【台北報導】
生產錳鋅╱鎳鋅軟性鐵氧磁鐵芯及碳化矽粉體的越峰(8121)昨(22)日召開法說會,總經理吳文豪表示,全力衝刺第三類半導體,碳化矽於營收占比從2021年的1.7%。
今年前三季已增至12.3%,且因應市場和客戶需求,明年碳化矽(SiC)粉體產能將擴增一倍。
吳文豪指出,研究單位估Power碳化矽市場,2022年至2028年複合成長率高達31%,其中有七成應用於電動車,雖然目前全球總體經濟不佳,需求復甦不如預期,但許多國家訂出停售燃油車時間表,電動車成長勢在必行,將推升碳化矽增長。
吳文豪強調,越峰是做最上游碳化矽長晶用的原粉,愈往上游,成長比例相對較高,因此越峰的成長率會高於產業平均。公司從發展碳化矽到現在,每年都以倍增的數量成長,占比跟銷售都顯著攀升,目前都是全產全銷。
【2023-11-23/經濟日報/C4版/上市櫃公司】
【台中報導】
功率導線架大廠順德工業(2351)董事長陳朝雄宣示,因應汽車電子化及能源轉型趨勢,順德將全力布局第三類碳化矽(SiC)等新產品,為營運再添新動能。
受惠汽車電子化趨勢,將帶動導線架需求,順德與國際IDM大廠緊密合作,在大電流╱高壓的產品中多為獨家供應,加上新產品碳化矽(SiC)逆變器、irectFET、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)等,今年出貨量保持成長態勢。
目前,順德手上握有逾百款新開發案,並掌握Infineon、STM、OnSemi、Rohm等IDM大廠訂單,應用別涵蓋BMS(車用電池管理系統)、電動車逆變器、第三代半導體、充電樁、風力發電等。
據了解,去年順德新品貢獻營收約3億元,法人推估,今年可望成長到逾6億元以上,大增逾一倍。而碳化矽相關產品今年占電子產品的營收比重約8%,明年預估可成長四成以上,營收占比將倍增至15%以上。
陳朝雄說,順德最初以生產文具起家,如今已成為全球導線架前五大供應商之一,全球導線架市場市占率約一成,功率導線架全球市占率達16.9%,位居全球第一。
【2023-11-13/經濟日報/C2版/市場脈動】
看好汽車、工業、綠能產業帶動需求 明年推碳化矽新品 相關產能將倍增
【台北報導】
晶圓代工廠漢磊(3707)與旗下磊晶廠嘉晶昨(21)日舉行聯合法說會,強調集團全力衝刺第三代半導體事業。漢磊總經理劉燦文並透露,明年首季將推出第三代碳化矽(SiC)產品,可優化產能效率三成,並持續擴產,預期明年碳化矽產能將較今年倍增,2025年會是今年的三倍。
展望後市,劉燦文坦言,目前整體經濟情況不夠明確,下半年至明年初能見度不佳,客戶對明年首季仍保守,不過,客戶普遍預期明年會是復甦的一年,對明年第2季起需求相對樂觀,尤其綠能、車用需求較強勁。
漢磊看好汽車、工業和綠色能源產業需求成長確立,進而帶動碳化矽產品需求上揚。針對產能規劃,公司透露,目前碳化矽產能利用率大於90%,明年產能會是今年的一倍,2025年將達今年三倍,並且會從現有矽基產線轉換成碳化矽,待新設備到位後、產能將陸續轉換。
漢磊董座徐建華強調,漢磊集團擁有三大優勢,首先是技術發展早,在Planar MOS製程不斷進步下,成本持續降低、間距也縮小;其次是累積眾多的製程經驗,在生產碳化矽與氮化鎵(GaN)的周期、效率等方面都具有競爭力,最後則是客戶組合,現階段的客戶除了IC設計外,也強化IDM廠。
嘉晶總經理孫慶宗指出,已有客戶打入AI供應鏈,預期今年化合物半導體業務維持成長,8吋氮化鎵磊晶片開發及客戶驗證進展順利,6吋碳化矽擴產進度符合目標,營收將隨產能增加而成長。
【2023-09-22/經濟日報/C1版/證券產業】
【台北報導】
碩禾太陽能本業轉強之際,強化投資半導體事業也逐步開花結果,旗下興櫃業者華旭矽材(6682)積極搶攻碳化矽(SiC)相關商機。身兼華旭董事長的碩禾總經理黃文瑞昨(4)日表示,期盼華旭矽材明年首季轉為獲利,並申請於創新板上市掛牌。
華旭目前資本額12.19億元,碩禾持股約34%,是最大股東。華旭前七月合併營收為2.66億元,年減76.4%,上半年每股淨損1.52元。該公司現階段有四大產品線,包括多晶矽輔料、鑽石線、碳化矽基板與碳化矽磊晶,另外還有6吋與8吋再生晶圓業務。
華旭指出,目前多晶矽是其最大營收項目,碳化矽與再生晶圓相關合計約占一成多,預期明年碳化矽業績將躍升,屆時相關營收比重可能衝上五成。
