中美貿易戰，一波未平一波又起
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晶圓代工大廠聯電昨（31）日表示，已收到電電公會代轉經濟部國貿局來函，希望聯電配合美國商務部對大陸福建晉華集成電路列入出口管制實體清單要求，聯電方面決定，暫緩與晉華之間的合作案，等出口管制事情結束後再協商後續合作事宜。
美國商務部宣布大陸福建晉華列入出口管制實體清單，美國商務部指出，晉華新記憶體晶片的生產力對美軍系統重要零件供應商的長遠經濟生存能力構成重大風險，將透過出口禁令，限制晉華威脅美軍系統重要零件供應商的能力。也就是說，美國企業必須持有特定許可證，才能向晉華出口零件、軟體和技術產品。
聯電原本有意持續與晉華合作，但昨日卻在國貿局以超高效率火速請電電公會代轉函件給聯電，希望聯電配合美國商務部要求，在經聯電高層評估後，決定暫停與晉華之間的合作案，等整件事情塵埃落定，再與晉華協商後續是否繼續合作。
聯電2016年與福建晉華簽約合作，聯電接受晉華委託開發DRAM相關製程技術。不過聯電僅負責技術開發，並沒進入DRAM產業或投資晉華規畫。據雙方原本合約，聯電將接受晉華委託開發DRAM相關製程技術，由晉華提供DRAM特用設備，並依開發進度由晉華支付聯電技術報酬金作為開發費用，開發成果由雙方共同擁有。
聯電原本是希望透過與晉華的合作，結合台灣半導體製造能力及大陸的市場與資金，在台灣進行DRAM製程技術研發，雙方合作所開發的技術主要應用在利基型DRAM的生產，未來亦能提供國內IC設計公司使用。對聯電而言，此一合作案將可把DRAM技術留在台灣。
不過晉華與聯電合作開發DRAM製程技術，並由晉華投資興建DRAM廠，卻引來美記憶體大廠美光（Micron）認定侵權。美光控告聯電及晉華侵害營業秘密及侵權，聯電則在大陸反控美光子公司多項產品侵犯專利權，大陸地區法院於7月初步判斷認定美光子公司侵權。至於美光在美國對聯電的提告目前仍在審理中。

攻入微軟Surface Pro 6供應鏈，拉貨續強
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Surface Pro 6拆解報告出爐，華邦電（2344）、新唐（4919）及瑞昱（2379）成功打進供應鏈當中。法人指出，Surface Pro系列近年來成為微軟強打筆電市場的關鍵武器，預料本次出貨量將可望維持上一代產品的優異表現，相關供應鏈出貨有機會拉貨續強到明年上半年。
微軟於今年10月正式推出Surface Pro 6，採用英特爾第八代Core處理器Kaby Lake refresh，螢幕可支援觸控筆功能，維持筆電、平板自由轉換的二合一筆電特性，成為微軟搶進筆電市場的新武器。
往年微軟筆電新品上市後，知名拆解網站iFixit皆會推出相關拆解報告，本次也不例外。根據iFixit對Surface Pro 6的最新拆解報告指出，國內半導體供應鏈分別有華邦電以NOR Flash、新唐可信賴模組（TPM）及瑞昱的音效晶片打入產品供應鏈。
法人指出，微軟近年來強攻二合一筆電市場，除了搶搭二合一筆電商機之外，更是瞄準Windows XP停止支援後的換機需求，順勢將微軟在筆電市場地位推上全球前五名。
根據國際研調機構Gartner最新報告指出，微軟以Surface系列擠下宏碁，成為美國第五大PC供應商。
二合一筆電近年來成為筆電市場的新寵兒，法人分析，由於智慧手機、平板電腦功能不斷提升，間接排擠到筆電的生存地位，不過筆電對於商務人士及輕度用戶仍具有不可取代地位，因此使筆電銷售價格帶也開始朝向兩極化發展，價格相對便宜的二合一筆電市場自然因此崛起。
因此本次華邦電、新唐及瑞昱等半導體廠攻入微軟二合一筆電供應鏈當中，預料將可望搭上這股換機需求，推動業績向上成長。
供應鏈指出，筆電品牌拉貨週期預料至少都有1年以上，且出貨高峰至少可望維持3季以上水準，因此看好華邦電、新唐及瑞昱將可望維持這股出貨強勁力道直到明年上半年。

