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南亞科在2月中旬表示，針對新北地檢署約談南亞科楊姓、劉姓前員工，涉嫌竊取公司有關DRAM產品製造技術的營業秘密後離職乙案，南亞科將全力配合檢調進行後續偵查程序，亦將持續調查及追訴任何不法情事，以確保南亞科研發團隊及與合作夥伴的研發成果，維護股東權益與公平競爭秩序。
南亞科總經理李培瑛表示，據估計約有50人遭挖角，面對大陸挖角的劇烈威脅，除了提高酬勞留才外，內部將多管齊下因應。由於大陸提出優厚條件的挖角威脅，南亞科內部已經強化門禁，手機、電腦、電腦配件與印表機等都加強管理，提升資訊安全保護，並全力配合檢調機關偵查與追訴。
李培瑛表示，南亞科持續強化技術競爭力，力求能有良好績效，並與員工分享，改善員工酬勞。近來政府在員工認股稅制上有改善計畫，預期都將有助於留才。而南亞科董事會昨日通過去年員工酬勞達13.64億元，較去年增加將近2倍。
另外，央銀總裁楊金龍昨日走馬上任，李培瑛指出，新台幣兌美元匯率走升，對南亞科營運確實不利，對於新任總裁的期許，就是希望他能維持匯率穩定。

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　根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMexchange調查顯示，2017年第四季北美資料中心的需求持續強勁，即使DRAM原廠透過產品線調整，但仍無法有效紓解伺服器DRAM市場供給吃緊的狀況。伺服器DRAM受惠平均價格上漲，三大DRAM原廠三星、SK海力士、美光的伺服器DRAM營收均出現明顯成長動能。

　集邦統計指出，去年第四季伺服器DRAM市場規格來到63.21億美元，較第三季成長13.9％，並創下新高紀錄。DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進入2018年第一季在伺服器出貨動能不減的情況下，整體伺服器DRAM供不應求的市況依然持續，而伺服器DRAM模組的報價將會維持在高點。

　受惠資料中心建案與高容量DRAM模組需求，2017年第四季三星伺服器DRAM營收表現格外亮眼，不僅位元出貨量較第三季度成長8％外，平均售價也往上調漲，營收較第三季上揚14.5％並來到29.19億美元，占整體市場約46.2％。三星現階段仍然會持續針對各家OEM/ODM廠調整供貨達成率，以期望滿足主要客戶需求進而提高獲利水平。

　SK海力士同樣受惠於北美資料中心的強勁需求，對伺服器DRAM產品配置上更為積極，第四季整體伺服器DRAM產出比重已超過30％。其次，因新平台轉換而帶動高容量模組的需求，也讓SK海力士第四季營收較第三季大幅成長10.9％至19.88億美元，營業利益率也較第三季改善。2018年因伺服器DRAM需求將維持在高點，SK海力士將會逐季提高伺服器DRAM產出的比重，並且著重在新製程18奈米產品的轉進與滲透率的提升。

　美光集團除了受到伺服器DRAM價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益，第四季伺服器DRAM位元出貨量較前一季成長外，平均銷售單價也有明顯地躍升，其伺服器DRAM產品營收成長17.2％，達到14.14億美元，市占來到22.4％水準。以產品面來看，美光在伺服器DRAM的比重仍然維持在近3成水位，現階段獲利的持續增長完全有賴於DRAM平均銷售單價的提升。

　由於人工智慧及雲端運算需求強勁，資料中心建置動能持續成長，而英特爾推出的Purley平台已經開始放量出貨，超微EPYC處理器平台亦受到OEM大廠青睞及採用。由於新平台搭載的伺服器DRAM容量大幅提升，所以業界對今年伺服器DRAM需求看法樂觀，在供不應求情況下，價格可望維持逐季調漲動能。