華旭積極布局碳化矽版圖,其取得中國大陸供應商的碳化矽晶球,今年第1季已開始量產6吋碳化矽基板,並投資上億元從德國引進碳化矽磊晶設備,本月試產,預計10月開始投產。
華旭碳化矽基板與磊晶,主攻電動車充電器、充電樁與太陽能逆變器等應用,也可應用於高功率的家電產品。
【2023-09-05/經濟日報/C3版/市場焦點】
旗下積亞建構碳化矽相關產線 明年Q3量產 產能已預購一空
【台北報導】
台亞(2340)集團第三代半導體布局報捷,旗下6吋碳化矽(SiC)初期月產能規劃3,000片,並將逐步拉升至5,000至7,000片,產能建置中客戶就已提前上門預訂,產能搶購一空,每片售價為1萬美元(近新台幣32萬元),貢獻業績相當可觀。
業界分析,台亞目前單月營收落在2億元至4億元左右,以台亞集團碳化矽產品每片售價1萬美元、初期月產能3,000片計算,相關業務初期將可挹注逾新台幣9億元營收,後續產能持續擴增,營運吞大補丸。
台亞透過子公司積亞半導體建構碳化矽相關產線,積亞昨(15)日舉行力行一廠無塵室暨機台搬入典禮,象徵台亞集團在第三代半導體事業再跨一大步。
積亞總經理王培仁透露,碳化矽生產線機台搬入後,預計以四個月進行機台安裝,明年初試產、第2季底完成產品驗證、第3季量產,2025年月產能可達3,000片6吋晶圓,2026年將將月產能拉升至5,000片,之後再朝7,000片邁進。
台亞大股東為日商日亞化。日亞化常務取締役戴圳家昨天也出席典禮,他透露,碳化矽生產線良率以95%為目標,在月產能快到達5,000片時,就會朝擴增至7,000片邁進。由於前段機台已經具備好了,只需要購置後面積台就可以擴增產能。戴圳家強調,客戶都在等待產品量產,「這是賣方市場」。
王培仁說,積亞初期生產的碳化矽元件主要聚焦製造基本家電、雲端伺服器電源供應器、太陽光電逆變器等相關功率元件市場,中長期目標取得車用認證,並進入車載充電器、車用逆變器等車載元件市場,躋身國際電動車供應鏈。
談到台亞本身營運動態,台亞總經理衣冠君說,今年以來按部就班調整,現在看來第3季業績一定會比第2季好,即便市場外部雜音很多,台亞持續導入新產品,讓自身保持成長。
另一方面,衣冠君認為在穿戴式應用進入換季後,新產品也會逐漸導入,有望增添營運動能。除了碳化矽和氮化鎵外,台亞在矽功率半導體上有開發新產品,可望今年第4季貢獻營收。
業界透露,關於台亞的美系大客戶,於穿戴產品業務,不僅第4季會小量生產,同時和客戶開發各種新產品,當前已經進行部分的驗證。
【2023-08-16/經濟日報/C3版/市場焦點】
高雄報導
國立中山大學晶體研究中心率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材,今年7月起技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團,簽訂5年5千萬元技術移轉案,助攻台灣次世代半導體材料優勢。
中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇19日指出,研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業,除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級,今年7月起更技轉台灣應用晶體集團。第三類(次世代)半導體材料碳化矽(SiC)具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性,但晶體生長的技術門檻高。
周明奇強調,碳化矽晶體是國家重要戰略物資,可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域,中山大學團隊創全國學研單位之先,已取得晶體生長關鍵突破,成功生長6吋導電型(n-type)4H碳化矽單晶,並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。而除了第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢,中山大學同步研發第四類半導體氧化鎵(Ga2O3)的單晶塊材(Bulk Crystal)。