李培瑛估第四季DRAM均價下跌5％，下修今年資本支出至210億元
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DRAM廠南亞科（2408）昨（16）日召開法人說明會，受惠於20奈米DRAM產能開出及DRAM價格維持高檔，第三季毛利率續創歷史新高，單季每股淨利達4.15元。
南亞科總經理李培瑛表示，受到美中貿易關稅及處理器短缺影響，第四季DRAM需求相對上半年偏向保守，貿易戰規模及延續時程尚未確定，DRAM市場長期走勢仍需密切觀察。因此，南亞科下修今年資本支出至210億元。
南亞科Q3合併營收季減0.6％達243.75億元，較去年同期成長83.4％，毛利率再拉升至58.9％並創新高紀錄，歸屬母公司稅後淨利季增13.8％達128.72億元，與去年同期相較成長50.6％，每股淨利4.15元，季底每股淨值達51.52元。
受惠於DRAM價格調漲及20奈米產能開出，南亞科前三季合併營收達677.64億元，為歷年同期新高，較去年同期成長77.6％，歸屬母公司稅後淨利達314.09億元，以加權平均在外流通股本30.69億股計算，每股淨利10.23元。也就是說，南亞科今年前三季已賺逾一個股本。
對於第四季市況，李培瑛表示，第四季需求相較前半年趨向保守，預計單季平均價格（ASP）會下滑5％左右。因為市況轉趨保守，南亞科宣布下修今年資本支出，原先預計的接近240億元調降為210億元，主要將減少擴產幅度。
李培瑛表示，第四季伺服器、手機市場健康，包括手機DRAM搭載容量增加，伺服器雖受到處理器缺貨牽制，但搭載DRAM容量及數量還是增加，消費性需求也因進入旺季，主要是電腦標準型DRAM有一點供過於求。
至於在供給端的部分，因第三季有供應商增加投片，新增產能到位時間在第四季，因此市場供給量增加，而在需求相對上半年趨向保守下，李培瑛預估第四季DRAM的ASP則恐下滑5％上下，DRAM現貨市場也受到次級品影響，短期會有跌價壓力。
展望明年，李培瑛分析，需求未見悲觀，雖有季節性變化，但主要關鍵在國際局勢，而供應商在擴產上是理性的，因此不認為明年DRAM報價會有劇烈的波動，但價格調整將在所難免的，這也是合理的。
李培瑛表示，明年DRAM市場關鍵還是在國際局勢，尤其貿易戰規模多大、延續時間多久等，都還是未知數，尤其在關稅部份，客戶端已經直接或是間受到影響，尤其終端客戶若組裝在大陸，就必須採取一些相對應的動作，但若要將組裝產線移到其他國家，需要一點時間。

