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非揮發性記憶體大廠旺宏（2337）24日召開法人說明會，受惠於大客戶任天堂擴大拉貨，加上進入傳統銷售旺季，單季合併營收119.06億元創下歷史新高，歸屬母公司稅後淨利18.53億元，較第二季大增逾六倍，每股淨利1.01元，優於市場預期。旺宏第四季營收將維持平穩，但記憶體價格止跌回穩，庫存跌價損失明顯減少，法人預期毛利率可望維持高檔。
旺宏第三季合併營收季增59.2％達119.06億元，與去年同期相較成長18.7％，並創季度營收歷史新高，平均毛利率季增3.2個百分點達30.0％，營業利益季增逾2.7倍達17.78億元，較去年同期小幅增加0.9％，歸屬母公司稅後淨利18.53億元，較第二季大增逾六倍，與去年同期相較小幅下滑3.3％，每股淨利1.01元，優於市場預期。
旺宏第三季營收創高，主要是受惠於大客戶任天堂提前拉貨。旺宏第三季唯讀記憶體（ROM）業績季增177％，營收占比提升至51％，成為最大產品線。包括NOR及NAND的快閃記憶體業績季增約12％，晶圓代工業績季增10％。
旺宏董事長吳敏求表示，因任天堂出貨策略改變，部分10月訂單提前於9月出貨，將影響第四季ROM銷售較第三季減少，不過NOR Flash及SLC NAND需求好轉，看好NOR Flash價格止跌持穩，SLC NAND持平或微跌。
旺宏19奈米SLC NAND已於第三季末正式量產，目前月產能約達1.2萬片，第一批產品已供貨美國機上盒大客戶。吳敏求表示，19奈米SLC NAND出貨順利，且客戶反應佳，試樣訂單量也很多，對明年19奈米出貨非常有信心。至於192層3D NAND仍在研發階段，預計2021年底可進入量產。
對於明年展望部分，吳敏求表示，受到美中貿易戰等不確定性因素影響，對明年展望難以預估，但相信旺宏的19奈米SLC NAND將對明年市場帶來一定的影響力，對營運會有相當大的貢獻。SLC NAND短期應用主要為機上盒等消費性市場，之後可望推展至車用資訊娛樂系統等不同領域。

月增34％衝上50.8億，Q3營收也同步刷新紀錄達119.07億

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記憶體大廠旺宏（2337）受惠於大客戶任天堂擴大唯讀記憶體（ROM）及快閃記憶體拉貨，加上NOR/NAND Flash價格止跌且進入出貨旺季，帶動9月合併營收衝上50.80億元，第三季合併營收達119.07億元，同步改寫單月及單季營收歷史新高，優於市場預期。
旺宏公告9月合併營收月增34.0％達50.80億元，較去年同期成長35.5％，並創單月營收歷史新高。第三季合併營收衝上119.07億元改寫歷史新高，較第二季大幅成長59.2％，與去年同期相較亦明顯成長18.7％。累計今年前三季合併營收254.15億元，較去年同期減少9.1％。
旺宏9月營收明顯飆升，主要是受惠於大客戶任天堂擴大記憶體拉貨。任天堂今年下半年明顯提高Switch及Switch Lite出貨量，主要是下半年有包括寶可夢劍與盾、勇者鬥惡龍等多款重量級遊戲推出。而事實上，根據日本遊戲總合情報媒體Famitsu公布統計數據，勇者鬥惡龍XI遊戲推出，加上消費者趕在增稅前購買，9月23～29日當周Switch遊戲機在日本市場銷售量就較上周飆增87％達11萬5,732台，連續83週稱霸日本遊戲機市場。
再者，由於真無線藍牙耳機（TWS）、智慧家電、數位機上盒、4K/8K超高畫質電視等新應用，對於NOR Flash及SLC NAND等需求明顯增加，使得NOR/NAND Flash價格在第三季出現止跌。對旺宏而言，上半年已先預備好庫存，隨著出貨進入旺季，亦是推升營收創下新高的主要原因，獲利亦將看到明顯跳升。
蔡英文總統5日下午參訪旺宏，由董事長吳敏求、總經理盧志遠親自接待。吳敏求向蔡總統展示最新NOR Flash，以及在車用、5G、物聯網等領域的最新應用及技術，其中，旺宏已成功打進全球前三大車電子大廠供應鏈，獲一線車廠及車用電子廠採用，並與輝達（NVIDIA）及瑞薩（Renesas）搭配，合作搶攻先進駕駛輔助系統（ADAS）及自駕車等市場。
此外，蔡總統對於旺宏的高品質產品也印象深刻，她對於旺宏的產品退貨率從業界標準的ppm（百萬分之一）降到ppb（十億分之一）單位，而成為全球極少數能用ppb 指標衡量不良品的廠商表示相當不容易。另外，旺宏的優質專利顯示了在研發方面的堅強實力，也讓蔡總統了解台灣廠商在全球的領先地位。

