助塔塔集團建12吋廠，並與矽谷新創洽談合作；WoW技術提供更具性價比的AI晶片
台北報導
　晶圓代工廠力積電（6770）擴增海外市場，積極參與各項海外展覽，力積電副總顧峻表示，自從與塔塔集團合作之後，陸續打開市場能見度，其中，已與矽谷新創公司洽談，未來將有機會展開合作。力積電透露，相較純晶圓代工廠，力積電具備DRAM技術，可透過Wafer on Wafer（WoW晶圓堆疊）技術，並以TSV（矽穿孔）達成異質整合，提供更具性價比之AI晶片解決方案。
身為塔塔集團合作夥伴，力積電協助打造全印度首座12吋晶圓廠，將於今年內動工。印度最大集團加持下，於北美市場力積電能見度逐漸提高，顧峻指出，在矽谷地區，印度裔工程師很多，雙方互相加持之下、信任度提升不少；其中，新創公司因資金有限，從成熟製程開始切入，更有利於公司發展長遠規劃。
此外，塔塔集團觸角跨至各行各業，並為唯一被蘋果列入供應商名單之印度本土公司、塔塔汽車更為當地最大廠，掌握上游晶圓代工，進一步壓低成本，與力積電集團共創雙贏。
而WoW為力積電攜手矽智財公司愛普（6531）共同開發，多層堆疊為未來技術趨勢，提供具備價格優勢之AI晶片，為力積電爭取更多價格敏感客戶。力積電分析，目前產能皆已備妥、技術漸臻成熟，參展各項半導體展會，將有助於提升市場能見度。
與國際級公司聯手，是現階段成熟晶圓代工廠達成海外布局之方式，以聯電集團為例，即與英特爾攜手合作，將協助位於美國亞利桑那州之Intel Fab12、22和32廠進行開發和製造；知情人士透露，主要是要以現有設備導入聯電製程，雙方仍有待磨合。
展望後市，法人認為力積電營運將有望逐步復甦，因消費性與運算需求復甦略優於預期，相關產品包括OLED Driver IC， ISP、Wi-Fi SOC等， 電腦、消費和通信領域的庫存狀況改善到更健康的水準，下半年成熟製程產品需求將緩步回溫，預估產能利用率也會逐步恢復至7成到8成。

記憶體價格持續向上，伺服器、手機、筆電等相關出貨都成長，下半年業績將逐季好轉
台北報導
　南亞科29日舉行股東常會，董事長吳嘉昭及總經理李培瑛雙雙按讚AI應用，將帶動記憶體容量大增，將帶動產業市況及南亞科業績逐季好轉。
　吳嘉昭在致詞時指出，2023年的DRAM市場，因全球經濟景氣循環、地緣政治、中美貿易衝突等影響，短期間成長受阻，但DRAM是人類進入智慧世代，使所有電子產品智慧化的關鍵零組件，隨著5G及AI的發展，將持續帶動DRAM的增長。
　他預期，2024年DRAM出貨到伺服器、手機與筆電等終端應用市場，都將呈現成長。
　李培瑛在股東會後受訪時則表示，生成式AI帶動高頻寬記憶體（HBM）高速成長，三星、SK海力士及美光三大原廠，集中資源轉進HBM領域，但因HBM良率不高，排擠到一般型DRAM產能。
　因此，在DRAM供給有限，市場需求回溫下，帶動DRAM價格，自2023年第四季起持續往上，記憶體整體產業往正面發展，李培瑛樂觀看待南亞科2024下半年業績將會逐季改善。
　南亞科2024年的重點，是陸續推出以10奈米第二世代（1B）製程技術，量產的三顆新產品，目前正在試產，以擴大產品線、貢獻營收。
■高容量模組 瞄準伺服器需求
　另設計開發中的則有四顆產品，包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5及4Gb DDR3，將逐步進入試產。
　此外，2024年南亞科將同步開發矽穿孔（TSV）製程技術，未來結合DDR5微縮版與TSV製程，做成高容量DRAM模組，以供應伺服器市場需求。
　而使用10奈米第三世代（1C）製程技術的第一顆產品16Gb DDR5，預計在2024年底完成設計，2025年初進入試產，南亞科新品將密集上市，迎來AI新商機。
　南亞科另與比利時研發中心（IMEC）合作開發極紫外光（EUV）製程，為更先進的製程預做準備。
　惟4月3日台灣發生七級大地震，扣除保險後，南亞科仍受到晶圓報廢、設備維修及停產等造成額外費用的影響，預期第二季財務績效仍有壓力，本業在第三季較有機會獲利。