周明奇表示,中山大學團隊攜手台灣企業共同創新,例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100%MIT,長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造,坩堝(存放碳化矽原物料的容器)及石墨等隔熱材料更有賴高雄在地企業的應援。他說,特別感謝包括中鋼與中碳的專業支援,提供許多協助。
董座徐建華:擴大GaN及SiC第三代半導體營業規模;訂單看到明年上半年
台北報導
晶圓代工廠漢磊(3707)及轉投資磊晶廠嘉晶(3016)積極擴建氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代寬能隙半導體產能,在手訂單能見度已看到明年上半年。
漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示,漢磊是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠,嘉晶是台灣唯一擁有GaN及SiC量產磊晶供應商,今年將積極擴大產能以迎接產業爆發性成長商機。
漢磊及嘉晶受惠於國際IDM大廠擴大委外,加上今年價格再度調漲,4月營收同創歷史新高,第二季維持樂觀展望。漢磊4月合併營收月增0.4%達7.38億元,較去年同期成長29.8%,累計前四個月合併營收28.45億元,較去年同期成長29.8%。嘉晶公告4月合併營收月增0.7%達5.06億元,較去年同期成長28.0%,累計前四個月合併營收19.79億元,較去年同期成長31.0%。
漢磊及嘉晶在致股東營運報告書中,說明將全力擴大布局GaN及SiC等第三代半導體相關產品的營業規模,以掌握半導體綠能及車用市場領域商機。徐建華在報告書中指出,漢磊去年營運轉型成功,全年度轉虧為盈,今年將在此基礎上持續強化營運效率及導入高附加價值產品線,投資重點鎖定在進入爆發成長的第三代半導體。
漢磊因IDM廠擴大下單包產能,功率半導體晶圓代工產線滿載到年底,包括GaN及SiC晶圓代工訂單能見度更已看到明年上半年。漢磊4吋及6吋SiC晶圓代工均已量產,合計月產能達1,000片6吋約當晶圓,今年將以6吋為擴產重點項目,希望今年內可擴增一倍至2,000片。至於6吋GaN晶圓代工接單滿載,月產能將在今年增加一倍至2,000片。
嘉晶4~8吋磊晶矽晶圓月產能合計40萬片,在供不應求情況下價格將逐季調漲。嘉晶去年底GaN磊晶片月產能約2,000片,SiC磊晶片月產能約600片,而嘉晶將投入4,000~5,000萬美元擴產,2~3年內SiC磊晶片產能要增加7~8倍,GaN磊晶片產能要增加2~2.5倍。
徐建華表示,漢磊6吋SiC產線將快速進入量產並擴大產能,並且是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠,在全球客源開發上占有極佳優勢,並持續擴大車用領域布局。嘉晶在化合物半導體相關應用深耕多年,是目前國內唯一一家擁有SiC與GaN量產的磊晶供應商。漢磊及嘉晶將積極擴產以迎接產業爆發性成長商機,期許未來幾年營運持續成長。
打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈,訂單能見度看到下半年
台北報導
隨著電動車及再生能源等新應用開始大量導入寬能隙(WBG)半導體技術,在第三代寬能隙半導體材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)布局逾10年的漢磊(3707)及轉投資矽晶圓廠嘉晶(3016),已成功打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈,且訂單能見度已看到下半年。
法人看好漢磊及嘉晶今年營收續創歷史新高,年度獲利將較去年倍數成長。
漢磊因晶圓代工產能全線滿載,同時順利調漲價格,去年第四季合併營收年增29.6%達19.68億元,去年合併營收年增26.6%達72.69億元,季度及年度營收同創歷史新高。嘉晶受惠於磊晶矽晶圓出貨暢旺且價格調漲,去年第四季合併營收年增29.9%達13.46億元,為季度營收歷史次高,去年合併營收50.43億元,較前年成長24.9%並創下新高紀錄。
漢磊2008年就已展開第三代半導體技術研發及建構生產鏈,隨著電動車及太陽能再生能源自2020年後開始導入GaN及SiC元件,營收進入高速成長階段,加上6吋晶圓代工接單滿載及磊晶出貨暢旺,2021年可望順利由虧轉盈。而隨著中國官方積極扶植第三代半導體產業,電動車及太陽能系統加快導入GaN及SiC元件,漢磊及嘉晶在手訂單能見度已看到下半年。