星廠應用先進3D NAND製程技術，推動5G、AI關鍵技術轉型；台中廠拚年底落成
新加坡14日專電
記憶體大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規畫，並應用先進3D NAND製程技術，進一步推動5G、人工智慧（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在台灣DRAM廠投資，台中廠擴建生產線可望在年底前落成。
美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、在地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、記憶體模組廠威剛、IC基板廠景碩、記憶體封測廠力成、IC通路商文曄等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。
美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區，以及位於新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開始生產，但在技術及產能轉換調整情況下，Fab 10廠區總產能不變。
美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資，擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進製程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進入量產，第四代128層3D NAND將由浮動閘極（floating gate）轉向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵，同時進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。
美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進製程研發重心，2017年在台灣成立DRAM卓越中心，台灣成為美光最大DRAM生產重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大，台中廠區除了現有12吋廠，也將加快投資進行新廠區擴建，計畫在年底前完成，而台中廠區後段封測廠亦持續擴大產能。
隨著韓國記憶體廠三星及SK海力士開始評估在先進DRAM製程上採用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開始評估將EUV技術應用在DRAM生產的成本效益，隨著DRAM製程由1z奈米向1α、1β、1γ奈米技術推進過程，會選擇在合適製程節點採用EUV技術方案。

三星、SK海力士、美光擴大減產，法人：DRAM及NAND Flash止跌在望
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為避免記憶體價格續跌導致財報數字惡化，三星電子、SK海力士、美光科技等三大記憶體廠下半年擴大減產，業界表示，DRAM及NAND Flash市場庫存仍高，但三大廠擴大減產10～15％，再加上韓國業者後續恐因日韓貿易紛爭延燒，導致擴產受阻，可望讓記憶體市況提前在第三季觸底。
法人指出，DRAM及NAND Flash現貨價已止跌，預期合約價可望在第三季底止跌，若日本確定擴大對韓國實施半導體材料及設備的出口管制，記憶體現貨價及合約價上漲機率大增，有助於南亞科、群聯等業者下半年營運明顯優於上半年。
美光先前在法說會中已說明下半年減產計畫，包括DRAM晶圓投片維持上半年減產5％幅度，NAND Flash晶圓投片則由減產5％提升至減產10％，明年資本支出會有十分明顯的減少幅度。
SK海力士在日前法說會中亦提及，下半年會將M10廠的部份DRAM產能移轉生產CMOS影像感測器，第四季DRAM產出會減少，且直到2020年DRAM產能利用率可能持續下降，至於NAND Flash減產幅度會擴大至15％，而明年資本支出會明顯低於今年。
龍頭大廠三星雖未公開說明減產計畫，但業界預估其下半年DRAM及NAND Flash投片量應會低於上半年，至於平澤P2廠原本要在下半年展開設備投資，投資動作將延至明年才開始進行。
再者，日韓紛爭亦是記憶體下半年最大變數。日本可能在本周末將韓國移出白色國家名單，代表韓國未來要向日本採購半導體材料及設備，將面臨長達90天或更久的審核時間，這將導致韓國兩大記憶體廠下半年投片量明顯減少，擴產計畫恐怕也得持續向後遞延。
在此一情況下，包括威剛董事長陳立白、旺宏董事長吳敏求、華邦電總經理詹東義等，都認為日韓紛爭拖的愈久，對韓國記憶體廠影響愈大，對台灣記憶體廠反而是爭取市占的好機會。而法人則看好DRAM及NAND Flash合約價可望在第三季止跌，下半年進入出貨旺季，有助於營收及獲利明顯復甦。

