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近期市場傳出，美國記憶體大廠美光（Micron）執行長將到訪中國並可能與紫光集團見面消息。美光5日發布聲明間接否認此一傳言，美光表示，總裁暨執行長Sanjay Mehrotra訪中是出席中國國際半導體博覽會並發表主題演講，美光不就任何謠言及猜測發表評論。
紫光集團於6月30日公告成立DRAM事業群，由曾任工信部電子信息司司長的刁石京出任董事長，執行長則由華亞科前董事長、現任紫光執行副總經理高啟全擔任，代表紫光集團與中國政府的合作進一步深化，也更加確立中國自主開發半導體的發展方向。
對於紫光集團決定跨足DRAM市場，市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示，紫光集團於8月27日宣布與重慶市政府簽署合作協定，並在重慶投資DRAM研發中心與工廠，廠房預定2019年年底動工，並於2021年完工。這顯示在福建晉華遭到美國禁售之後，中國加速自主開發DRAM產品的進程。
以目前紫光集團狀況來說，旗下IC設計公司紫光國微具有DRAM相關產品的研發實力，但製程開發上至今仍未有合作對象，未來如果以自主開發的方向進行，至少需要3～5年的研發時間，代表就算2021年工廠完工甚至進入小批量投片，達到一定的經濟規模仍需更長的時間。
集邦表示，紫光集團目前較為欠缺的製程研發能力，預計可望藉由其執行長高啟全的業界人脈進行補強，高啟全明年在紫光任期屆滿，會對紫光的DRAM發展產生的影響須持續關注。
集邦表示，紫光集團並非首次計畫進軍DRAM產業，早在2014年就曾表達出研發DRAM的決心，但當時為了平衡產業與地方發展，且紫光已確定NAND發展路線，此次回歸DRAM開發，主要是因為福建晉華在去年11月遭美國頒布禁售令後，量產與未來研發之路的不確定性因素仍高，加上合肥長鑫雖預計今年底導入量產，但放量最快也要到2020年底。對中國而言，僅有一家正在進行的DRAM廠不足以實現自主開發，尤其又面臨中美貿易摩擦，亦讓紫光重新進行DRAM的開發與生產。

星廠應用先進3D NAND製程技術，推動5G、AI關鍵技術轉型；台中廠拚年底落成
新加坡14日專電
記憶體大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規畫，並應用先進3D NAND製程技術，進一步推動5G、人工智慧（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在台灣DRAM廠投資，台中廠擴建生產線可望在年底前落成。
美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、在地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、記憶體模組廠威剛、IC基板廠景碩、記憶體封測廠力成、IC通路商文曄等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。
美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區，以及位於新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開始生產，但在技術及產能轉換調整情況下，Fab 10廠區總產能不變。
美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資，擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進製程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進入量產，第四代128層3D NAND將由浮動閘極（floating gate）轉向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵，同時進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。
美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進製程研發重心，2017年在台灣成立DRAM卓越中心，台灣成為美光最大DRAM生產重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大，台中廠區除了現有12吋廠，也將加快投資進行新廠區擴建，計畫在年底前完成，而台中廠區後段封測廠亦持續擴大產能。
隨著韓國記憶體廠三星及SK海力士開始評估在先進DRAM製程上採用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開始評估將EUV技術應用在DRAM生產的成本效益，隨著DRAM製程由1z奈米向1α、1β、1γ奈米技術推進過程，會選擇在合適製程節點採用EUV技術方案。

