看好22／28奈米需求前景，今年資本支出預算從30億美元拉升到36億美元

　台北報導

　晶圓代工廠聯電24日宣布，董事會通過在新加坡Fab12i廠區擴建一座全新的先進晶圓廠計畫。新廠第一期的月產能規劃為3萬片12吋晶圓，主要生產製程為22及28奈米，目前預計於2024年底開始量產，因應擴建計畫，聯電在2022年的資本支出預算也從30億美元，拉高到36億美元。

　聯電表示，由於5G、物聯網和車用電子大趨勢的帶動，對聯電22及28奈米製程需求的前景強勁，因此新廠所擴增的產能也簽訂了長期的供貨合約，以確保2024年後對客戶產能的供應。

　聯電指出，期望這座新廠能在滿足這些市場強勁的需求上扮演重要角色，特別是協助紓解22及28奈米晶圓產能結構性的短缺。新廠生產的特殊製程技術，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及混合信號CMOS等，在智慧型手機、智慧家庭設備和電動車等廣泛應用上至為關鍵。

　聯電董事長洪嘉聰表示，新加坡Fab12i廠是聯電的旗艦創新中心，與客戶合作新研發項目並將在新廠上線後立刻投入生產，近期半導體供應短缺已明確點出半導體供應鏈必須提高透明度，共同降低風險。

　此外，聯電在中國蘇州的和艦先前因新冠肺炎疫情影響，造成階段性停工。研調機構集邦科技（Trendforce）指出，該8吋廠約占聯電8吋總產能約25％，占全球8吋產能約3％，階段性停工期間稼動率大致維持在25～30％，產線上晶圓不須報廢。集邦指出，該廠已於24日逐步復工。由於半導體設備重新調校時程約需5～7天，預估整體稼動率完全恢復至滿載的時間將落在3月上旬，預估損失投片約14～20天，影響該公司當季8吋產能約4～5％，全球8吋產能約0.4～0.5％，情況仍屬可控。

高雄報導
　本報今年8月1日獨家披露台積電將首度南下高雄，在高雄煉油廠設立7奈米廠，台積電9日晚間證實，因應市場需求，台積電9日已決議，將於高雄設立生產7奈米及28奈米製程的晶圓廠，預計將於2022年開始動工，並於2024年開始量產。
　台積電9日董事會決議並重訊公告表示，將向高雄市政府承租土地建廠，但未詳細描述內容，台積電代理發言人高孟華在接受本報查證時，做了上述表示，這也使得多月來台積電是否落腳高雄煉油廠一事，終於塵埃落定。
至於投資金額多少？高孟華表示，目前尚未確定。
　據了解，高雄市政府為了迎接台積電，已將高雄煉油廠舊址、目前整治中的汙染土地約29公頃，變更為「楠梓產業園區」，而台積電的設廠地址就在「楠梓產業園區」。
　對於台積電決定在高雄煉油廠設7奈米和28奈米廠，高雄市長陳其邁9日晚間表示，高市府團隊將繼續以「緊緊緊」的態度，全力以赴打造最好的招商服務與環境。
陳其邁指出，年初即由副市長羅達生召集經發、都發、工務及環保等局處籌組專案團隊，全力解決設廠相關土地、水電等問題，經過多次開會、現勘，選定中油高煉廠後，高市府團隊總動員整合相關資源，積極向中央溝通協調，協助加速台積電建廠計畫。
　陳其邁表示，過去在行政院擔任副院長期間，便負責大A+計畫(領航企業研發深耕計畫)等國家產業政策，在國際供應鏈重組當下，吸引國際大廠來台投資，打造台灣成為高階製造中心，他上任市長後，提出南方科技廊帶的構想，首要目標便是佈局高雄產業鏈及訂定產業轉型方針，打造高雄成為最重要的半導體產業聚落。
　陳其邁強調，台積電投資高雄，不僅是城市關鍵的產業佈局，也是半導體Ｓ廊帶最重要的一塊拼圖，高市府將繼續積極招商，城市與產業轉型的腳步不會停止。