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非揮發性記憶體大廠旺宏25日召開法人說明會，由總經理盧志遠主持。旺宏第二季營運倒吃甘蔗，歸屬母公司稅後淨利季增85.9％達2.64億元，每股淨利0.14元，優於市場預期。旺宏下半年唯讀記憶體（ROM）、NOR/NAND Flash均進入出貨旺季，法人預估第三季營收季成長率上看25～30％，獲利將較上季出現倍數成長。
旺宏第二季ROM出貨優於去年同期，但NOR/NAND Flash出貨較去年同期減少，合併營收季增24.1％達74.79億元，與去年同期相較下滑15.8％，平均毛利率季增1.4個百分點達26.8％，歸屬母公司稅後淨利季增85.9％達2.64億元，每股淨利0.14元，優於市場預期。
旺宏雖未說明第三季業績展望，但盧志遠表示，記憶體價格已回穩，第三季一向是旺宏出貨旺季，各產品線需求都會成長，在產品價格穩定及上半年認列存貨跌價損失可望回轉的情況下，對第三季營運展望樂觀。法人預期旺宏第三季營收可望較上季成長25～30％；旺宏不評論法人預估財務數字。
有關日韓紛爭是否對記憶體市場造成影響，盧志遠表示，目前消息非常混亂，不會有利空，但是否有利多也無法評論。就價格走勢來看，NAND Flash上半年跌深，近期價格已經回穩，NOR Flash產業谷底已到可望反轉，ROM業務則受惠於大客戶強勁拉貨。他說，大陸遊戲業者騰訊代理任天堂遊戲機在中國大陸市場銷售，若銷售量不錯，自然對旺宏會好。
旺宏第二季帳上存貨達188.67億元，引發法人關注，但旺宏指出，下半年旺季出貨增加，可以消化存貨至百億元的合理水位。而旺宏上半年因受到產品價格走跌影響，存貨備抵損失共20億元，下半年產品順利出貨後就可回轉，對獲利將會有明顯助益。
旺宏今年資本支出約140億元，主要用於進行製程微縮以降低單位製造成本，包括SLC NAND Flash由36奈米轉換至19奈米，每片晶圓切割出的同容量晶片可增加1倍，第三季可開始貢獻營收。NOR Flash由75奈米微縮至55奈米後，每片晶圓切割出的同容量晶片可增加50％，有助於降低成本及提振獲利。