61.48億元、11年來單月新高，Q1合併營收可望季增逾10％
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DRAM廠南亞科（2408）受惠於DRAM價格持續調漲，加上20奈米新製程產能陸續開出，推升位元銷售量持續成長，昨（6）日公告元月合併營收61.48億元，創下11年來單月營收新高紀錄。法人預期南亞科第一季合併營收將季增逾10％，每股淨利將賺逾2.5元。
今年以來DRAM市場持續供不應求，由於三星、SK海力士、美光等3大DRAM廠在上半年均無新增產能開出，採用1x/1y新製程的產能要等到下半年才會大量供貨，在預期全年DRAM位元成長率僅20％的情況下，業界對於今年DRAM市場供給吃緊情況延續一整年已有高度共識，也推升DRAM價格在第一季續漲5％幅度。
南亞科因20奈米DRAM新產能持續開出，加上DRAM價格續漲，昨日公告元月合併營收月增3.0％達61.48億元，較去年同期大幅成長51.1％，並改寫2007年2月以來的11年來單月營收新高紀錄。
南亞科總經理李培瑛在日前法人說明會中表示，第一季是DRAM市場傳統淡季，但DRAM價格仍小幅調漲，今年上半年DRAM供需穩定，價格也穩中透堅，有機會微幅調漲，如果三星、SK海力士等韓系業者擴產計劃不變的話，不只今年DRAM市況樂觀，明年的DRAM的供需情況也會延續穩定。
李培瑛對第一季營運樂觀，預期在20奈米製程貢獻以及供需穩定之下，毛利率可望優於去年第四季。法人分析，目前市場缺貨最嚴重的是伺服器用DDR4，價格漲幅也最明顯，南亞科20奈米8Gb DDR4已開始出貨，有助於推升第一季合併營收達185億元以上，較去年第四季成長逾1成，單季每股淨利將賺逾2.5元。南亞科不評論法人預估財務數字。
南亞科去年底20奈米月投片量已達3.8萬片，加上30奈米月投片量3萬片，合計月產能達6.8萬片。根據設備業者消息，南亞科去年12月的20奈米DDR4出貨量約1,500片，但1月出貨量已衝上5,000片，預期3月出貨量將超過1.4萬片，成為南亞科營收及獲利成長的最大動能。
隨著20奈米新產能大量開出，南亞科預估今年位元銷售量將較去年大幅成長45％，至於今年資本支出將達115億元，包括20奈米設備尾款及10奈米世代製程研發設備支出等。
法人預估，若DRAM價格逐季調漲，今年營收可望較去年大增逾5成，光靠本業獲利就可望賺逾一個股本。

擺脫前年淨損2.43億元...
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快閃記憶體大廠旺宏昨（31）日召開法說會，去年全年合併營收達341.97億元，寫下歷史新高，歸屬母公司淨利55.18億元，寫下7年以來新高，也順利轉虧為盈。對於今年營運表現，旺宏表示，樂觀看待今年營運表現。
旺宏公告去年第四季合併營收達105.57億元、季增1％，相較前年同期成長56％，毛利率43％、季增5個百分點，歸屬母公司稅後淨利25.76億元、季增21％、年增幅高達2.63倍，每股淨利1.45元。
旺宏去年受惠於記憶體價格大漲，營運表現繳出亮眼成績單。旺宏去年全年合併營收達341.97億元、年成長42％，平均毛利率為37％、年增13個百分點，其中受到匯損影響，業外損失2.17億元，歸屬母公司淨利55.18億元，相較前年淨損2.43億元，已經大幅改善，每股淨利3.12元。
對於今年營運展望，旺宏表示，今年成長領域可望由資料中心、車用電子、通訊產品、工業、醫療及航太等領域驅動營運向上，因此樂觀看待今年營運。從產品別上來看，NAND Flash的SLC規格，目前產出越來越多，但仍跟不上客戶的需求，目前看起來需求十分強勁。
旺宏指出，今年NAND Flash受惠於36奈米製程需求漸大，產出顆粒數是75奈米製程的兩倍，對於成本控管相當有幫助；NOR Flash部分，目前55奈米製程需求相當暢旺，因此產能規劃上，NAND跟NOR Flash可望彈性調度產能。
至於準備已久的3D製程ROM，旺宏也透露，有機會力拼今年底量產。旺宏規劃今年資本支出約38.9億元，將全面應用在先進製程投資上，屆時產出顆粒數將可望大幅成長，帶動旺宏營運向上。
先前市場傳出大陸NOR Flash廠兆易創新（GigaDevice）獲得中芯國際大筆訂單，可能影響到旺宏市場，對此旺宏昨日也澄清，旺宏正在逐步將低容量產品轉進至中高容量，且旺宏產品品質倍受客戶信賴，NOR Flash全球市佔率更已經達到全球第一名，因此受到影響可能性相當低。
今年記憶體價格走勢，旺宏認為，低品質及低容量的NOR Flash產品確實會受到市場影響，價格有些疲軟，不過在中高容量上，價格維持穩定，甚至可望微幅上揚。

