重大政策扶持自家產業鏈，減輕中芯國際、華虹半導體等企業財務壓力

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在美國圍堵大陸半導體產業之下，大陸政府17日宣布，將落實半導體企業減免稅負的優惠政策，包括製程在28奈米或以下，且經營期在15年以上的生產企業，最高可免徵十年的企業所得稅，新規定溯及2020年1月1日起實施，意味著今年相關企業即可受惠，有利減輕中芯國際、華虹半導體等企業的財務壓力。
綜合陸媒報導，美國2020年下半年在半導體領域加強對大陸施壓，與此同時大陸業界卻頻傳狀況，先是年中武漢弘芯傳出項目爛尾，近日又有廣州海芯12吋廠停工，以及大陸晶圓代工龍頭中芯國際驚爆高層內鬨，現任聯合CEO梁孟松憤遞辭呈等負面消息。市場咸認，官方選擇此刻宣布減免稅利多，頗有穩定軍心意味。
中國財政部、發改委等四大部門17日聯合宣布，為了促進大陸半導體產業朝向高品質發展，鼓勵製程小於28奈米以下、且營運在15年以上的半導體企業或項目，第一年至第十年可免徵企所稅，政策自2020年1月1日開始實施。該項措施明顯有利中芯、華虹等製造業者。
另外，製程小於65奈米以下，且營運在15年以上者，第一年至第五年免徵企所稅，第六年至第十年依25％的稅率減半徵收。製程在130奈米以下，且營運在十年以上者，前兩年免徵，第三年至第五年按25％的稅率減半徵收。
利多消息宣布後，迅速拉升當日陸港市場半導體類股氣勢，其中，港股上市的華虹半導體大漲7.4％，而日前受累高層人事變動風波的中芯國際H股，早盤延續前日重挫下跌3％，但新政公布後股價反彈，收盤翻紅上漲3.7％。
受到美方接連針對半導體領域出手，大陸2020年頻出重大政策扶持自家產業鏈。
本次利多政策宣布前，大陸國務院已在8月4日先公布發展半導體和軟體新政，內容達40條，強調要以更大手筆的補帖扶持業者，並提出對製程小於28奈米且經營15年以上的企業或項目，免徵前十年的企業所得稅。
9月初市場則傳出，大陸將在「十四五規劃」中，對半導體、無線網路、人工智慧（AI）等領域投注約人民幣10兆元的龐大銀彈，力挺業界發展以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）為材料的第三代半導體產業。

年增幅逾31％；在資金沒退潮下，防控爛尾停擺，成為大陸首要課題

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近年晶片成為大陸產業發展焦點，對半導體的投資也陷入瘋狂，2020年內新增至少7.1萬家半導體，年增幅逾31％，但伴隨近期數宗半導體項目爛尾成泡沫，如何防控當前氛圍、審慎規劃半導體產業發展成為大陸官方的重點課題。
第一財經報導，無論是8月的半導體與軟體發展新規還是11月初的中共五中全會上通過的「十四五」規劃建議，積體電路都仍被列為最必要的發展技術之一。在近年大陸諸多關鍵企業、產品被美國限制供應，卡住關鍵晶片的窘境下，突破這層核心技術難關成為各地政府希望繳出的政績。
但鑑於近期包括武漢弘芯等多項人民幣（下同）百億級別的項目有爛尾、停擺跡象，當前這種晶片狂熱也成為頭痛問題。工信部副部長王志軍日前便表示，繼前些年鋼鐵、水泥等領域有重複建設、產能過剩等現象後，當前晶片以及太陽能等產業也有盲目投資、造成巨大損失的現象，需要加強監督與規劃。
不過數據反映這股半導體投資熱潮可能無法這麼輕易壓下，數據顯示，截至11月30日，大陸年內新增逾7.1萬家經營範圍含有「集成電路、芯片、半導體」的相關企業，年增長達31.7％，數量呈現爆發式成長。
第一財經引述業內人士說法稱，目前市場上資金仍充足，但半導體更多要看脫穎而出的項目，很多停擺項目都屬於初期不夠謹慎審查，未來若在立項時就有多方面考證，產業總體風險其實可控。另有業內人士稱，如山東、東北等地沒有形成電子產業聚集經濟、沒有配套供應鏈，就不適合發展半導體，沒必要趕熱度，發展性也沒有深圳、上海來得有優勢。數據顯示，當前大陸經營範圍含「集成電路、芯片、半導體」且狀態為在業、存續、遷入、遷出的相關企業裡，廣東省境內有多達12萬家，遠高各省市。其次的福建逼近4萬家，第三的江蘇逼近3萬家，而山東也以約1萬家的規模高居各省市第六。
但適合半導體的省份也並非沒有項目爛尾風險，如經濟強省、半導體與電子產業都深具規模的江蘇，便出現包括南京德科碼、德淮半導體等百億級別的停擺項目。
此外，科創板的成立亦為半導體投資增添柴火，初級和次級市場上不少資金都流向半導體，清科研究中心此前數據顯示，2020年前三季大陸股權市場中，半導體及電子設備獲得1,083.5億元的投資，年增280％領先各產業。