預期韓廠將降低產能利用率，DRAM及NAND Flash平均上漲約1成；合約價也出現止跌

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日本在7月初開始管控向韓國出口3種生產半導體及面板所需關鍵材料，造成記憶體模組廠出現提高報價狀況。隨著近期日本及韓國之間協商毫無共識，日本經產省又在安全保障貿易管理中將韓國列為最不能信賴國家，日韓貿易紛爭持續惡化，在預期韓國記憶體廠恐將開始降低產能利用率情況下，DRAM及NAND Flash現貨價平均上漲約1成，部份貨源較少產品更一口氣大漲逾2成。
■南亞科、群聯等受惠
隨著DRAM及NAND Flash現貨價持續上漲，7月合約價也出現跌幅明顯縮小或持平止跌現象。由於第三季是傳統旺季，法人看好南亞科、華邦電、群聯等業者本季營收及獲利將明顯優於第二季。
日本對韓國發布關鍵面板及半導體材料限制出口禁令後，韓國記憶體大廠三星電子及SK海力士手中的光阻劑及高純度氟氫酸庫存水位急降，兩家業者雖然積極向外尋求新供應商，但至今仍無法取得足夠材料貨源。同時，韓國業者雖表示已向日本供應商海外工廠調貨，不過日本官方說明若是最終使用者是韓國業者仍受到出口禁令管制。
目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上並非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長且需確定最終使用者一定要是半導體廠，所以短期結構性供需反轉的可能性低。但業者表示，光阻劑及高純度氟氫酸保存期限短，日本將申請時間大幅拉長，且每次採購都需申請，會導致韓國業者出現材料供給缺口，造成晶圓廠產能利用率明顯下滑，將可加速DRAM及NAND Flash庫存去化速度。
因為日韓紛爭短期內無法達成共識，加上傳統出貨旺季到來，模組廠順利調漲現貨價格。根據集邦報價，8Gb DDR4現貨均價已漲至3.7美元左右，最高成交價達4.0美元，7月以來漲幅約10％，供貨較少的4Gb DDR3已漲至1.7美元，7月以來漲幅逾15％。
NAND Flash現貨價漲幅更大，因為日本東芝記憶體四日市廠區發生停電後導致第三季產出大幅減少，且智慧型手機最高搭載容量今年拉高至512GB，日韓紛爭可能導致韓系業者供應量下滑，NAND晶圓（wafer）現貨價因此大漲，512Gb TLC晶片價格漲至3.9美元，供貨量少的128Gb TLC晶片價格更大漲33％達1.6美元。
■業界預估至少漲到月底
模組業者表示，韓國三星及SK海力士的庫存已開始下滑，DRAM及NAND Flash現貨價預期至少會漲到月底，7月漲幅預估會達2～3成，若日韓紛爭延續到日本參議院大選後仍然未解，8月現貨價格續漲機率大增，合約價有機會反轉開始上漲。法人認為價格上漲有助於群聯、南亞科、華邦電等記憶體廠第三季營運表現。

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市場傳出，東芝記憶體（TMC）五座晶圓廠日前發生跳電、造成營運損失，對此與東芝密切合作的NAND Flash控制IC廠群聯（8299）對此表示，公司目前NAND Flash庫存充足，足以因應短期急單及2～3個月庫存，不會對群聯造成影響。
市場傳出，東芝記憶體於6月15日在日本三重縣四日市的五座NAND Flash晶圓廠發生跳電，對於東芝營運造成影響。至於是否會衝擊NAND Flash市場供給，扭轉市場價格，研調機構集邦科技（TrendForce）旗下記憶體儲存研究 （DRAMeXchange）認為，目前市場供過於求，因此對市場的直接衝擊有限。
群聯表示，公司對於未經未經官方證實之新聞不予置評，且群聯除了與群聯合作之外，還有與威騰（WD）、SK海力士及英特爾等均有長期合作協議，除了定期採購NAND Flash之外，分散並分別與各大記憶體廠採購以降低對單一供應商的依賴，做好供應商風險管理，亦是公司長期及彈性策略，故任一供應商在供貨上的調整，對於本公司取得足夠快閃記憶體供應量並無任何影響。
群聯指出，為迎接下半年的開學出貨旺季，本公司目前帳上NAND Flash庫存數量充足，足以因應急單及約2～3個月的的生產接單需求，短期NAND Flash供貨數量之變化對群聯之業務也不會有任何影響。
群聯表示，即便有任何非可歸責於東芝記憶體之因素造成短時間之供貨緊張，也相信在最短的時間內，東芝記憶體將會做完詳細的調查，並盡速恢復正常生產。
事實上，目前NAND Flash市場價格仍供過於求，各大模組廠庫存仍相當充足，且東芝記憶體僅是發生跳電，影響晶圓影響數量僅屬少數，因此對於整體NAND Flash供給影響有限。