【台北報導】
矽智財（IP）廠力旺（3529）昨（8）日召開法說會，力旺董事長徐清祥看好，力旺可量產的元件技術及IP數量持續增加，各項技術都已增加客戶需求，授權金大增，未來相對應的權利金預期隨之大幅成長，公司多年成長循環才剛開始。

他表示，半導體應用愈來愈廣泛，既有及新增的晶圓廠持續採用其各項技術授權，先進製程或新技術的每片權利金比過去高，對未來成長非常有信心。

力旺總經理何明洲表示，根據客戶回饋，庫存消化已告一段落，成熟製程產品會回到往年正常量產需求。加上力旺在過去三年累積超過1,500個新產品設計定案，隨著客戶量產，可望帶動權利金收入進入成長循環。

針對AI應用解決方案方面，何明洲指出，這可分為三個面向，一是AI應用也需要安全硬體信任，力旺提供完整的安全解決方案。再者，AI應用中需要大量SRAM解決運算問題，力旺有完整SRAM repair方案，可大幅提高AI晶片良率，降低生產成本。第三是AI應用中需要大量DRAM，力旺提供完整DRAM修補方案，解決AI晶片在大容量記憶體應用的需求。

【2024-05-09/經濟日報/C1版/證券產業】

台北報導
　華邦電第二季DDR3新合約價格終於敲定，據法人調查指出，華邦電成功漲價10％，急單及加單另計。
　主要調漲原因是在疫情之後，全球經濟活動回歸正常，記憶體產業已進入新的上升周期，AI、網通需求竄升，DDR3出現供給吃緊，以致於得以調漲DDR3價格。
　華邦電對此一消息表示，該公司不評論價格問題。
　先前市場一度傳出，華邦電擬調漲DDR3二成的幅度，惟法人獲得最新消息指出，華邦電與客戶敲定的最新合約價漲幅是一成，如屬急單及加單另計，整體平均漲幅不會到20％。
　法人認為，華邦電喊漲成功後，客戶會有漲價預期心理，願意提早下單，除有利於華邦電本業外，晶豪科、鈺創等記憶體IC廠商，也將同步沾光。
　法人分析，隨著高階DRAM庫存調整完畢及控制產出下，價格已出現反彈，利基型DRAM市場價格也逐步回升，市場調研機構多預期，記憶體產業在2024年下半年將達到供需平衡。
　法人指出，據調查，華邦電在第一季實際上並未調漲DRAM或NOR報價，以換取出貨量成長。不過，第二季主力DDR3產品，則已確定調漲至雙位數以上漲幅，預期此舉將有利於華邦電獲利的回升。
　華邦電今年營運展望樂觀，法人指出，高階DRAM在庫存調製完畢及控制產出下，價格出現反彈，利基型DRAM市場價格也逐步回升，預期下半年將達到供需平衡。此外，網通、IoT、安防及TV市場可望出現強勁需求，邊緣AI成為未來成長動能。

