報導記者／李娟萍

台北報導
　全球AI伺服器與高效能運算（HPC）持續推升晶片功耗，散熱挑戰日益嚴峻，碳化矽（SiC）材料在先進封裝的應用成為產業新焦點。
　法人指出，現階段業界聚焦於SiC載板／導熱介面材料（carrier／TIM）的開發，為下一世代GPU的散熱方案打下基礎，環球晶有望成為供應鏈要角。
　目前輝達（NVIDIA）Blackwell GPU仍採石墨TIM，下一代Rubin GPU也預期延用石墨，但業界已積極研發金屬銦、液態金屬及SiC等新型材料，以因應AI GPU功耗不斷攀升。
　SiC carrier／TIM若採多晶方案，並使用6吋或8吋基板，製造難度相對較低，但法人認為，短期內（一至二年）難以量產，僅可能在Rubin Ultra GPU進行小量測試，真正導入量產，最快也要等到下一代Feynman GPU。
　在製造流程上，SiC carrier需經長晶至晶棒、切片、研磨、拋光等製程，並搭配專用封裝設備。
　法人分析，目前12吋SiC長晶爐、雷射切割與研磨技術仍在開發中，且難以完全避開中國大陸供應鏈，製程成熟度仍待突破。
　環球晶先前在SEMICON Taiwan會中指出，已開發出12吋單晶與多晶SiC原型晶圓，並同時布局SiC中介層（interposer）與SiC carrier。
　據業界人士指出，該項技術並非如原先傳聞，以鍍膜的方式呈現，技術概念其實與carrier wafer放入製程中雷同，主要原因是鍍膜的方式，散熱性能相對不佳，直接以一片SiC carrier貼合導熱最佳。
　而在導電部分，仍以傳統矽中介層（silicon interposer）運作，因此，未來將在製程中，新增一片SiC carrier，以增加熱導性，讓AI GPU性能再度提升。
　法人分析，環球晶憑藉晶圓切割研磨（wafering）實力與長期客戶關係，可望在此一市場中取得領先。
　惟資本市場已率先反映相關題材。觀察環球晶股價表現，自9月8日以來環球晶股價累計上漲逾3成，遠超過大盤5％的漲幅。法人認為，此波漲勢主要來自市場對先進封裝SiC應用的期待，以及NAND與傳統DRAM需求復甦。