董座吳敏求樂觀，出貨旺季、大客戶訂單遠勝去年
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非揮發性記憶體大廠旺宏（2337）18日召開股東常會，決議通過每普通股配發1.2元現金股利，並完成董事改選。旺宏董事長吳敏求表示，雖然美中貿易戰影響終端需求，但下半年營運仍會比上半年好，大客戶今年提前拉貨，訂單量較去年多且下半年會是出貨旺季。至於美國對中國商品祭出高關稅，不會影響美國消費力，對台廠亦相對有利。
吳敏求表示，由於市場太多不確定性因素，客戶短單與急單較多，下半年會如何現在還很難預測。所幸近期大客戶訂單狀況超乎原先預期，而且5月營收27.23億元已經開始反應，整體而言，大客戶對今年的訂單預估量比去年多很多，下半年會進入出貨旺季，所以維持下半年營運優於上半年看法，但成長幅度仍待觀察。
吳敏求表示，去年旺宏營運成果表現亮眼，全年營收創下歷史新高，雖然全球記憶體市場受到美中貿易談判等不確定因素影響，整體需求趨緩，致有供過於求的跌價壓力，但旺宏因高品質及可信賴的服務，價格維持穩定，且去年在車用、工業、醫療、航太等應用領域NOR Flash營收占比亦增加到26％，今年希望可以超過3成。此外，旺宏與東芝間各自約30項專利爭議和解，證實旺宏的研發、矽智財、及國際談判與訴訟實力，有助於旺宏長期發展。
吳敏求表示，研發創新是旺宏永續經營的根基，去年投入研發費用約占全年營收11％，並透過與國際科技大廠長期策略合作，共同開發記憶體先進技術。至去年底為止已累計擁有全球7,640件專利，豐碩的研發成果與堅強的矽智財後盾持續強化旺宏價值，是為股東創造更高報酬的重要關鍵。
旺宏64Gb以上容量占去年第四季唯讀記憶體（ROM）營收72％，75奈米以下製程占NOR Flash營收比重達63％，其中256Mb以上高密度營收占比增加至25％，市占率已領先全球，且製程技術朝向55奈米推進。在NAND Flash方面，旺宏將把12吋廠製程由36奈米全數提升至19奈米，SLC NAND已送樣並可望在第四季出貨，大客戶任天堂也會採用，並展開3D NAND研發計畫。
吳敏求表示，有鑒於半導體屬高度資本及技術密集產業，旺宏必須不斷提升產能及製程技術，以降低生產成本、維持產品競爭力，去年第四季董事會通過142.03億元資本支出，除為提升12吋晶圓廠高階製程產能，透過高階製程產品量產創造更高的營收及獲利外，也投入3D NAND研發計畫，致力開發96層製程技術與產品。

董座吳嘉昭：今年Q1對華為出貨已減少，在法律許可範圍會支持每一家客戶

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DRAM大廠南亞科（2408）30日舉行股東常會，決議通過每普通股配發約7.15元現金股利。南亞科董事長吳嘉昭在回應小股東問及美中貿易戰看法時表示，美中貿易戰主要是科技戰，國際大廠封殺華為，斷鏈危機不能小看。
吳嘉昭表示，南亞科去年對華為出貨較多，今年第一季已減少，在法律許可範圍會支持每一家客戶。至於南亞科第二季營運持穩，第三季有電子旺季效益，下半年營運會好轉。
南亞科總經理李培瑛針對華為事件進一步說明，重申基於尊重法律及尊重客戶與自家的營業秘密，不方便針對單一客戶的營業資訊，但會在法律許可範圍內盡力符合客戶需求。華為的確是南亞科客戶，對華為第一季的供貨量占南亞科單季出貨的3％左右，對南亞科而言，對占比在3～5％的單一客戶來看，產能及出貨很容易調配，對南亞科影響有限。
南亞科股東常會承認去年財報，合併營收達847.22億元創下歷史新高，歸屬母公司稅後淨利達393.62億元，每股淨利12.80元。股東常會決議通過現金股利總額217億元，因員工執認股權憑證導致參加分派股數增加，調整後每普通股配發現金股利約7.15344156元，以30日收盤價60元計算，現金殖利率高達12％。南亞科預計7月4日為除息交易日，7月10日為除息基準日，現金股利將於7月26日發放。
吳嘉昭表示，預估在DRAM製造端調整產能增加幅度後，今年全球DRAM產出年增率約21％，而整體位元產出到位的時間點在今年第一季，加上庫存調整需要時間，上半年DRAM產業會處於逆風期，下半年則有賴DRAM終端需求的成長，隨著美中貿易紛爭、供應鏈庫存調整、英特爾CPU供貨充足等外部因素獲得解決，DRAM市況可望獲得改善。
南亞科公告4月合併營收月增10.5％達41.11億元，與去年同期相較減少46.5％，主要是受到DRAM出貨價格明顯低於去年同期影響。累計今年前4個月合併營收達154.83億元，較去年同期下滑41.5％。李培瑛表示，整體DRAM市場第二季需求較第一季改善，預期第三季因各應用市場旺季來臨，英特爾CPU供應量增加，加上伺服器需求提升，市況將逐步恢復平穩。