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記憶體大廠美光（Micron）在台灣持續擴大布局，近期傳出將在日前新開幕的台中封測廠旁邊，再度打造新生產基地，將可望強化美光在台灣的DRAM產能。法人指出，無塵室工程設備廠商漢唐已經拿下美光數百億元訂單，將可望替業績添上新營運動能。
美光近年來在台灣不斷擴大營運，先前取得的達鴻、大鴻等在中科的廠房，已經被美光打造成先進封測廠，並在2018年10月正式開幕。不僅如此，美光更於2019年1月以5.33億元取得橋椿金屬的廠房，供應鏈指出，由於新購土地緊鄰新設的美光先進封測廠，美光預計將其新購土地與現有封測廠整合，規劃打造成DRAM封測及製造廠，待新廠落成之後，美光在DRAM產能將會大幅提升，使台灣穩坐美光DRAM生產製造最大基地。
法人表示，美光新廠的無塵室工程設備已經由漢唐奪下，累計漢唐已經拿下美光數百億元的訂單，預期款項將在2019年下半年開始陸續認列，推動漢唐業績持續成長。
事實上，漢唐在台灣的訂單除了美光之外，還拿下台積電、華邦電、力晶及旺宏等晶圓廠訂單，漢唐在半導體產業中的無塵室工程設備市占率超越7成水準，其中更有7成營收比重來自於半導體產業。
因此受惠於半導體產業持續擴大投資帶動，法人表示，漢唐2019年新簽下的訂單金額高達461.33億元，預期將分為三年逐步消化訂單，最快今年下半年就可以開始認列訂單金額，可望推動漢唐2019年業績再創歷史新高。漢唐不評論法人預估財務數字。
漢唐今年前四月合併營收85.6億元，寫下歷史同期新高，相較去年同期成長107.9％。法人表示，漢唐已經與中國大陸、台灣等晶圓廠及面板廠簽約，隨著先進製程及擴充產能需求帶動下，漢唐2019年業績可望逐季成長。

集邦科技：韓國及陸企受惠，力成可能受衝擊。
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晶圓代工廠聯電（2303）在中國大陸對美光提告侵權，近日一審判決結果出爐，美光必須停止在陸製造、加工、進口與銷售。研調機構集邦科技（TrendForce）記憶體儲存研究（DRAMeXchange）分析，美光面臨在中國市場禁止銷售部分產品，將使三星、SK海力士及明年將進入市場的中國廠商受惠。
法人認為，三星可望是搶占大陸市占率的受惠者之一，其大中華區主要代理商至上（8112）將受惠，不過，美光封測夥伴力成就可能將受到影響。
DRAMeXchange指出，美光旗下產品包含美光品牌及Crucial，未來恐面臨在中國禁售標準型DRAM以及部份快閃記憶體產品（SSD），美光依然有上訴的權利，此案後續影響層面勢必將成為全球記憶體產業關注焦點。
此外，因中美貿易戰進入關鍵時刻，加上明年將是中國DRAM生產元年的背景，更讓此訴訟案增添兩國角力氛圍。
從市場面來看，中國作為全球第二大經濟體，DRAMeXchange預估，中國內需市場今年將消化全球DRAM產能達20％，而美光DRAM總產能中，約有26％由中國內需市場所消化。
在美光面臨在中國市場禁止銷售部分產品下，勢必將衝擊其營收表現，並且將使得三星與SK海力士，以及預計明年將正式加入市場的晉華集成與合肥長鑫成為中國市場直接受益者。
從NAND Flash方面來看，根據DRAMeXchange數據顯示，中國內需市場消化今年全球NAND Flash約25％的產能，美光NAND Flash有約20％產能銷往中國，美光在中國面臨禁售部分產品情況下，身為競爭對手的三星、SK海力士、威騰（WDC）、英特爾（Intel）、東芝（Toshiba），以及明年可能將正式加入市場的長江存儲（YMTC）都將直接受惠。
此外，由7月3日公布的判決書來看，除了部分美光以及Crucial在中國禁售以外，也包含美光的西安廠將停止美光產品的封測。觀察國內供應鏈狀況，法人指出，若美光在陸營運受衝擊，三星勢必將開始大搶市佔，至上也可望連帶受惠，美光主要封測夥伴力成訂單則可能遭受衝擊。