明年將建特殊製程12吋晶圓廠，拚2024量產
台北報導
台積電總裁魏哲家14日正式宣布，台積電將會在日本興建特殊製程12吋晶圓廠，提供22奈米及28奈米製程產能，並可望獲得日本政府及日本客戶支持。預估該廠將在2022年開始興建，2024年底進入量產階段，可擴大台積電的全球布局。
魏哲家強調，台積電全球據點擴展決策奠基於客戶需求、商業機會、營運效率和成本考量等因素。在進行盡職調查（due diligence）後，台積電宣布有意在日本建立一座特殊製程晶圓廠，此計畫尚待董事會批准。同時，台積電已收到來自客戶和日本政府對此計畫的強力承諾支持。
台積電財務長黃仁昭表示，台積電雖然計畫赴日本設廠，但包括投資金額、產能規模、合作對象等細節，要等到董事會討論通過後才會對外揭露。再者，台積電以往海外投資建廠是以100％獨資為主，包括美國及中國的投資都是獨資，但並不排除有其它的投資方式，例如與重要客戶合資建廠會是個案（case by case）考量。
日媒先前報導，台積電將與索尼（Sony）等日企合作，在日本熊本縣投資設立12吋晶圓廠，總投資金額約達8,000億日圓，而日本政府最高可能補助總投資金額的一半。亦有報導指出，日本豐田汽車及車電大廠Denso也可能加入成為新廠投資者。
魏哲家表示，台積電在日本投資的晶圓廠，將採用22奈米及28奈米技術進行晶圓製造。預計於2022年開始建造，並於2024年底量產，更多相關細節將在董事會核准後提供。台積電相信，擴大全球製造足跡將能夠滿足客戶需求、接觸全球人才、從投資中獲取適當的報酬、並為股東帶來長期的獲利增長。
不過，日本方面對於台積電赴日投資設廠有不同意見，因為日本政府從來沒有對外國企業給予如此高額補助，而且台積電與日本企業共同合資興建的28奈米特殊製程的投資計畫，與原本設定補助7奈米及更先進製程晶圓廠投資計畫有落差，如何說服日本國民將是新上任日本內閣的另一重要課題。

晶粒面積縮減10％、功率效能比更佳、射頻性能強化
台北報導

晶圓代工二哥聯電（2303）2日表示，在使用USB 2.0測試載具首次並成功通過矽驗證之後，正式宣布更先進的22奈米製程技術就緒，聯電最新的特殊製程提供具競爭性的效能，和從28奈米到22奈米的無縫接軌。
聯電表示，相較於一般的USB 2.0的PHY IP（實體層矽智財），用於驗證的USB測試載具所使用面積為全球最小，實際展現聯電堅實的22奈米製程成熟度。新的晶片設計可使用22奈米設計準則，或遵循28奈米到22奈米的轉換流程（Porting Methodology），無需更改現有的28奈米設計架構，因此客戶可放心使用新的晶片設計，或直接從28奈米移轉到更先進的22奈米製程。
聯電矽智財研發暨設計支援處處長陳元輝表示，聯電致力於提供世界領先的晶圓專工特殊技術，並持續推出新的特殊製程技術，用以服務於5G、物聯網和車用的快速增長晶片市場。聯電為客戶推出極具競爭力的22奈米製程技術，主要提昇性能、面積和易於設計的先進技術。
聯電的22奈米製程與原本的28奈米高介電係數／金屬柵極製程相比，優勢在縮減10％的晶粒面積、擁有更佳的功率效能比，以及強化射頻性能等特點。另外也提供了與28奈米製程技術相容的設計規則和相同的光罩數的22奈米超低功耗（22uLP）版本，以及22奈米超低洩漏（22uLL）版本。
聯電指出，22uLP製程和22uLL製程所形成的超級組合，可支援1.0V至0.6V的電壓，協助客戶在系統單晶片（SoC）設計中同時享有兩種技術的優勢。22奈米製程平台擁有基礎元件IP支援，為市場上各種半導體應用，包括消費性電子的機上盒、數位電視、監視器、電源或漏電敏感的物聯網晶片（附帶藍牙或WiFi），和需要較長電池壽命可穿戴式產品的理想選擇。