法人:記憶體上游如南亞科、華邦電未切入HBM市場,但受惠DDR4報價漲,將推升Q3營運
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受惠於人工智慧(AI)帶動的高階記憶體需求持續火熱,美光宣布上調2025會計年度第四季(2025年6月至8月)財測,預估營收將達111億至113億美元,季增19.34%至21.49%,優於原先預估的104億至110億美元。毛利率預計達44%至45%,高於原先的41%至43%;每股稅後純益(EPS)上看2.78至2.92美元,顯示獲利動能同步強化。
法人指出,台系記憶體上游廠商如南亞科、華邦電等,未切入高頻寬記憶體(HBM)市場,但受惠先前DDR4現貨報價上漲,將推升第三季營運,12日包括新上市凌航、南亞科、宇瞻、華邦電等記憶體族群,股價漲逾6%。
美光指出,AI驅動的資料中心產品需求強於預期,加上新產品推出、單機記憶體容量提升,以及客戶庫存持續回補,帶動下半年位元出貨量將高於上半年。
雖然PC與智慧型手機短期需求偏弱,但在DRAM與NAND Flash價格回升支撐下,美光樂觀看待2025年整體營運,並透露AI應用所需的高頻寬記憶體(HBM)訂單,至2025年底已全數售罄,高階SSD供應同樣吃緊。
另據陸媒消息指出,美光將對中國大陸區進行業務調整,主要原因是,行動NAND產品市場持續疲軟,且相較其他NAND領域成長放緩,美光因而決定在全球範圍內停止未來行動NAND產品的開發,包括終止UFS 5(第五代通用快閃記憶體)的研發。
此一決策僅影響全球行動NAND產品開發,美光將持續開發並支持SSD、汽車及其他終端市場的NAND解決方案,並繼續在全球推進行動DRAM業務,提供業界領先的DRAM產品組合。
據悉,美光的NAND行動業務(UFS、eMMC)已多年虧損,加上NAND需求重心逐漸轉向資料中心領域,該公司因而決定不再自行開發UFS與eMMC產品,而是專注銷售NAND顆粒給模組廠,由其製作UFS與eMMC成品。
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南亞科10日公布2025年第二季財報,並舉行線上法說會,單季營收105.26億元,季增46.4%;儘管DRAM平均售價小幅下滑,但出貨量大增七成,顯示營運已觸底反彈,總經理李培瑛對第三季毛利率轉正具高度信心。
不過,第二季受到匯率波動及製程轉型成本影響,單季虧損擴大。
南亞科第二季營業毛損21.65億元,毛利率-20.6%,較上季下降5.6個百分點。營業淨損為45.01億元,營業淨利率-42.8%,較上季改善1.1個百分點,營業外支出6.06億元,稅後淨損41.09億元,淨利率-39.0%。
李培瑛解釋,主要是受到第二季新台幣兌美元匯率急升,影響當季淨損約11.24億元,致單季每股虧損1.32元。
在技術布局方面,南亞科已順利量產10奈米級第二代製程(1B)的16Gb DDR5 5600與8Gb DDR4,並進一步將16Gb DDR5 6400推向送樣階段。
此外,TSV與DDP製程已完成工程驗證,未來可支援高階AI用高頻寬記憶體(HBM)應用;DDR4與LPDDR4的產能配置亦持續優化,滿足多樣化應用需求。
展望未來,李培瑛認為,市場已於第二季末見底回升,AI應用持續拉動雲端伺服器與AI PC出貨,而非AI市場亦同步觸底反彈。
供給端部分,全球原廠持續推進先進製程,聚焦HBM與DDR5;DDR4/LPDDR4產能則同步收斂,庫存調整進展順利。
需求端部分,AI伺服器推升HBM與DDR5需求,AI手機與AI PC規格升級,亦帶動高容量LPDRAM用量。
消費型應用部分,DDR4與LPDDR4正逐步轉向消費型中階產品,如電視與家用裝置,成為新應用主力。
李培瑛指出,第三季DRAM價格與出貨,皆可望同步改善,毛利率轉正具高度信心,至於稅後轉盈仍需進一步努力。
對於庫存去化進度,第二季庫存天數已大幅縮減,DDR4與LPDDR4相關庫存幾近調整完畢,DDR5產品則幾無庫存壓力。合約價格自第二季末起已上修,第三季價格談判進展順利,可望為營運帶來明顯挹注。