台北報導
　記憶體大廠減產保價策略奏效，第四季合約價報價優於市場預期，DDR5上漲15～20％，DDR4上漲10～15％，DDR3上漲10％，漲幅優於原先預估的5～10％；NAND每家平均漲至少20～25％，漲幅更大。
　另據了解，第一大原廠三星對DRAM正常報價，但在NAND部分，暫停報價，也不出貨，最新報價仍待觀察。
　台系記憶體製造廠南亞科、華邦電、旺宏，模組廠威剛、十銓、創見、宜鼎、宇瞻、點序、群聯等，有望跟著拉升報價。
　業者分析，記憶體合約價的調漲，主要原因有四：一是反映華為Mate 60新機銷售暢旺，帶動Android手機業者提前推出新機，帶動行動DRAM需求；二是三星（Samsung）控制出貨量，造成PC業者補庫存時長延長。
　三是因應手機需求上修，DRAM業者將2023年第四季到2024年第一季的伺服器DRAM投片，調整至行動及PC DRAM投片，伺服器DRAM的供給壓力緩解；四是網路攝影機、網通等利基型應用業者因應漲價預期，啟動記憶體庫存回補。
　市場法人分析，2023年記憶體大廠紛紛採取減產保價策略，促使記憶體報價止穩反彈，預期隨著各大廠減產幅度收歛、稼動率提升，2024年記憶體產業將走向價量齊揚。
　至第四季，美光（Micron）已將DRAM庫存去化至8周、完成庫存去化，並將DRAM工廠減產幅度，自第三季的31％，收斂至第四季的17％、並預計在2024年第一季至第四季維持減產幅度。
　三星及SK海力士的減產及去庫存時間，皆落後美光一季，預計將減產幅度自第四季的18～40％，收斂至2024年第一季的15～34％、並預計在第二至第四季逐步收斂減產幅度。
　業者認為，考量終端需求預計自第二季起回溫、加上龍頭製造商皆預計維持「以銷定產」的紀律性增產節奏，預估2024年第一季至第四季期間DRAM合約價將維持漲勢。由於庫存仍處15～18周高水準，NAND Flash仍可望持續減產。 市場產業分析師認為，第三季至第四季記憶體模組廠的獲利及評價表現較佳，主要反映模組廠可即時享有庫存利益、而不須負擔產能閒置損失。
　但自2024年第一季起，記憶體製造廠的獲利及評價表現將改善，主要考量製造廠工廠逐步升載下，產能閒置損失的收斂，有望挹注獲利。

南韓相關晶片出口轉正 台灣Q4產值增幅將稱冠半導體 南亞科、華邦電利多
【綜合報導】
全球最大記憶體生產國南韓官方最新數據顯示，當地10月記憶體晶片出口額轉跌為升，為近16個月來首見成長；台灣半導體產業協會（TSIA）最新報告則預期，本季台灣記憶體與其他製造產值可望季增9.1%，增幅為半導體製造業之冠，兩大訊號意味記憶體市況復甦「穩了」，南亞科、華邦電等台電灣記憶體晶片廠營運動能大開。

法人指出，南韓是全球最大記憶體晶片製造國，三星、SK海力士為全球前兩大DRAM廠，市占率合計約七成；在儲存型快閃記憶體（NAND Flash）也有一席之地，三星為全球NAND晶片龍頭，SK海力士為前五大廠。南韓記憶體出口額轉為成長，意味全球記憶體需求回穩，是一大關鍵指標。

南韓產業通商資源部昨（14）日公告，10月南韓記憶晶片出口額年增1%，較9月的年減18%大為改善，其中，多晶片封裝引領出口反彈，成長12.2%，DRAM出口額年減率也縮小至個數位，是一年多來首見。

台灣半導體產業協會昨天也引用工研院產科國際所數據指出，預估第4季台灣晶圓代工產值季增8%，記憶體與其他製造季增9.1%，增幅是所有半導體製造業之冠，同步透露記憶體產業復甦是「現在進行式」。

台灣記憶體晶片廠均正向看待後市。南亞科總經理李培瑛認為，由於各大記憶體廠全力鎖定DDR5世代產品，加上各大廠力守DRAM價格，預期與南亞科連動性較高的DDR4本季價格有機會開始小幅改善，屆時該公司營運有望回溫。

李培瑛分析，從需求端來看，今年前三季伺服器市場表現相當疲弱，第4季隨著雲端需求帶動，可望開始回溫；手機市場部分，大陸手機市場需求在歷經至少近一年的弱勢後，目前已看到些許回溫跡象；PC市場受惠於DDR5需求升溫，表現相對健康不少。