福州市中級人民法院宣告，美光須立即停止銷售及製造部分DRAM、SSD產品

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晶圓代工廠聯電與美光在DRAM的訴訟戰，由聯電率先拿下一城！聯電先前在大陸控告美光的侵權案，昨（3）日判決結果出爐，福州市中級人民法院宣告，美光必須立即停止銷售及製造部分DRAM、SSD（固態硬碟）產品。
業界認為，禁售產品為美光當前在消費性市場的熱銷商品，因此將對美光在大陸營運造成甚大影響。
美光、聯電雙方於去年底陸續展開訴訟戰，美光先是在美國控告聯電侵害美光的營業秘密，聯電也不甘示弱對美光展開反擊、在大陸控告美光部分產品侵害聯電的營業祕密，雙方隔海互控、叫陣的火藥味濃厚。
不過，聯電昨日已經接獲大陸福州市中級人民法院的判決書，並於昨日晚間公告。根據判決書內容指出，美光半導體生產、銷售及進口的英睿達Crucial BALLISTIX 16GB DDR4 2400、BX晶片、Crucial DDR4 2400 8GB等超過30項產品，都必須在中國大陸停止製造、銷售或進口。
根據大陸地區法律，申請先行停止侵犯涉案專利權，須符合以下幾個標準，第一是申請人有穩定、有效的專利權，其次是被申請人的行為經初步判斷可以認定為侵權行為，第三是侵權行為如不即時制止，將會造成申請人難以彌補的損害。
聯電表示，此次申請先行停止侵犯涉案專利權，既經獲准，可見美光半導體之侵權行為，大陸地區法院已初步判斷認定屬實。
聯電表示，公司長期投入大量資源及人力，研發半導體製造技術，其成果可用於邏輯晶片或記憶體晶片，歷年來已在各國提出申請，獲得多項專利。
美光侵害聯電的專利權，已使其對外宣稱聯電沒有記憶體晶片相關技術、而竊取美光營業秘密的指控不攻自破，也證明了聯電的研發實力。
美光旗下數家記憶體品牌，其中Crucial由於採用美光自家生產的晶粒，並製造成DRAM、SSD等記憶體模組，進而銷售到市場上，近來電競風潮興起，Crucial由於主打美光品牌，品質有一定水準，因此頗受中國大陸玩家青睞。
業界認為，本次美光遭到禁售的產品有包含當前市場主流DDR4 2400的DRAM模組，SSD產品上則有MX 300，若遭到中國大陸政府禁止銷售，對於美光在大陸的經營將影響甚大。

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晶圓代工廠聯電與記憶體大廠美光在記憶體領域的訴訟戰火升溫，聯電宣布，於昨（12）日上午已向中國大陸福州市中級人民法院遞狀，控告美光在DRAM及固態硬碟（SSD）等記憶體產品涉嫌侵害聯電大陸公司專利，總共將求償2.7億元人民幣（約新台幣12.34億元）。
聯電表示，美光製造、生產及銷售的Crucial DDR4 2400 8G筆記型電腦記憶體、Crucial MX300 2.5-inch SSD 525GB固態硬碟與七彩虹iGame1080烈焰戰神X-8GD5X顯示卡中的儲存晶片涉嫌侵害該公司的大陸專利。
聯電為維護自身權益，已於昨日上午按不同侵權產品分別向福州市中級人民法院遞狀，對美光半導體（西安）有限責任公司、美光半導體銷售（上海）有限公司、廈門市思明區信通源電腦經營部、廈門安泰勝電子科技有限公司起訴，共計3件訴訟。
聯電將請求法院判令該等被告停止製造、加工、進口、銷售、許諾銷售被訴侵權產品的行為，銷毀全部庫存及相關模具及工具，並請求美光於3件訴訟各賠償9,000萬元人民幣（約新台幣4.11億元）。
聯電表示，美光為國際知名公司，最近1年對聯電動作頻頻，明顯將其與離職員工間的爭議，渲染為企業間的侵害行為，並在美國本土對該公司興訟，經聯電深入檢視，發現有美光在大陸地區銷售的產品確實侵害聯電專利權，因而在大陸地區進行專利侵權訴訟，期能獲得公正裁判。
美光與聯電掀起訴訟戰起因，外界普遍認為，起源於聯電在2016年與福建省晉華集成電路有限公司簽約合作，聯電也受晉華公司委託開發DRAM相關技術，但事實上聯電僅負責技術研發，並未有投入DRAM產業的規劃。

