GaN及SiC市場高速成長，國際大廠擴大布局，嘉晶等受惠

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看好電動車及自駕車、5G高速通訊等新應用將成為明年功率半導體市場亮點，包括英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semi）、德州儀器等IDM大廠，今年以來加強在第三代半導體材料碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）布局，市場已進入高速成長階段。漢磊控股（3707）及轉投資矽晶圓廠嘉晶（3016）已擴大GaN及SiC布局，昇陽半（8028）在晶圓薄化技術上亦領先同業將直接受惠。
今年以來包括金氧半場效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導體需求暢旺，在IDM廠擴大委外代工情況下，漢磊、嘉晶、昇陽半等接單暢旺。漢磊公告前3季合併營收年增22.0％達48.21億元，營業利益2.97億元且與去年同期相較已由虧轉盈，歸屬母公司稅後淨利1.07億元，每股淨利0.40元，優於去年同期的每股淨損0.66元。
嘉晶受惠於矽晶圓出貨放量且調漲價格，前3季合併營收年增32.2％達33.18億元，營業利益3.99億元，較去年同期大增逾1.6倍，歸屬母公司稅後淨利3.40億元，較去年同期大幅成長逾1.9倍，每股淨利繳出1.24元亮麗成績單。
昇陽半爭取到IDM廠提高晶圓薄化委外代工訂單，前3季合併營收年增11.8％達15.48億元，營業利益年增3.5％達2.07億元，歸屬母公司稅後淨利1.58億元，與去年同期1.33億元相較成長18.8％，每股淨利1.30元優於預期。
由於MOSFET及IGBT技術已無法有效因應電動車及自駕車、5G高速通訊、人工智慧及高效能運算（AI／HPC）等新應用對於高壓、高溫、高頻的操作模式，國際IDM大廠全力投入SiC及GaN市場。功率半導體大廠英飛凌昨日就宣布收購德國新創公司Siltectra，因該公司開發一種創新的冷切割技術 （Cold Split），可有效處理晶體材料，並可大幅減少材料損耗，用於分割SiC晶圓可產出雙倍的晶片數量。
事實上，GaN及SiC功率半導體除了耐高電壓、低導通電阻及低切換損失等特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，十分適合未來電動車或5G應用。為了搶攻新技術市場商機，漢磊及嘉晶已投入GaN及SiC的矽晶圓及晶圓代工技術多年，明年可望小量出貨，至於昇陽半亦開始展開新一代功率半導體晶圓薄化技術研發，在GaN及SiC市場不會缺席。

合攻寬能隙功率半導體，明年底前產能開出，成長新動能
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漢磊投控（3707）旗下晶圓代工廠漢磊科及EPI矽晶圓廠嘉晶（3016）下半年營運強勁，金氧半場效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導體訂單滿到明年第1季。
看好功率元件市場朝向寬能隙（Wide Band-Gap）功率半導體發展趨勢，漢磊及嘉晶將擴大超接面（Super Junction）、碳化矽（SiC）、氮化鉀（GaN）等新元件的投資布局，明年底前產能開出後將成未來成長新動能。
由於MOSFET等功率半導體市場供不應求，漢磊及嘉晶受惠於國際IDM廠擴大釋出代工訂單，加上國內IC設計客戶追加急單，產能利用率將滿載到年底。由於漢磊調漲第3季晶圓代工價格，嘉晶亦調漲EPI矽晶圓價格，法人看好漢磊及嘉晶第3季營收將同步改寫歷史新高，第4季營收可望續創新高。
嘉晶受惠於EPI矽晶圓出貨暢旺及價格順利調漲，8月合併營收月增2.0％達4.23億元，已連續8個月創下單月營收歷史新高，較去年同期大幅成長49.2％。累計今年前8個月合併營收達28.83億元，較去年同期成長29.8％。由於日本北海道9月初發生大地震，當地設廠的日本矽晶圓廠產出受到嚴重影響，導致功率半導體用8吋及6吋EPI矽晶圓供貨轉趨吃緊，法人看好嘉晶可望受惠於轉單及漲價效應持續發酵。
漢磊投控公告8月合併營收5.82億元，約與7月持平並為單月歷史次高，與去年同期相較成長30.3％。漢磊投控今年前8個月合併營收達42.26億元，較去年同期成長21.0％，法人看好第3季營收將季增6～9％續創歷史新高，單季獲利有機會挑戰賺贏上半年。
隨著節能減碳成為市場主流趨勢，新一代功率半導體扮演重要角色，例如未來電動車及充電椿就會大量採用SiC材料的寬能隙功率半導體，強調高速資料傳輸的5G相關設備，則會朝向採用GaN材料的寬能隙功率半導體方向發展。再者，強調低功耗的馬達或數位家電等，現在主流採用IGBT為主要元件，但未來可望朝向超接面MOSFET的方向發展。
嘉晶已經完成了SiC及GaN等相關矽晶圓技術及產能，在完成客戶認證後將可開始出貨，今年亦宣布將投資建置超接面MOSFET矽晶圓生產線。漢磊已可支援小尺寸晶圓SiC及GaN的晶圓代工，今年亦將擴大投資6吋SiC晶圓代工相關產能。法人預期，嘉晶及漢磊可提供由矽晶圓到晶圓代工的寬能隙功率半導體一條龍服務，可望爭取到現有國際IDM大廠客戶青睞及下單。