華邦電也對接下來市場發展投正面的一票。華邦電去年第4季起因應市況疲弱，宣布減產四成，隨著需求好轉，近期減產幅度已縮減至二成，第4季出貨量將提升，價格預計持平或小跌，整體營運不會比第3季差，有望稍微好些。

華邦電預期，2024年若終端需求與今年相近或不變，在製造商手中已沒有庫存下，採購力道就會回溫，研判包括PC、筆電及手機等市場都會是如此，伺服器領域也會重返成長。

研調機構據集邦科技（TrendForce）先前發布報告指出，第4季起DRAM與NAND晶片均價開始全面上漲，以DRAM來看，估本季合約價季漲幅約3%至8%。

【2023-11-15/經濟日報/A12版/產業】

台北報導
　全球記憶體市況下半年以來緩步回升，近期在全球記憶體大廠持續擴大減產，再加上市場庫存水位逐步回到健康水準，第四季記憶體可望持續升溫，市場預期將帶動記憶體封測廠第四季營運表現，其中，力成及南茂第三季營收分別寫近四、五季新高，而華泰更創下近16季營收新高，市場看好三大記憶體封測廠第四季營收可望續攀升。
　進入下半年以來，全球記憶體市況逐步走出谷底，雖然市場需求仍維持相對過去旺季時平淡，但在國際大廠減產效應下，價格回穩、市場觀望氣氛也轉趨緩，同時也帶動記憶體封測廠第三季營收走高。
　其中力成第三季184.48億元，不僅是近四季新高，同時，以單季營收來看，也已是連續二個季度營收呈現季成長，第三季較上季成長7.15％，產業回溫情況逐漸顯現。
　南茂第三季營收為55.81億元，單季營收同樣也是連續二個季度呈現季成長，第三季營收較上季小幅成長2.52％，以單季營收來看，南茂第三季營收也是寫近五個季度最佳表現。

法人預期，華邦電、南亞科、威剛等台記憶體廠將受惠

台北報導
　TrendForce研究顯示，第四季起DRAM與NAND Flash均價開始全面上漲，以DRAM來看，預估第四季合約價季漲幅約3％～8％。法人預期，華邦電、南亞科、威剛、群聯等台系記憶體廠商有望受惠。
　TrendForce預估，在PC DRAM方面，多數原廠均因DRAM產品出現負毛利，而不願意再讓價，預測第四季DDR4價格季增0～5％，DDR5價格季增約3～8％，預估第四季PC DRAM合約價季漲幅約3～8％。
　Server DRAM方面，DDR5買方庫存占比，已較第二季的20％，提升至30～35％，但第三季實際Server上機使用率僅為15％，市場需求似乎沒有預期中的好。
　三星擴大減產，限縮DDR4的投片規模，供應端的Server DDR4庫存降低，Server DDR4報價沒有再下跌的空間。
　Server DDR4第四季均價預估持平，而Server DDR5仍會走跌，伴隨DDR5出貨比重增加，加上DDR4與DDR5之間價差約50～60％，仍會拉升綜合產品的平均零售價，第四季Server DRAM的合約價預估季增3％～8％。
　Mobile DRAM方面，由於Mobile DRAM庫存相較其它應用更早回到健康水位，加上價格彈性帶動單機搭載容量上升，下半年買氣轉趨活絡。第四季智慧型手機產量季增逾10％，支撐Mobile DRAM需求。
　原廠庫存仍高，短時間內無法改變供過於求的市況，但堅持拉抬價格，目前原廠庫存較多的LPDDR4X或舊製程產品，預估合約價季漲幅約3～8％；LPDDR5（X）則略顯供貨緊張，預估合約價季漲幅5％～10％。
　Graphics DRAM方面，由於Graphics DRAM為淺碟市場，加上買方心態，已轉為可接受價格上漲，預期採購端將持續準備主流規格GDDR6 16Gb，以應對2024年的漲勢。