因應手機進行AI邊緣運算，DRAM搭載量大增，新iPhone也傳將提高至4GB

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人工智慧（AI）走向終端的邊緣運算（edge computing）成為今年市場新主流，智慧型手機搭載AI運算核心將是今年重頭戲，但為了因應手機進行AI邊緣運算功能，手機搭載DRAM容量大躍進，業界傳出蘋果今年下半年推出的新iPhone將搭載4GB行動式DRAM，Android手機搭載容量更上看6GB。
由於三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠，今年底前並無新增產能開出，現有產能又移轉至生產行動式DRAM，導致利基型及伺服器DRAM上半年缺貨問題難獲紓解，價格持續看漲，法人看好南亞科（2408）及華邦電（2344）今年本業獲利將明顯優於去年。
蘋果去年針對iPhone 8/X打造的10奈米A11 Bionic應用處理器，內建名為神經網絡引擎（neural engine）的AI運算核心，協助並加快3D感測進行人臉辨識，同時也能提供機器學習功能。至於大陸手機大廠華為針對新一代Mate 10設計的Kirin 970應用處理器，同樣搭載了可進行AI運算的神經運算單元（Neural Processing Unit，NPU）。由此來看，手機大廠已將AI邊緣運算視為今年智慧型手機主戰場。
手機晶片廠高通及聯發科同樣看好AI邊緣運算龐大市場商機，如聯發科今年將推出的Helio P系列手機晶片中，加入可進行異質運算的多重神經運算單元架構的AI運算功能。高通同樣也是採用將手機晶片中的不同運算核心，利用異質運算及AI運算模式，打造出神經運算引擎（Neural Processing Engine，NPE）的AI運算能力。
手機廠或手機晶片廠將AI邊緣運算功能帶入智慧型手機，除了手機晶片或應用處理器將採用12/10奈米或7奈米等先進製程，手機搭載的DRAM容量也需要放大，才能支援AI的快速運算。也因此，業界傳出，包括華為Mate 10 Pro及三星將推出的Galaxy S9等旗艦機，都為了提高AI邊緣運算效率，而將行動式DRAM搭載容量一舉拉高至6GB。至於蘋果今年下半年推出的新iPhone也將提高搭載容量至4GB。
不過，DRAM市場今年仍是供不應求，特別是三大DRAM廠在年底前並無新增產能開出，仍是靠製程微縮至1x/1y奈米來提高產供給量，所以多數產能仍用來生產行動式DRAM，也導致利基型及伺服器DRAM仍然缺貨，第一季價格續漲5～10％，第二季價格同樣看漲，法人因此看好南亞科、華邦電今年DRAM本業獲利將明顯優於去年。

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晶圓代工廠聯電與記憶體大廠美光在記憶體領域的訴訟戰火升溫，聯電宣布，於昨（12）日上午已向中國大陸福州市中級人民法院遞狀，控告美光在DRAM及固態硬碟（SSD）等記憶體產品涉嫌侵害聯電大陸公司專利，總共將求償2.7億元人民幣（約新台幣12.34億元）。
聯電表示，美光製造、生產及銷售的Crucial DDR4 2400 8G筆記型電腦記憶體、Crucial MX300 2.5-inch SSD 525GB固態硬碟與七彩虹iGame1080烈焰戰神X-8GD5X顯示卡中的儲存晶片涉嫌侵害該公司的大陸專利。
聯電為維護自身權益，已於昨日上午按不同侵權產品分別向福州市中級人民法院遞狀，對美光半導體（西安）有限責任公司、美光半導體銷售（上海）有限公司、廈門市思明區信通源電腦經營部、廈門安泰勝電子科技有限公司起訴，共計3件訴訟。
聯電將請求法院判令該等被告停止製造、加工、進口、銷售、許諾銷售被訴侵權產品的行為，銷毀全部庫存及相關模具及工具，並請求美光於3件訴訟各賠償9,000萬元人民幣（約新台幣4.11億元）。
聯電表示，美光為國際知名公司，最近1年對聯電動作頻頻，明顯將其與離職員工間的爭議，渲染為企業間的侵害行為，並在美國本土對該公司興訟，經聯電深入檢視，發現有美光在大陸地區銷售的產品確實侵害聯電專利權，因而在大陸地區進行專利侵權訴訟，期能獲得公正裁判。
美光與聯電掀起訴訟戰起因，外界普遍認為，起源於聯電在2016年與福建省晉華集成電路有限公司簽約合作，聯電也受晉華公司委託開發DRAM相關技術，但事實上聯電僅負責技術研發，並未有投入DRAM產業的規劃。