針對美國232關稅調查與對等關稅風險,李培瑛強調,目前未觀察到客戶行為出現重大異動,預期記憶體市場受影響相對有限,尤其AI與HBM需求,正持續自雲端向終端裝置擴展。
力積電董事長 開啟新價值曲線
曾在2021年掛牌風光登場的力積電(6770),近年飽受中國成熟製程價格競爭與全球供應鏈震盪的雙重壓力,股價也因此長期走跌,不過面對產業劇變與虧損連連,董事長黃崇仁不坐以待斃,而是積極啟動轉型計畫,帶領力積電走向AI世代的新戰場。
不跟紅鏈拚價格
力積電長期專注於邏輯晶片代工業務,在28奈米以上的成熟製程占有一席之地,然而,這一領域正是中國廠商近年大舉投入的主戰場,包括中芯國際、華虹半導體等競爭者,在政府補貼與政策扶持下擴充產能、掀起削價競爭潮,迫使台廠進入激烈廝殺的紅海市場。
黃崇仁坦言,中國成熟製程報價持續下殺,我們不能跟著拚價格。」力積電因此在策略上決定轉型,逐步脫離低毛利製程,尋求高附加價值的產品線突破。
轉型的關鍵,是從「製程代工」走向「技術平台供應者」。黃崇仁自2019年起即布局Wafer-on-Wafer(WoW)3D堆疊技術,這項技術可將兩片晶圓垂直堆疊,整合邏輯與記憶體,提升晶片運算密度與能源效率,特別適用於Edge AI、車用電子與高效能運算(HPC)領域。
目前WoW技術已完成開發,並吸引多家國際大廠進行試產。黃崇仁指出,AI產品不只要算得快,還要省電、省空間。這正是我們WoW能提供的解決方案。力積電在銅鑼新廠的擴產規劃,也將以WoW 3D代工業務為主軸,成為企業營運成長的核心引擎。
力積電也不只押寶WoW一途,黃崇仁正推動公司朝中介層(Interposer)、氮化鎵(GaN)、氧化物半導體、矽電容等新領域多線發展,這些技術雖尚未成熟商業化,但已吸引大型科技企業合作布局,展現其「技術創新驅動」的轉型思維。
值得一提的是,除了企業經營者身分,黃崇仁近期也被法國政府任命為台灣法國文化協會理事長,積極推動台法間科技與文化交流。先前出席巴黎AI高峰會時,他更與法國總統馬克宏與印度總理莫迪會面,受到兩位國家領袖請託,希望借助台灣的半導體力量,強化各自國家的AI發展。
開拓出口新市場
黃崇仁說明,其實法國在一些材料技術上很強,只是大家不知道,我們去看過後,正在思考怎麼引進台灣。這種國際視野與資源整合,成為他為力積電爭取技術合作與出口市場的重要管道。
在股價低迷、市場挑戰嚴峻的當下,力積電的轉型尚未帶來明顯財務成效,但從黃崇仁的布局與思維來看,這是一場技術升級與策略重塑的長期戰爭,選擇不隨波逐流殺價競爭,而是走向高階應用與AI世代的核心,是一條困難卻必要的路。
黃崇仁正以一名半導體老兵的膽識與國際布局能力,為力積電開啟一條新的價值曲線,也為台灣晶圓代工產業探索一種不同於龍頭之外的活法。
【2025-06-30/經濟日報/A13版/經營管理】
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三大原廠紛紛縮減舊製程產能,除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm製程的DDR4生產,美光亦通知客戶停產伺服器用舊製程DDR4模組,SK海力士據傳也將DDR4產出比重降至20%。
法人認為,市場景氣低迷,上游記憶體廠加速產品迭代,降低單位成本以提升獲利,同時將資源轉向高頻寬記憶體(HBM)及DDR5等高階產品。
短期內記憶體價格受到關稅備貨與供給控制支撐,但整體環境不確定性高,未來基本面仍存隱憂。
三星已通知供應鏈,1y nm及1z nm製程的8GB LPDDR4記憶體將於2025年4月停止生產(EOL),要求客戶於2025年6月前完成最後訂單(LBO)。多款8GB及16GB DDR4 SODIMM與UDIMM模組將停產,最後出貨日期為2025年12月10日。
法人預期,採用1y nm 16GB DDR4顆粒的OEM業者首當其衝,供應量將大幅減少;記憶體模組廠雖仍可取得三星DDR4顆粒,但貨源持續吃緊。
三星計畫減少1y nm製程產出,2024年該製程占位元產出約20%,但2025年下半年比重將降至10%以下。