三星、SK海力士、美光續減產及力守報價，預期2024年需求位元年增雙位數
台北報導
　國際記憶體大廠包括三星、SK海力士、美光等持續減產，TrendForce預估，2024年各廠減產策略仍將持續；惟隨著消費性電子產品需求回升，2024年DRAM、NAND Flash需求位元將年增13％及16％。
　台系記憶體廠如南亞科、旺宏、華邦電、群聯、威剛、宜鼎等，有望同步受惠。
　記憶體族群30日漲勢轉強，旺宏、威剛領漲同族群，漲幅逾7％，群聯、點序、宜鼎及十詮漲幅亦在5％～6％。
　業界人士指出，記憶體第三季合約談判已完成，DDR4合約價季減低個位數，DDR5合約價季增低個位數，而龍頭廠之間無顯著價差。
　主要是龍頭廠的1Ynm以上製程持續處現金流出下，各大廠減產幅度擴大，力守報價，以期營運止血，且積極去化庫存下，庫存水位自6月底的12～14周，進一步去化至9月底的10～12周。
　展望第四季報價，業界人士預估，DRAM合約價將上漲5％，帶動現貨價上漲，且漲勢將延續至2024年。
　NAND部分，因三星先前下令暫停低價報價，中系模組廠也配合三星調漲報價，主流產品512Gb現貨價在8月下旬，已從1.48美元，調升至1.62美元～1.65美元，漲幅約10％，其他大廠紛紛跟進，NAND現貨價格也見到止跌。
　業界人士預期，記憶體廠庫存在2024年第一季，將降至8周以下水準，大廠漲價態度於2023年下半年逐步轉趨明確，預估DRAM及NAND合約價於2024年上半年，全面進入上升周期。
　惟TrendForce預估，2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，加上通用型伺服器的資本支出，仍受到AI伺服器排擠，而顯得相對需求疲弱。
　但有鑑於2023年基期已低，加上部分記憶體產品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13％及16％。
　儘管需求位元有回升，2024年若要有效去化庫存，並回到供需平衡狀態，重點還是仰賴供應商對於產能有所節制，若供應商產能控制得宜，記憶體均價將有機會反彈。

華邦電最大手筆，辦現增2億股，購置節能及製程提升相關設備
台北報導
終端消費電子需求仍顯疲弱，記憶體大廠庫存壓力尚大，市場行情也未正式反轉向上；不過，記憶體供應鏈中多家廠商著手辦理現金增資，積極向資本市場籌資，以充實手中銀彈，靜待整體行情回升之日。
近期記憶體相關廠商包括記憶體模組廠商威剛（3260）、利基型記憶體華邦電（2344）及通路商至上（8112）不約而同皆有辦理現金增資，顯見積極籌備現金庫存的動作。
其中，IC通路商至上是三星的最大代理商，該公司辦理現增7,000萬股一案，在7月中旬生效，現增新股每股發行價格38元，預計可募資26.6億元，現金增資用途為償還銀行貸款。
緊接著是模組廠威剛，辦理現增3,000萬股，則在8月16日申報生效，發行價格尚未訂定，估計也可募資十餘億元，所得資金將用來償還銀行貸款及充實營運資金。
記憶體大廠華邦電的現增案手筆更大，華邦電於8月18日公告，將辦理現增2億股，華邦電也特別說明所得資金，則將用來購置節能及製程提升相關設備。
華邦電經營層先前在法說會中指出，2023年資本支出預計130億元，95億元用於高雄廠，19億元提升中科廠機器設備及製程品質，14億元用於R&D製程 （mainly D16）提升。
華邦電此次現增主要將用於高雄廠資本支出，少數金額投入於節能減碳的附屬設備（pumps），預計向資本市場籌資，以完成相關投資計畫。
　業者指出，目前半導體景氣仍處於低谷，減產成為全球性趨勢，韓廠三星、SK海力士、美商記憶體大廠美光，紛紛減少產能，且從減產25％擴大到30％。日系大廠鎧俠從2022年第四季開始減產30％，擴大至2023年的50％。
　業界預期，全球性減產預計還會持續一段時間，以推動記憶體報價止跌回升。