報導記者／李孟珊

預期相關產能將增三至四倍 躍AI電力革命贏家
【台北報導】
美國第三代半導體大廠納微半導體（Navitas）與輝達攜手開發下一代AI伺服器電源架構進展順利，納微股價10日勁揚22%，作為納微氮化鎵（GaN）晶片代工夥伴的力積電（6770）直言，氮化鎵業務需求強勁，明年將大幅擴充相關產能三至四倍。業界看好，力積電將成為AI電力革命的台廠大贏家之一。

法人看好，隨著力積電隨納微氮化鎵產品代工進入量產，將有效提升產品組合毛利率，並進一步打開高毛利AI電源管理市場，若首批氮化鎵產品本季完成認證並於2026上半年量產，力積電將從「成熟製程代工廠」正式邁向AI電力晶片關鍵供應鏈，與輝達生態系建立更深層連結。

輝達近年積極推動AI資料中心能源架構轉型，導入800V高壓直流（HVDC）輸電系統，取代傳統54V配電設計，此舉可讓資料中心整體電源效率提升約5%，銅材使用量減少45%，並將伺服器電源供應器故障率大幅降低至原本的三成。

業界指出，這項技術升級的關鍵正是納微的GaNFast氮化鎵與GeneSiC碳化矽技術，能在高壓環境下保持低損耗與高穩定性，滿足兆瓦級AI工廠的能源輸送需求。

納微過去委由台積電代工氮化鎵晶片，隨台積電逐步淡出第三代半導體業務，納微今年7月起改找力積電台灣廠區代工，使得力積電搖身一變，成為輝達電力革命的「隱藏版供應鏈贏家」。力積電強調，與納微合作多時，目前氮化鎵專案進展順利，高電壓應用將成為旗下8吋廠未來重點業務之一。

力積電透露，已投入氮化鎵開發二至三年，與納微的基礎開發有明確方向，為因應客戶龐大需求，力積電已有相應資本支出規劃，明年將擴大氮化鎵產能，預估將比現在大三至四倍，並持續強化產能與技術布局，以支援客戶快速成長。

業界分析，AI運算功率快速飆升，使得資料中心能耗達兆瓦等級，傳統矽基電源轉換技術難以支撐。氮化鎵與碳化矽以高耐壓、高頻、高效率特性，成為AI與新能源基礎設施的理想方案。輝達藉由納微技術推動800V HVDC架構，已引爆上游第三代半導體供應鏈投資潮。

【2025-11-12/經濟日報/C3版/市場焦點】