1z nm製程為2024年主力,占約30%,2025年將降至20%,預計2026年進入DDR4 EOL倒數,2027年全面停產。
同時,三星的1a nm及1b nm新製程產出比重將快速提升,1a nm為2025上半年主流,但2025年下半年1b nm製程將占第四季產出逾40%。
採用新製程的DDR5模組,將優先供應戴爾、惠普、華碩、宏碁等PC OEM客戶,舊製程DDR4則繼續供應消費性及模組客戶。
記憶體模組廠因DDR4產出減少,採購顆粒不足,模組廠轉向認證及採購台系業者產品,如南亞科及華邦電等,法人預期,2025年第二季合約價將上漲,主因原廠謹慎控制產能,加上美國關稅政策反覆,帶動短期記憶體採購動能。
法人認為,客戶提前拉貨以應對不確定性,可能導致2025年下半年旺季不旺。
當前記憶體廠商的策略為配合客戶需求,增加美國庫存,以降低未來風險。
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矽光子技術夯!國際半導體產業協會(SEMI)矽光子產業聯盟成員越來越多,記憶體製造大廠華邦電、矽晶圓大廠合晶,也出現在企業名單之中。
華邦電表示,矽光子未來主要應用於人工智慧(AI)領域,該公司加入SEMI的產業聯盟,希望能與產業界共同研究發展矽光子技術。
合晶則由該公司副總經理吳國俊為代表,參加SEMI矽光子產業聯盟,並將擔任SOI team的小組召集人。合晶為發展SOI矽晶圓,已成立子公司,目前SOI營收約占合晶整體營收的7%~10%,應用在功率元件為主。合晶指出,SOI矽晶圓專注在功率半導體、感測元件及通訊半導體 相關應用,有機會搭上矽光子CPO成長,成為光發射器的矽晶圓基板、光接受器的矽晶圓基板。
據SEMI公布的最新會員名單,目前已有超過80家廠商加入,包括國際光纖大廠康寧(Corning)、中華精測、均豪、均華、錼創、光環、欣興、采鈺、世界先進、啟碁、臻鼎等國內外廠商加入聯盟。
聚焦HBM製程研發、製造
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台灣美光(Micron)25日舉辦台中第三辦公大樓點交暨啟用典禮,除了彰顯美光在台擴大徵才之外,也將持續在台中進行AI所需的高頻寬記憶體(HBM)製程研發及製造。
美光強調,未來將持續培育台灣半導體人才,支援最先進記憶體的生產。
美光2023年9月宣布推出HBM3E,2024年開始供應輝達;美光HBM前段在日本廣島廠生產,產能預計年底前提升至2.5萬片;長期將引入EUV製程(1γ、1δ),並建置全新無塵室。
該公司桃園Fab11廠與台中A3廠產能因應,即增加1β製程比重,預計2025年底HBM總投片量約達6萬片。
美光指出,台中第三辦公大樓是收購自優肯科技在中科后里園區的現有廠房,大樓約可容納500人左右,此次改建辦公大樓是為了提供同仁更多的辦公場所及舒適的工作環境,美光未來將持續培育台灣半導體人才,以支援最先進記憶體的生產。
台灣美光董事長盧東暉表示,美光在台灣深耕30年,對台投資總額已超過新台幣1兆元,是台灣最大的外商投資者,對美光而言,台灣是製造DRAM的重鎮、也加速技術量產。
盧東暉指出,1β製程技術的DRAM在日本量產後,轉移至台灣生產也進入量產爬坡期,可望成為2025年最先進的DRAM製程技術,此外,採用極紫外光(EUV)技術的1γ製程DRAM,也預計在2025年上半年量產,包括台中A3廠、桃園Fab11廠皆是主要生產基地。
美光成長動能聚焦在HBM製程,視台灣為主要DRAM生產據點之一,並規劃HBM市占率將在2025年拉升至少3倍。對於營運目標,擁有1.1萬名員工的台灣美光也啟動徵才行動,預計在未來的12個月之內,將在台招聘逾2,000名員工,包括台中廠、桃園廠,以及前陣子收購的友達台南廠也正展開招募。
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近期因陸方全力擴產成熟製程晶圓產能,外界對台灣成熟製程廠後市展望保守,力積電28日表示,該公司銅鑼新廠已積極進行轉型,針對大型客戶需求,力積電已導入機台建置中介層(Interposer)、3D晶圓堆疊產能,展開高毛利的3D AI代工服務,並以新廠多達每月4萬片12吋晶圓的擴產即戰力,協助國際級客戶迅速掌握AI爆發商機。