漢磊及嘉晶去年成功打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈,合計將投入約1.2~1.5億美元積極擴產以因應市場強勁需求。漢磊去年6吋GaN及SiC晶圓代工月產能各約1,000片,今年月產能預估將倍增,其中,漢磊6吋SiC產能已獲15家客戶採用,完成逾50款晶片設計定案,預計2年內將把月產能擴增到5,000片以上,同時已啟動8吋SiC製程研發。
至於嘉晶將以擴大投資建置新產能方式,擴大SiC及GaN基板產能,目標是將SiC基板產能擴增7~8倍,GaN基板產能擴增2~2.5倍,預期今年產能逐步開出後,第三代半導體相關營收貢獻可望較去年同期增加五成以上。
雖然第三代半導體市場仍在成長初期階段,而且電動車及再生能源系統的認證期較長,但漢磊及嘉晶較競爭同業提早投入,且布局時間逾10年,先期投入市場的領先優勢可望帶來更多訂單。法人對漢磊及嘉晶今年營運抱持樂觀看法,預估年度營收及獲利可望續締新猷。
大秀氮化鎵、碳化矽、砷化鎵應用,提供5G、電動車、能源管理關鍵技術
台北報導
由國際半導體產業協會(SEMI)主辦的台灣國際半導體展(SEMICON Taiwan)28日登場,共涵蓋逾2,150個展位,其中化合物半導體特展更為全台規模最大,攤位數量相較去年成長11%。
SEMI表示,透過完整展示氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)創新材料應用,化合物半導體特展提供全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術最佳平台。
半導體展開幕首日舉辦「SEMI Talks領袖對談」,邀請聯穎光電、GaN Systems、聯電、漢磊等業者,針對台灣在寬能隙化合物半導體的競爭優勢提出看法。
SEMI表示,在新興應用科技快速普及的驅動下,功率暨化合物半導體需求蓬勃發展,各國也將其視為國家戰略重點。自2017年起,SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求,透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會,進一步強化整體產業鏈生態系統,促進合作並且引進優秀技術人才,全方位推動台灣產業布局。
SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出,全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下,近幾年呈現快速擴張,相關投資將在2021年增長約20%至70億美元並創歷史新高,2022年也預計將再增長至約85億美元。
在此態勢之下,SEMI也將持續串聯產、官、學、研界,透過建立溝通平台推動跨區域資源媒合,期盼台灣繼矽基礎晶圓領先全球後,化合物半導體領域也能再次成為世界焦點。
聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示,過去幾十年來,矽一直是首選的半導體材料。但隨著新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高,SiC和GaN等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角,在此主流發展趨勢下,相關商機備受期待。
聯電協理鄭子銘表示,台灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係,故相當具有優勢。在技術方面,聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程,鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件,全方位鎖定最新市場商機。
漢磊副總張載良指出,寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一,漢磊看好未來寬能隙半導體市場,積極投入SiC、GaN等材料製程技術開發,更具備4吋、6吋SiC及6吋GaN技術能量。展望未來,將繼續推動台灣寬能隙製造市場發展,鞏固如在矽半導體產業的優勢。