Q4雖有跌價壓力，但出貨維持高檔，營收力拚持平上季
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被動元件及功率半導體等缺貨效應影響系統廠及ODM/OEM廠出貨，記憶體廠旺宏（2337）及華邦電（2344）公告第3季合併營收雖仍優於第2季，但旺季效應明顯低於預期。第4季因為關鍵零組件缺貨情況略獲紓解，但客戶拉貨動作受到美中貿易大戰影響而趨觀望，法人預期旺宏及華邦電本季營收仍有機會力拚與第3季持平。
旺宏公告9月合併營收月增15.9％達37.49億元，為11個月來新高，但因去年記憶體平均出貨價格高於今年，所以較去年同期相較減少9.7％。第3季合併營收超過百億元大關達100.30億元，較第2季成長13.0％，但較去年同期相較衰退4.2％。累計今年前3季合併營收279.72億元，較去年同期成長18.3％。
旺宏第3季進入任天堂拉貨旺季，但今年旺季表現的成長幅度低於市場預期。法人表示，旺宏下半年高階NOR Flash及SLC NAND仍供不應求，但低階NOR Flash面臨大陸客戶殺價競爭，至於出給任天堂的ROM拉貨動能不夠強，應該是與任天堂遊戲機受到零組件缺貨影響並導致出貨量不如預期所致。
華邦電因子公司新唐營收下滑，9月合併營收月減9.4％達43.19億元，與去年同期相較約略持平。第3季合併營收達136.81億元，較第2季小幅成長1.5％，較去年同期成長9.0％。累計今年前3季合併營收達393.22億元，較去年同期成長14.4％。
法人表示，華邦電第3季DRAM營收維持高檔，NOR Flash面臨市況與旺宏相同，高階缺貨但低階有降價壓力，NAND Flash則受到價格走跌影響，3季營收僅略優於第2季，旺季效應未如市場先前預期的好，但仍創下18年來的單季營收新高。
第4季被動元件及功率半導體的供貨雖然吃緊，但與第3季相較已略獲紓解，雖然個人電腦市場面臨英特爾中央處理器供貨不足壓力，但因總體環境面臨美中貿易大戰衝擊，許多電子產品都被加徵關稅，也讓第4季系統廠及ODM/OEM廠的終端產品出貨趨於保守。法人表示，對旺宏及華邦電來說，第4季雖有跌價壓力，但出貨量應可維持高檔，有機會力拚營收與上季持平。

旺宏將獲得4,000萬美元，雙方並交互授權各約30項專利

台北報導
快閃記憶體廠旺宏（2337）與東芝（Toshiba）雙方互控侵權訴訟終於順利落幕，東芝將支付旺宏4,000萬美元（約合台幣12.32億元），兩公司相互交叉授權各約30項專利，旺宏、東芝雙邊達成和解。
和解消息傳出後，旺宏昨（5）日股價不受台股大跌201點影響，盤中一度逆勢上漲近3％，最終小漲0.64％，以23.55元作收，成交量達77,153張，三大法人一共買超2,499張。
旺宏於2017年3月在美國向國際貿易委員會（ITC）及南加州法院對東芝提起訴訟，控訴東芝銷售產品侵害旺宏NAND Flash、NOR Flash相關製程專利權。不過東芝也不是省油的燈，東芝於同年10月在台灣法院指控旺宏侵犯自家專利，隔月更在日本專利特許廳對旺宏提起侵權認定。
旺宏、東芝雙邊侵權訴訟終於正式落幕，旺宏指出，已經與東芝簽署和解備忘錄，東芝將支付旺宏4,000萬美元，並交互授權各自約30項專利，10月9日前完成撤訴、付款時程等細部合約簽署。
旺宏、東芝雙邊的侵權訴訟更燒到相關供應鏈，旺宏於今年4月對NAND Flash控制IC廠群聯（8299）在台灣智財法院控訴侵犯專利權，隨著旺宏、東芝達成和解，群聯對此表示，關於旺宏與東芝就台灣與日本專利爭議達成和解一案，群聯尊重東芝的決定，惟該和解協議係由東芝與旺宏簽署，群聯無須支付該和解金，並樂觀其成該爭議獲得解決。
此外，觀察NOR Flash市場概況，隨著中國大陸記憶體廠兆易創新開始投片量產，法人圈普遍看壞NOR Flash市場前景，旺宏營運也可能受到影響。
但事實上，兆易創新主要以低容量產品為主，且以消費性電子為進攻市場，旺宏現在已經開始轉進55奈米及75奈米製程NOR Flash，且逐步擴大車用電子布局，因此受影響程度相當有限。
至於旺宏下半年營運，法人認為，旺宏9月合併營收將可望明顯成長，帶動第三季營收挑戰百億元水準，第四季雖開始步入拉貨淡季，不過在日系客戶拉貨維持高檔情況下，可望力保強勢水準，下半年營運明顯優於上半年，全年每股淨利上看5元表現可期。旺宏不評論法人預估財務數字。