力積電董事長黃崇仁表示,面對產業結構性改變,以成熟製程為主力的晶圓代工業者須思考新的對應策略。在市場布局方面,美國政黨輪替勢必激化全球供應鏈重組,力積電過去二年成熟製程業務強化非紅色供應鏈的行銷力度已經見效,目前歐美客戶在該公司電源管理晶片(PMIC)、NOR Flash等邏輯、記憶體製程平台的新產品開發進展順利,其中新款PMIC已經達到每月量產千片水準,伴隨下游AI伺服器的出貨揚升,該公司PMIC代工業務明年可望在新客戶切入AI新應用市場的帶動之下,獲得顯著的成長。
黃崇仁進一步透露,因應全球成熟製程代工價格競爭的長期趨勢,力積電銅鑼新廠決定將營運重心轉向發展中介層和晶圓堆疊製程技術的3D AI代工平台,經過與潛在客戶長期合作開發,目前該公司的高容值中介層已獲得客戶認證並開始小量出貨,為因應未來市場需求,銅鑼廠透過與力積電新竹廠區成熟製程生產線的聯合調度,已完成月產數千片中介層的產能配置。
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力積電與日本SBI控股會社於日本合作設立十二吋晶圓廠計畫破局,力積電董事長黃崇仁表示,事件真正原因是「日本政府要求力積電做出非常大的承諾,我們承擔不起,我根本做不到、也不能做」。
黃崇仁昨天主持法說會,特別針對終止與SBI合作提出說明。他說,與SBI簽署合作備忘錄後的一年間,均未看到SBI提出財務規畫,經三次請益日本經濟產業省,得知申請補助必須以力積電名義且在量產後保證營運十年,而所獲的一千四百億日圓補助款將全落入力積電無法掌控的公司,這樣的保證將讓力積電背負重大責任,與當初力積電以技術授權協助建廠的宗旨悖離,且牽連後續法律、經理人責任、甚至力積電在台灣的聯貸案甚大,因此董事會決議終止。
黃崇仁昨神情落莫地進入法說會會場,和去年六月與SBI在日本宣布合作設立晶圓廠回台舉行記者會時,興奮地宣布力積電啟動Fab IP新營運模式,判若兩人。
對於原本被視為台日半導體合作重要指標案告吹,SBI控股社長北尾吉孝日前甚至透過臉書指控黃崇仁毫無誠信可言,黃崇仁說,「這件事我已不想再得罪人」,但他話鋒一轉,表示「日本政府要求力積電做出非常大的承諾,我們承擔不起,我根本做不到、也不能做」。
黃崇仁說,力積電的海外發展策略主軸是收費協助建廠、技術移轉和人才培訓的Fab IP模式,但在SBI力邀下,他當時即表達願從這案子收取的服務費、技轉金等提出一部分,以占有少數股權的方式參與投資日本晶圓廠。在北尾吉孝遊說下,日本經產省去年即表達對此建廠計畫的政策支持,力積電也協助SBI選定宮城縣仙台市附近的建廠用地。
黃崇仁透露,隨整個評估作業的深入並參考國內友廠在日本的經驗,力積電發現當地的建廠、營運成本比台灣高出四倍,以成熟製程為主力的新廠雖獲日本政府補助,未來營運壓力還是很大。因此,力積電清楚告知SBI市場實況,並多次要求SBI提出籌資、行銷等營運計畫,以進行投資評估。但截至今年七月,SBI始終沒有拿出相關計畫文件供力積電評估。
此外,去年就向日本政府申請補貼的SBI直到今年一月十八日才告知力積電,政策要求新廠必須連續量產十年以上。黃崇仁指出,為求慎重,力積電主管三度到東京,與經產省主管官員確認補貼政策及責任歸屬,日本官員說明金融背景的SBI沒有半導體營運經驗,必須由力積電保證日本新廠連續十年量產。後經徵詢會計師與律師相關責任歸屬,牽連後續法律、經理人責任、甚至力積電在台灣的聯貸案甚大,因此董事會決議終止。
黃崇仁指出,台日合作破局是個雙方都不樂見的結果,但經營企業本來就是要面對變化和挑戰,力積電珍視與SBI共同合作的經驗,買賣不成仁義在,他只是基於經營企業的誠信和維護股東權益的責任,做該做的事。
【2024-10-23/聯合報/A8版/財經要聞】
助塔塔集團建12吋廠,並與矽谷新創洽談合作;WoW技術提供更具性價比的AI晶片