未來3～5年，每年再投資20億美元，未來18個月內還要再召募1,500名員工。
台中報導

　美光決定加碼投資台灣，將台灣據點定位為全球DRAM生產重鎮，有三分之二產能會在台灣生產。美光全球製造資深副總裁Wayne Allan昨（6）日表示，美光在台投資已逾120億美元，未來3～5年將每年再投資20億美元，用來提升製程技術及興建封測廠，未來18個月內還要再召募1,500名員工。
　Wayne Allan表示，看好未來2季度的DRAM市況，且將與上季一樣需求強勁且供貨吃緊，美光的DRAM策略是在維持產能不變情況下，提高生產效率來拉高位元成長率，近期內並無興建新晶圓廠擴產計畫。
　美光的全球晶圓廠佈局中，NAND Flash產能集中在新加坡及馬來西亞，DRAM產能則集中在台灣及日本，與英特爾合作開發的3D XPoint記憶體生產據點位於美國。至於原本生產NOR Flash的新加坡8吋廠將在18個月後關閉，不過美光位於美國維吉尼亞的12吋廠已經開始量產，會維持NOR Flash產能不變。
　美光十分重視台灣DRAM生產鏈的投資，日前在台宣布成立DRAM卓越製造中心，就是要把台中廠（原瑞晶）及桃園廠（原華亞科）的技術及產能進行整合，並且在台中廠對面興建新的封測廠，在台灣打造DRAM完整生產鏈。
台中廠已開始以1x奈米製程量產，桃園廠將在明年跟進，之後還會進行投資升級製程至1y/1z奈米。
　由於今年以來DRAM市場持續缺貨，價格一路調漲，Wayne Allan表示，截至上個月底的2017年會計年度第四季是個強勁的季度，營收將達57～61億美元符合原先預期，而整個產業來看，DRAM廠都沒有興建新晶圓廠的計畫，預期未來2個季度的市況將與上季相當。也就是說，DRAM的好光景還可維持到明年。
　Wayne Allan表示，由於客戶需求強勁，美光在DRAM產能配置上，會把台中廠及桃園廠內的晶圓測試產能，移至台中廠對面的封測廠廠區，8月底向TPK（宸鴻）買下的大鴻先進的廠區，就會用來建立晶圓測試廠。而將晶圓測試產能移出後，台中廠及桃園廠就還有空間可以增加投片量。美光的策略是在維持產能不變情況下，提高生產效率來拉高位元成長率，並且維持目前市占率。
　Wayne Allan表示，美光DRAM生產線已經開始採用智慧製造及大數據，利用在每個機台設備上搭載的感測器來收集資料，進一步分析後提升設備生產效能，如此一來就可以有效提高位元出貨量，如與一年前相比，整個晶圓廠的前置時間縮短了25％，過去18個月內生產效能已提升20％以上。

蔡英文總統今（8）日上午接見「美商美光科技公司訪問團」，強調政府將全力協助美光在台擴建計畫，並盼美光繼續投資臺灣，共創雙贏。

總統致詞時表示，梅羅特拉(Sanjay Mehrotra)總裁接任美光剛滿一個月，帶領這樣一家具有全球性影響力的企業，必定是一項充滿挑戰的工作，相信在梅羅特拉總裁帶領下，美光將會邁向新的發展階段。她也向美光及梅羅特拉總裁，致上衷心祝福。

總統提及，去(2016)年9月，她曾與前任總裁杜肯(Mark Durcan)會面、12月則參與了美光正式併購華亞科的儀式。她強調，政府非常重視外商的投資，也將全力協助美光在臺灣的擴建計畫，希望梅羅特拉總裁帶領美光，繼續來台投資。

總統指出，梅羅特拉總裁擁有豐富產業經驗，想必了解臺灣企業與人才在全球科技供應鏈的關鍵性。把臺灣當做主要的研發與生產基地，進行DRAM全球技術及市場布局，是雙贏的合作。

總統表示，上週經濟學人有一篇文章指出，過去一年外資持續看好臺灣，針對電子產業的外國直接投資更是大幅增長。臺灣經濟前景受到外資肯定，有一個重要的原因，即臺灣政府明確的政策方向，增強了大家的信心。

總統指出，目前政府正以過去少有的決心，推動經濟結構的改革，除了鼓勵產業創新、鬆綁法規，也透過「新南向政策」，加強與東協、紐澳等國家連結，其中也包括梅羅特拉總裁出生地的南亞市場，來拓展並平衡外貿關係；同時，政府也正從教育面向著手，藉由產學合作等方式，培育能夠支應產業未來成長的人才。此外，針對半導體產業所需要水、電基礎建設，政府也將推出「前瞻基礎建設計畫」，進一步來補強。

最後，總統強調，臺灣的投資環境將會越來越好，歡迎 梅羅特拉總裁隨時給予臺灣政府直接的建議，讓我們做得更好。

訪賓一行由經濟部次長王美花陪同，前來總統府晉見總統，國策顧問何美玥亦在座。