規模遠勝過去15年來高科園區的總額，更勝鴻海在美投資案

高雄報導
華邦電子在高雄路竹科學園區投資高達3,350億元的12吋晶圓廠，將在明（3）日動土，這個單一投資規模，遠勝過去15年來高科園區的累計總額，更勝鴻海在美國的投資案。華邦電2020年新廠完工後，將陸續投產隨機動態存取記憶體、及編碼型快閃記憶體，引爆高科技產業群聚高雄的風潮。行政院也拍板定案，增設橋頭第二園區，因應產業用地需求。
高雄代理市長許立明表示，華邦電是全球利基型記憶體主要供應商，即使新加坡祭出優惠條件，最終仍決定落腳高雄、根留台灣，為了迎接華邦電的投資案，高市府去年起，便與科技部共同協助解決華邦電設廠投資問題，加快審查、供水供電等行政作業流程，讓華邦電能以最快的速度建廠生產，從簽約投資到動土，只有1年就達成。
許立明指出，華邦電投資高雄，比鴻海郭董投資美國更大手筆，在南科路竹基地（高科）投資金額高達3,350億元，至少創造了2,500個高科技人才就業機會。在華邦電進駐前，高科總投資金額僅有375億元，此次華邦電不僅為高科2004年成立以來最大規模的投資案，投資規模遠勝過去15年來的累計總額。
他表示，世界第一封裝測試大廠日月光不斷增資擴廠，蘋果軟板供應鏈的台郡科技，也加碼投資和發園區，發展世界最先進5G毫米波，行政院定案橋頭增設科學園區等，高雄從石化、鋼鐵重工業，一路走向高科技的轉型之路，已有成果。
高雄經發局長李怡德說，高雄半導體產業總產值已突破台幣5,000億元，占全台灣將近20％，且數據持續成長中。而近年來，IC材料、晶圓製造、封裝測試等相關業者，持續進駐及擴大產能，不斷提出對於高雄產業用地的殷切需求。
許立明指出，過去10年間，高雄市政府儲備產業用地，開發大寮和發產業園區、以及報編仁武產業園區，近期更與行政院合作啟動橋頭科學園區計畫，目的無非是讓高雄擺脫過去由國家所命定、發展單一重工產業的歷史宿命，引領高雄的產業結構與就業機會，朝向更加多元轉型發展。這次華邦電只一個起步，看好台灣、看好高雄的產業投資需求，近期必將接踵而來。

台北報導
晶圓代工龍頭台積電昨（14）日召開季度例行董事會，會中決議核准約1,364億元資本預算，用來興建廠房及建置新產能，以因應市場強勁需求，並將對子公司TSMC Global Ltd.增資20億美元來降低外匯避險成本。此外，台積公告聘任史丹佛大學電機工程系終身職教授黃漢森為技術研究組織主管，也為近期業界傳出的「台積電9月將有新人事異動」增添想像。
台積電創辦人張忠謀退休後，由劉德音接任董座，魏哲家則擔任副董事長暨總裁。近期業界傳出，劉、魏兩人的職權劃分將更明確，預計在9月進行人事改組。其中，業界點名副總經理王建光可望主管晶圓廠營運，副總經理王英郎將統籌所有12吋廠營運。
在製程研發部份，台積董事會昨核准聘任黃漢森為副總經理。黃漢森將擔任技術研究組織（Corporate Research）主管，並直接對資深副總經理米玉傑負責。黃漢森擁有美國理海大學（Lehigh University）電機工程博士學位，在加入台積前，在史丹佛大學擔任電機工程系終身職教授多年。另外，他在IBM半導體部門也有16年的工作經驗。
業界人士指出，黃漢森擅長新型態的記憶體技術研發，由於現階段嵌入式快閃記憶體eFlash製程技術面臨瓶頸，黃漢森應可帶領台積電朝向新一代的嵌入式非揮發性記憶體技術前進，包括嵌入式磁阻式隨機存取記憶體eMRAM技術，或是嵌入式電阻式記憶體eRRAM技術等。
台積電昨董事會也決議核准新台幣1,364億3,796萬元資本支出，內容包括興建廠房，建置、擴充及升級先進製程產能等，以及第四季研發資本預算與經常性資本預算。
台積電明年最大的投資案，就是在南科興建的5奈米12吋晶圓廠Fab 18，該廠總投資額達250億美元。台積電7奈米已全面量產，支援極紫外光（EUV）技術的7+奈米已完成研發，將在明年量產。至於再下一個世代的5奈米研發順利進行中，應可如預期在2020年進入量產。

