報導記者／顏瑞田

高雄報導
　國立中山大學晶體研究中心率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材，今年7月起技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂5年5千萬元技術移轉案，助攻台灣次世代半導體材料優勢。
　中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇19日指出，研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業，除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級，今年7月起更技轉台灣應用晶體集團。第三類（次世代）半導體材料碳化矽（SiC）具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性，但晶體生長的技術門檻高。
　周明奇強調，碳化矽晶體是國家重要戰略物資，可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域，中山大學團隊創全國學研單位之先，已取得晶體生長關鍵突破，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。而除了第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢，中山大學同步研發第四類半導體氧化鎵（Ga2O3）的單晶塊材（Bulk Crystal）。
　周明奇表示，中山大學團隊攜手台灣企業共同創新，例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100％MIT，長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造，坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔熱材料更有賴高雄在地企業的應援。他說，特別感謝包括中鋼與中碳的專業支援，提供許多協助。