晉華電子、合肥長鑫、紫光集團搶進，瞄準利基型DRAM及NAND Flash
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中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中國重點發展項目。根據市場研究機構集邦科技最新報告指出，隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域，包含晉華電子、合肥長鑫、紫光集團在內的三大陣營已成形，利基型DRAM及NAND Flash是布局重點。
集邦表示，紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場，但中國大陸積極吸收專業人才，無論是台灣地區的建廠人才，或是日韓的技術人才等，皆為大陸半導體廠的目標，並且從技術授權轉為自主研發，處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。
大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子專注利基型DRAM的開發，主攻消費型電子市場，技術合作夥伴是聯電，希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能，甚至在補貼政策下，預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略，並且有機會取得技術矽智財（IP）走向國際市場。
相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品，合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的產品，其省電技術要求極高，開發難度相當高。然而，中國品牌手機出貨已占全球逾4成，倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策，大陸官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。
觀察大陸在NAND Flash領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為最快成軍的開發廠商，初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會進軍固態硬碟（SSD）市場，但此市場技術競爭相當激烈，沒有中國政府的支持，短期會難以在成本上取得優勢，利用中國內需市場壯大自己將是紫光集團未來可行的策略。
而武漢新芯隨著長江存儲的成立後，將專注於NOR Flash的開發，雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯，但隨著長江存儲於武漢未來城基地建構完成後，未來也將各自獨立。
集邦指出，以目前現況來看，中國發展記憶體的策略能否成功，未來的3～5年將是極其重要的關鍵期，特別是強化矽智財的布局，中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際水準的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球並占有一席之地。

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IC設計廠鈺創（5351）董事長盧超群昨（26）日表示，鈺創近幾年淡出標準型DRAM領域，逐步轉向虛擬實境、物聯網、邊緣運算、先進駕駛輔助系統（ADAS）等利基型應用發展，並順利打進臉書及日系一線車廠供應鏈。另外，針對大陸官方可能開始關注DRAM價格飆漲問題，盧超群表示，不認為三星哄抬價格，DRAM只是回到公道價格。
大陸媒體近日報導，大陸官方收到多家手機廠投訴，開始關注DRAM價格飆漲問題，傳出發改委已經約談三星消息。盧超群表示，不認為三星有哄抬價格的情況，這波DRAM價格上漲，主要是因為三大DRAM廠對於擴產十分小心謹慎，但需求端卻出現強勁成長，尤其大陸當地對DRAM需求成長最大，他認為價格只是回到公道價格。
鈺創過去的DRAM產品主力是標準型DRAM，但近年來已轉換市場，逐步轉向虛擬實境及擴增實境（VR/AR）、物聯網、邊緣運算、ADAS系統等利基型應用發展。鈺創將在明年初的美國消費性電子展（CES）發表高效能、低功耗的256Mb Mobile DDR2及512Mb DDR3，專攻VR/AR相關應用。
鈺創表示，AR/VR為近年備受矚目的新興科技，除應用於遊戲娛樂領域外，在教育、醫療、旅遊、房地產方面也陸續導入商業等級應用，鈺創所擁有的高效能、低功率256Mb Mobile DDR2及512Mb DDR3，擁有16/32位元輸出入與每秒最高達4.3GB的傳輸速率，可支援VR/AR所需的高頻寬與低延遲影像處理技術。
此外，鈺創自主開發的DDR3結合SPI（串列周邊介面）的NAND Flash，則鎖定寬頻網路商機。鈺創表示，寬頻通訊環境的建置為各國政府積極發展的重點，尤其以光纖通信中的超高速被動光纖網路（GPON）與乙太被動光纖網路（EPON），還有超高速數位用戶迴路（VDSL）等都需要搭載記憶體，鈺創方案已經通過市場主要晶片大廠的驗證，並量產出貨給網路通訊大廠。
鈺創採用30奈米及25奈米製程的利基型緩衝記憶體產品線，提供裸晶（KGD）與小型化封裝的方案，如256Mb LPDDR2可望採用在物聯網、機器人等應用，至於車規的DDR2/DDR3已符合AEC-Q100車規規格認證通過，已送樣給日系一線車廠並採用在ADAS系統中，明年可望量產出貨。