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非揮發性記憶體廠旺宏電子（2337）第三季進入旺季，昨（7）日公告7月合併營收30.46億元符合預期，法人看好在任天堂拉貨及NOR Flash漲價等效應下，8月及9月營收將見明顯成長動能。另外，旺宏攜手日本瑞薩（Renesas）合攻車用電子市場，日本瑞薩最新開發的汽車儀表板微控制器（MCU），搭配採用旺宏的多重I/O串列周邊介面（SPI）讀寫操作（Read-While-Write，RWW）快閃記憶體，以滿足空中下載技術（Over-The-Air，OTA）更新功能的需求。
旺宏第二季合併營收88.80億元，較去年同期成長35％，歸屬母公司稅後淨利達23.27億元，較去年同期大幅成長278％，每股淨利1.3元。累計上半年合併營收達179.41億元，較去年同期成長36.2％，歸屬母公司稅後淨利達42.09億元，每股淨利2.36元。
旺宏公告7月合併營收月增9.1％達30.46億元，較去年同期成長5.8％，累計今年前7個月合併營收達209.87億元，與去年同期相較成長30.8％。由於旺宏第三季進入銷售旺季，受惠於任天堂開始拉貨，加上NOR Flash出貨放量且價格看漲，法人看好旺宏第三季營收有機會較第二季成長3～4成幅度。
由於全球主要車廠為了打造更安全的車用電子裝置，並為未來進入自駕車時代打造更完整生態系統，未來車款都會搭載更多先進製程輔助系統（ADAS），旺宏的NOR Flash及SLC NAND已順利打進車用市場，並宣布與瑞薩合作搶進汽車電子市場。
旺宏RWW快閃記憶體產品系列為汽車車載系統中日益普及的空中下載更新應用提供了最佳的解決方案。一級汽車電子廠商無不極力滿足顧客對於汽車安全系統最新功能及安全規範更新的即時需求，而其中一項最具成本效益的方式，即是透過OTA定期進行系統更新。
旺宏RWW快閃記憶體提供多儲存庫（multiple bank）架構，可同時支援讀寫，因此可以在同一個記憶體內部個別不同的儲存庫同時進行讀取與寫入功能。這項特點讓系統在OTA更新過程中還能持續執行。此外，當OTA操作失敗或當資料產生損壞狀況時，系統也能還原至原始韌體。旺宏RWW快閃記憶體採用自有具備高可靠性及高品質的55奈米浮動閘（Floating Gate）製程技術，並適用10年產品長期供應方案。

