報導記者／李娟萍

快馬加鞭策略考量，透過關鍵設備與廠務投資，加速產線成熟度

台北報導
　華邦電（2344）19日公告，董事會通過新一筆資本支出預算，總金額新台幣14億8,500萬元，華邦電管理層說明，隨著市場需求變化速度加快，部分原本採循序投入的設備與製程優化計畫，經評估後有必要提前執行，以縮短產能到位時間，並在供需轉折點前建立更具彈性的製造能力。
　此次董事會核准的新增資本支出，正是基於「快馬加鞭」的策略考量，透過關鍵設備與廠務投資，加速產線成熟度。其中，16奈米製程被視為短中期營運改善的核心關鍵。
　華邦電指出，目前16奈米仍處於良率爬升階段，透過提前導入關鍵製程設備與優化製造流程，有助於縮短良率改善時程，加快有效產出，提升接單與交付能力，以回應客戶需求與市場波動。
　該公司指出，此次資本支出屬於中長期擴產規畫的一環，整體方向與先前所揭示、總額約355億元的資本支出藍圖一致，主要因應近期市場對產能需求轉趨急迫，透過提前與加速部分投資項目，強化產能與良率提升的時程。
　法人指出，隨著資本支出加速到位，並搭配製程良率持續改善，華邦電自2026年起，營運彈性與獲利結構可望逐步轉佳，產能調配與產品組合的操作空間也將明顯放大。
　從產業供需面來看，市場普遍預期，2026年第一季將是記憶體價格的重要轉折點。根據法人對供應鏈的調查，華邦電2026年第一季 DDR4與DDR3合約價格，具備挑戰季增倍數的潛力。
　主要原因在於，消費型應用對成本敏感度提高，升級DDR5的意願不如原先預期，使DDR4在性價比與供需結構上，反而具備更強的上漲動能。
　此外，法人也看好2026年第一季NOR Flash與SLC NAND的價格表現，合約價有機會季增30％以上。主因在於三星、鎧俠等大廠持續縮減2D NAND產能，導致MLC供應出現缺口，形成結構性緊俏。
　法人指出，華邦電DDR4 8Gb預計自2026年第二季開始貢獻營收，DDR4 16Gb則規畫於2026年第三季進入量產。整體而言，華邦電2026年營運展望正逐步轉向「量價齊揚」格局。