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市調機構集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange調查顯示，在第一季傳統淡季，DRAM價格下滑的壓力加劇，除了供應商在去年下半年增加的產能於第一季陸續開出以外，需求端積極去化庫存的同時也壓縮採購力道，導致第一季DRAM量價齊跌的情況十分顯著，也使得整體產值較上季大幅下滑28.6％。
展望第二季，就一線PC OEM大廠訂價來看，主流8GB DDR4模組4月均價已滑落至34美元，季跌幅逾2成。由於成交量持續低迷，導致DRAM供應商的庫存水位續增，集邦預期5月及6月合約價在月合約（monthly deal）議定下，價格將持續走跌，第二季整季跌幅逼近25％。此外，出貨占比近3成的伺服器DRAM恐面臨更大的跌價壓力。
從營收來看，第一季跌幅都相當劇烈。龍頭三星在相對基期較低以及第一季行動式DRAM出貨表現優於預期的挹注下，第一季營收位元出貨與上季持平。不過受到報價下跌影響，營收較上季下滑26.3％達69.68億美元，市占回升至42.7％。而SK海力士的營收位元出貨下滑約8％，略優於公司預期，第一季營收48.77億美元，較上季衰退31.7％，市占來到29.9％。
美光維持第三大廠排名，第一營收來到37.60億美元，較上季下滑30.0％，市占率維持在約23.0％。集邦預估，在庫存水位持續攀升的壓力下，三大供應商往後數月的報價策略仍會相當積極。
在獲利能力部份，三星部分1x奈米伺服器DRAM產品因品質問題產生退換貨狀況，衍生出額外營業費用，拉低獲利表現，營業利益率由前一季的66％滑落至48％，在三大廠中降幅最大。不過即便報價已下跌2～3成，三星生產DRAM的毛利率仍逼近6成。而SK海力士雖然因三星產品問題而拉升出貨，但出貨集中在季中價格最低的3月，使得第一季營業利益率從上季的58％下跌至44％。
美光因公司財報月份為去年12月至今年2月，價格跌幅不如韓廠所結算的1～3月，因此營業利益率表現是三大廠中最佳，從上季的58％下跌至46％。展望第二季，在產業價格持續快速下探的情況下，原廠獲利空間將被進一步壓縮。
台灣廠商部分，南亞科第一季營收位元出貨下跌超過20％，營收較前一季大減32.9％，營業利益率由上一季的41.8％跌至26.6％。不過未來出貨預期將逐步回升，獲利衰退幅度可望收斂。力晶科技方面，本身生產標準型DRAM產品第一季出貨量上升，帶動營收逆勢成長5.7％，若涵蓋DRAM代工業務，營收則下滑近15％。華邦電因與客戶的議價屬中長期，營運表現較為平穩，DRAM營收僅下滑約5％。