專訪
美國記憶體大廠美光（Micron）大動作在美對聯電可能竊取及使用營業祕密一事提出訴訟，聯電總經理簡山傑對此予以駁斥，強調聯電早年就生產過DRAM，本身擁有不少DRAM專利，事隔15年後決定自主研發DRAM技術，目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。以下是專訪紀要。
問：聯電重新投入DRAM技術研發原因為何？
答：聯電的本業是晶圓代工，順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務，聯電研發DRAM的經驗有助於新世化記憶體的發展，包括MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）等，等於可以搶先進入有潛力的新市場。再者，聯電是借外部力量來研發DRAM技術，福建晉華支持研發費用，雙方共同投入研發設備及技術，可快速研發速度，不會擠壓聯電的獲利表現。
聯電要獨立自主研發DRAM技術，另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術扎根，這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後，相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作，意義格外重大。
問：美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產，聯電的技術來源為何？
答：聯電要自主研發DRAM技術。聯電在晶圓代工市場多年，長期投入研發已有很好的技術實力，連最先進囗最複雜的14奈米邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產，而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。至於在DRAM特有技術部分，則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解，再依據開發路線落實。事實上，DRAM工作原理沒有改變，現今的DRAM只是藉由更先進的製程技術，達到每位元更低成本的目標，操作原理與15年前研發DRAM時相同。
問：聯電的DRAM事業的營運模式為何？
答：聯電目前與國外DRAM設計公司合作，以達成及加速DRAM技術研發。不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊，聯電本業是晶圓代工，所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式，與經驗豐富的DRAM設計團隊合作，可以減少研發過程中的許多不確定性因素，加快問題解決的速度。再者，聯電未來的DRAM技術研發成功後，會授權給晉華生產，但聯電並沒有投資晉華，未來也可爭取其它DRAM代工訂單。聯電目前沒有自建DRAM產能計畫，不會與台灣現有DRAM廠商競爭。
問：聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同？
答：聯電不了解美光製造DRAM的內容，因此無從說明兩者之差異，但根據第三方TechInsights於2013年發表文章，有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米製程世代的DRAM，美光採用直行式主動區（Active Area，AA）設計，但聯電DRAM選擇交錯式AA設計，與美光的記憶胞架構明顯不同。DRAM的記憶胞是技術上最核心之處，選擇不同的記憶胞架構，代表了不同的研發道路，證明聯電和美光的技術核心不相同。

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晶圓代工大廠聯電（2303）日前宣布，推出40奈米結合美商超捷（Silicon Storage Technology，SST）嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體，較量產的55奈米單元尺寸減少20％以上，並使整體記憶體面積縮小了20～30％。東芝電子元件暨存儲產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。
東芝電子元件暨存儲產品公司混合信號晶片部門副總經理松井俊也表示，預期採用聯電40奈米SST嵌入式快閃記憶體技術，有助於提升東芝MCU產品的性能。與聯電合作，透過穩定的製造供應，及配合東芝的生產需求提供靈活的產能，將能夠保持強勁的業務連續性計劃（BCP）。
聯電表示，已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產，包含了SIM卡、金融交易、汽車電子、物聯網、MCU及其他應用產品。
聯電特殊技術組織協理丁文琪表示，自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，一直受到客戶的高度關注，藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。聯電正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台，期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。
聯電分離式閘極記憶體單元SST製程，依據JEDEC所制定的規範標準，具100K耐久性和在攝氏85度、及工作溫度範圍為攝氏零下40度到125度的寬溫溫度下，數據可保存10年以上。除40奈米 SST製程外，還有20多家客戶使用聯電的55奈米SST技術生產各類應用產品。
聯電已公告11月合併營收月減12.0％達121.55億元，較去年同期下滑5.9％，累計今年前11個月合併營收達1386.17億元，為歷年同期新高，較去年同期成長2.4％。聯電預期第四季營運狀況將會下滑，主要原因來自於年底典型的季節性調整。此外，並觀察到28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的需求將趨緩。