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晶圓代工廠力積電(6770)擴增海外市場,積極參與各項海外展覽,力積電副總顧峻表示,自從與塔塔集團合作之後,陸續打開市場能見度,其中,已與矽谷新創公司洽談,未來將有機會展開合作。力積電透露,相較純晶圓代工廠,力積電具備DRAM技術,可透過Wafer on Wafer(WoW晶圓堆疊)技術,並以TSV(矽穿孔)達成異質整合,提供更具性價比之AI晶片解決方案。
身為塔塔集團合作夥伴,力積電協助打造全印度首座12吋晶圓廠,將於今年內動工。印度最大集團加持下,於北美市場力積電能見度逐漸提高,顧峻指出,在矽谷地區,印度裔工程師很多,雙方互相加持之下、信任度提升不少;其中,新創公司因資金有限,從成熟製程開始切入,更有利於公司發展長遠規劃。
此外,塔塔集團觸角跨至各行各業,並為唯一被蘋果列入供應商名單之印度本土公司、塔塔汽車更為當地最大廠,掌握上游晶圓代工,進一步壓低成本,與力積電集團共創雙贏。
而WoW為力積電攜手矽智財公司愛普(6531)共同開發,多層堆疊為未來技術趨勢,提供具備價格優勢之AI晶片,為力積電爭取更多價格敏感客戶。力積電分析,目前產能皆已備妥、技術漸臻成熟,參展各項半導體展會,將有助於提升市場能見度。
與國際級公司聯手,是現階段成熟晶圓代工廠達成海外布局之方式,以聯電集團為例,即與英特爾攜手合作,將協助位於美國亞利桑那州之Intel Fab12、22和32廠進行開發和製造;知情人士透露,主要是要以現有設備導入聯電製程,雙方仍有待磨合。
展望後市,法人認為力積電營運將有望逐步復甦,因消費性與運算需求復甦略優於預期,相關產品包括OLED Driver IC, ISP、Wi-Fi SOC等, 電腦、消費和通信領域的庫存狀況改善到更健康的水準,下半年成熟製程產品需求將緩步回溫,預估產能利用率也會逐步恢復至7成到8成。
記憶體價格持續向上,伺服器、手機、筆電等相關出貨都成長,下半年業績將逐季好轉
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南亞科29日舉行股東常會,董事長吳嘉昭及總經理李培瑛雙雙按讚AI應用,將帶動記憶體容量大增,將帶動產業市況及南亞科業績逐季好轉。
吳嘉昭在致詞時指出,2023年的DRAM市場,因全球經濟景氣循環、地緣政治、中美貿易衝突等影響,短期間成長受阻,但DRAM是人類進入智慧世代,使所有電子產品智慧化的關鍵零組件,隨著5G及AI的發展,將持續帶動DRAM的增長。
他預期,2024年DRAM出貨到伺服器、手機與筆電等終端應用市場,都將呈現成長。
李培瑛在股東會後受訪時則表示,生成式AI帶動高頻寬記憶體(HBM)高速成長,三星、SK海力士及美光三大原廠,集中資源轉進HBM領域,但因HBM良率不高,排擠到一般型DRAM產能。
因此,在DRAM供給有限,市場需求回溫下,帶動DRAM價格,自2023年第四季起持續往上,記憶體整體產業往正面發展,李培瑛樂觀看待南亞科2024下半年業績將會逐季改善。
南亞科2024年的重點,是陸續推出以10奈米第二世代(1B)製程技術,量產的三顆新產品,目前正在試產,以擴大產品線、貢獻營收。
■高容量模組 瞄準伺服器需求
另設計開發中的則有四顆產品,包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5及4Gb DDR3,將逐步進入試產。
此外,2024年南亞科將同步開發矽穿孔(TSV)製程技術,未來結合DDR5微縮版與TSV製程,做成高容量DRAM模組,以供應伺服器市場需求。
而使用10奈米第三世代(1C)製程技術的第一顆產品16Gb DDR5,預計在2024年底完成設計,2025年初進入試產,南亞科新品將密集上市,迎來AI新商機。
南亞科另與比利時研發中心(IMEC)合作開發極紫外光(EUV)製程,為更先進的製程預做準備。
惟4月3日台灣發生七級大地震,扣除保險後,南亞科仍受到晶圓報廢、設備維修及停產等造成額外費用的影響,預期第二季財務績效仍有壓力,本業在第三季較有機會獲利。