家公司的核心資源與優勢緊密結合，為雙方合作奠定互惠雙贏的堅實基礎。

【台北報導】
LED封裝大廠億光（2393）昨（4）日前進台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan 2024），展示在光電及功率半導體領域最新產品。億光強調，旗下第三類半導體產品積極拓展至消費、工業及能源領域，預期在車用、工控、充電樁及電源等領域有顯著增長。

億光表示，隨著生成式AI技術爆炸性增長，AI資料中心對晶片需求急劇上升，驅動伺服器電力需求急劇增加，對高效能電力解決方案更加迫切。

第三類半導體產品專為提升電力轉換效率，除了能有效降低能量損耗，也能提供更好的導熱效果，顯著提升伺服器和電動車的能源利用率，並改善工業應用中的能效。

【2024-09-05/經濟日報/C3版/市場焦點】

高雄報導
　國立中山大學晶體研究中心率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材，今年7月起技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂5年5千萬元技術移轉案，助攻台灣次世代半導體材料優勢。
　中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇19日指出，研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業，除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級，今年7月起更技轉台灣應用晶體集團。第三類（次世代）半導體材料碳化矽（SiC）具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性，但晶體生長的技術門檻高。
　周明奇強調，碳化矽晶體是國家重要戰略物資，可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域，中山大學團隊創全國學研單位之先，已取得晶體生長關鍵突破，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。而除了第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢，中山大學同步研發第四類半導體氧化鎵（Ga2O3）的單晶塊材（Bulk Crystal）。
　周明奇表示，中山大學團隊攜手台灣企業共同創新，例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100％MIT，長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造，坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔熱材料更有賴高雄在地企業的應援。他說，特別感謝包括中鋼與中碳的專業支援，提供許多協助。