MOSFET、IGBT晶圓代工漲價

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金氧半場效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導體下半年恐現缺貨潮，IDM廠及IC設計廠均大動作爭搶晶圓代工產能，包括茂矽、漢磊、世界先進、新唐等MOSFET或IGBT訂單滿到年底，第三季已確定漲價，其中6吋晶圓代工價格大漲10～20％，8吋晶圓代工價格亦調漲5～10％。
受惠於MOSFET價格調漲，帶動功率半導體晶圓代工漲價效應，茂矽及漢磊股價昨（11）日攻上漲停，世界先進及新唐亦同步大漲。法人表示，MOSFET及IGBT需求強勁，6吋及8吋晶圓代工第三季漲價，將帶動業者下半年獲利表現。
茂矽近期已發函通知客戶漲價，預計7月起依產品別調漲晶圓代工價格15～20％，高單價客戶及高售價產品優先投片，6月底未投產完畢的訂單退回並請客戶重新評估需求，重新來單則適用7月起已調漲後的晶圓代工價格。
據業界消息，茂矽通知至8月底前暫停工程實驗及新產品試產，未滿25片的非完整批暫緩投片，未滿150片的爐管最小片數亦暫時降低生產排貨等級，交期將延長。同時，茂矽亦要求客戶配合提供EPI矽晶圓且抵達廠內確定時間才開單。
漢磊昨日召開股東常會，董事長徐建華表示，人工智慧、汽車電子及電動車、物聯網等都帶動功率半導體需求，漢磊旗下矽晶圓廠嘉晶產能滿到年底，旗下晶圓代工事業同樣接單滿到年底。漢磊將逐調整產品結構，擴大利基產品量產規模與提高寬能隙產品的比重，希望今年能達全年獲利的目標。
雖然徐建華不願多談矽晶圓及晶圓代工是否漲價，僅強調漲價要考慮市場及客戶關係。但業界指出，EPI矽晶圓今年已確定逐季漲價，加上上游客戶積極爭取晶圓代工產能，在訂單滿到年底情況下，預期漢磊5吋及6吋晶圓代工價格下半年將同步漲價1成以上。
再者，新唐及世界先進亦傳出調漲第三季晶圓代工價格消息。在MOSFET訂單大舉湧入情況下，新唐6吋晶圓代工產能自去年滿載到現在，目前在手訂單也已經排單到年底，第三季價格傳出調漲1成消息。

大陸、歐美車用功率元件及MOSFET需求強勁
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由於歐美及大陸電動車相關功率元件訂單大增，加上近期二極體及金氧半場效電晶體（MOSFET）供不應求，客戶積極爭取晶圓代工產能，漢磊（3707）不僅轉投資半導體矽晶圓廠嘉晶（3016）訂單滿到下半年，5吋及6吋晶圓代工產能上半年已確定滿載。
由於矽晶圓及晶圓代工產能同步供不應求，價格可望順利調漲，法人看好漢磊今年獲利可期，營運面轉機性十足。
漢磊去年第二季及第三季的營業利益已轉正，代表本業開始獲利，去年第四季合併營收季減1.8％達13.22億元，但較前年同期大幅成長21.8％。法人預期第四季不僅營業利益維持獲利，稅後淨利也可望由虧轉盈。漢磊去年合併營收達52.74億元，較前年成長20.5％，今年可望繼續維持成長。
漢磊改組為控股公司後，下轄負責磊晶及半導體矽晶圓的嘉晶，以及5吋廠及6吋廠晶圓代工業務。其中，矽晶圓事業嘉晶規模經濟效益持續發酵，去年下半年已陸續調漲矽晶圓報價，今年上半年矽晶圓仍供不應求，預期價格仍將逐季上漲到下半年。
漢磊的晶圓代工目前維持滿載，除了歐美及大陸等電動車功率元件與電源管理IC代工需求強勁，同時亦承接國際IDM廠及IC設計公司的MOSFET代工訂單。由於MOSFET缺貨問題導致價格持續調漲，漢磊持續接獲國際整流器（IR）、Microsemi等國際大廠追加訂單，今年上半年晶圓代工業務將維持滿載投片，已有客戶開始預訂下半年產能。
據了解，包括Microsemi等國際IDM廠近年陸續關閉老舊的4吋廠，並將MOSFET或二極體等業務委外代工，其中，漢磊就順利承接Microsemi的晶圓代工訂單，去年以來接單逐季成長。由於IDM廠走向輕晶圓廠（fab lite）方向發展，未來對晶圓代工廠的依賴程度愈來愈高，漢磊在MOSFET代工已陸續獲得國際IDM廠下單，可望加快營運上獲利成長速度，全年獲利表現值得期待。
法人表示，MOSFET上半年供不應求，相關供應商急尋晶圓代工廠產能應急，由於大陸晶圓代工已針對MOSFET急單及短單漲價10～15％，漢磊同樣可望搭上漲價順風車，今年應可順勢調漲晶圓代工價格。在磊晶及半導體矽晶圓、晶圓代工等2大業務同步漲價的帶動下，法人樂觀預期漢磊今年營運將走出谷底，全年營運將出現獲利，營運面轉機性強。