20奈米產能開出加持，本季可望再上攻歷史新高
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DRAM廠南亞科（2408）昨日公告7月合併營收達81.62億元，相較去年同期明顯成長89.96％，維持在單月80億元高水準。法人指出，受惠於南亞科20奈米製程產能開出，帶動位元銷售量持續成長，預期南亞科本季營收將可望改寫歷史新高。
南亞科公告7月合併營收81.62億元、年增89.96％，雖然相較前月的單月歷史新高滑落，但仍維持在單月80億元的高水準表現。法人指出，南亞科今年20奈米產能持續開出，月產能已經達到3.5萬片，預期第三季20奈米營收比重將可望達到7成以上水準。
觀察銷售產品組合，南亞科現在主力以DDR 4、DDR 3等產品，當中又以標準型8Gb容量為出貨大宗。法人指出，由於一線記憶體大廠紛紛將產能轉至伺服器DRAM，因此標準型DRAM產出相對減少，使本季標準型DRAM價格維持強勢格局，南亞科也因此受惠。
由於南亞科20奈米產能持續開出，南亞科1x／1y奈米也可望在年底量產，且下半年將進攻伺服器8Gb DDR 4及LPDDR4／4X市場，在DRAM價格維持平穩情況下，法人看好，南亞科今年下半年營收將可望逐季成長，由於第二季營收245.92億元，已經改寫歷史新高，也就代表下半年營收有機會逐季創高。南亞科不評論法人預估財務數字。
根據研調機構集邦科技（TrendForce）記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，受惠於買方急欲增加庫存水位以及第三季傳統旺季需求來臨，即便供給位元成長逐季增加，平均銷售單價仍可望小幅上揚，帶動第三季DRAM總產值續創新高。
南亞科同時也規畫投入197.1億元擴產，明年中20奈米月產能將從現在3.5萬片上升至7.3萬片規模，預期明年全年的位元產出率將年增15％。DRAMeXchange預期，未來隨著資料中心建置的普及，以及2020年之後5G的落實，針對邊緣運算的微型伺服器應用（Micro Server）將會在未來3～5年顯著成長，帶動相關零組件與記憶體的使用量明顯增加。

帶動上半年獲利達37.28億，較去年同期大增1.22倍；下半年NOR需求將回溫，營運可期

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記憶體廠華邦電（2344）昨（27）日舉行法說會，並公告上半年營運成果。華邦電今年上半年稅後獲利達37.28億元，相較去年同期大增1.22倍，每股淨利0.94元。對於下半年展望，華邦電表示，下半年利基型記憶體價格將持穩，預期NOR Flash需求也將可望同步回溫。
華邦電今年第二季合併營收134.85億元、季增10.9％，相較去年同期成長18.19％，毛利率達39％、季增1個百分點、年增7個百分點，稅後獲利為21.55億元、季增37％，寫下17年以來單季新高，每股淨利0.54元。
累計上半年合併營收205.38億元、年增19％，平均毛利率為38％，相較去年同期成長11個百分點，稅後獲利為37.28億元、年增幅達122％，每股淨利0.94元。
華邦電指出，由於今年上半年客戶針對NOR Flash進行庫存調整，因此出貨動能表現較弱，不過DRAM、NAND Flash產品出貨則有不錯表現，因此帶動業績出現明顯成長。華邦電總經理詹東義表示，SLC NAND今年第二季出現強勁需求，另外加上NOR Flash市況供需平衡，預期下半年公司營運將可保持穩定成長。
分別觀察華邦電各產品線表現狀況，從DRAM產品線來看，華邦電表示，上季38奈米製程的DRAM營收將逐步增加，且透過產品優化與客戶改善，帶動毛利率向上成長，由於市場需求及製程演進，Specialty DRAM營收及位元成長數同步增長，預期下半年Specialty DRAM市場供需持續穩定，38奈米製程產能將增加。
至於Flash產品線，華邦電預期，今年下半年NOR Flash供給及需求將可望保持均衡，且市場上將對車規等級的SLC NAND Flash及Serial NAND Flash等產品提高關注度。
華邦電看好未來記憶體市場發展，已於去年及今年一共投入350億元在台中廠，預期明年單月產能將從先前的4.4萬片成長至5.4萬片。詹東義認為，擴充產能後，預期2019年、2020年的業務量可望看增，營運實力也將快速成長。