大陸躍居第一大市場，韓國緊追在後，台灣從第一降至第三
台北報導
國際半導體產業協會（SEMI）9日發表全球半導體設備市場報告，第二季全球半導體製造設備出貨金額達167.7億美元，較去年同期大幅成長26％，與第一季相較亦成長8％。不過，第二季中國躍居第一大市場，韓國成為第二大市場，台灣排名由第一降至第三。此外，SEMI亦預期新冠肺炎疫情帶動遠距新商機，全球晶圓廠設備支出因此受惠，三度上修今年成長率至8％，明年將達13％。
全球半導體設備市場報告匯總代表全球電子產品設計及製造供應鏈的產業協會SEMI和SEAJ（日本半導體設備協會）每月收集80多家全球設備公司提交的資料。報告指出，第二季全球半導體製造設備出貨金額達167.7億美元，但市場排名出現變動，中國市場躍取第一大，韓國為第二大，台灣排名降至第三。
中國地區因境內及境外半導體廠商在晶圓代工和記憶體的強勁支出帶動下，第二季半導體設備市場季增31％達45.9億美元，較去年同期成長36％。韓國因三星擴大晶圓代工產能投資，三星及SK海力士亦增加記憶體設備投資，推升第二季設備市場季增33％達44.8億美元，較去年同期成長74％。台灣地區因為台積電7奈米及5奈米產能提前在第一季進行設備裝機，第二季設備市場季減13％達35.1億美元，與去年同期相較成長9％。
SEMI亦公布最新全球晶圓廠預測報告，指出晶片需求在新冠肺炎疫情影響下持續激增，用於通訊和IT基礎設施、個人和雲端運算、遊戲和醫療電子裝置等各種產品，全球晶圓廠設備支出因此受惠，2020年增幅估達8％，2021年更將成長13％。SEMI表示，今年的市況隨著資料中心基礎設施和伺服器存儲需求增加，加上新冠肺炎疫情及中美貿易戰加劇，供應鏈預留安全庫存，是帶動今年大幅增長的主要因素。
以晶片類別細分，2020年記憶體相關投資成長37億美元漲幅最大，較去年同比成長16％，總支出來到264億美元，2021年更將增長18％達312億美元。其中又以3D NAND類別增長幅度最大達39％，2021年漲勢趨緩但仍有7％。DRAM則預計2020年下半年放緩僅成長4％，但2021年將大幅成長39％。
SEMI預測2020年晶圓代工設備支出占第二大類別，將增加25億美元，較去年成長12％至232億美元，2021年小幅成長2％達235億美元。至於類比支出2020年將強勁增長48％，2021年增幅降至6％，漲勢主要由混合訊號及功率廠設備投資所推動。

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大陸為推動本土半導體產業鏈發展，2018年10月成立、規模逾人民幣（下同）的大基金二期，終於將在3月底進行實質投資。大陸業界人士認為，大基金二期首波投資對象，可能將以記憶體晶片、半導體設備與材料為主。
大陸為全球半導體消費大國，每年自海外進口金額超過2千億美元，為了擺脫長期對外企的依賴，並打造本土半導體產業鏈「國家隊」，2014年9月大陸成立大基金一期，規模1,387億元，並於2015年2月展開投資。
2018年3月傳出大基金二期已獲大陸國務院批准，最終在2019年10月22日註冊成立，規模更達2,041.5億元。
大基金二期成立後，原本市場預料其將於2019年底進行投資，但邁入2020年仍不見動靜，引發外界猜測。中國證券報12日援引大陸業內人士說法表示，大基金二期在2020年3月底應該可以開始實質投資；而接近華芯投資（大基金管理人與股東）的人士也透露：「正在努力按這個目標推進。」
報導稱，目前大基金二期尚未有落實的專案。部分大陸業內人士表示，大基金二期未能在2019年底先行展開投資，主要受到資金尚未認繳到位，以及2020年初新冠肺炎疫情影響等因素有關。
另一方面，大陸地方政府也積極支援大基金二期。證券時報日前報導，廣州市政府出資50億元參與大基金二期，因此目前暫不考慮設立自身的市級半導體產業基金。廣州擁有眾多的家電與電子企業，每年對晶片需求量大。
大陸業界人士認為，大基金二期將首先關注已經投入的企業和重點專案，譬如記憶體，以及刻蝕機、薄膜設備、測試設備和清洗設備等領域，推動龍頭企業做大做強，另外，還將加快展開光刻機等核心設備的投資布局，以及有關5G、AI（人工智慧）等自產率仍低的IC設計公司。

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近年大陸在半導體領域急起直追，官方透過政策與財政，大力扶持自家半導體業者。全球知名半導體市場調研機構IC Insights最新數據顯示，2019年大陸晶圓製造市場規模年增6％，在全球主要國家和地區市場中，唯一取得正增長。
綜合陸媒報導，IC Insights於9日發布2019年全球主要國家和地區晶圓製造市場的數據，除了大陸年增率取得正增長，其他市場均出現停滯與下滑，歐洲地區、日本甚至是兩位數下滑。
報告顯示，2019年大陸晶圓製造市場規模為113.57億美元，年增6％。相較之下，美洲地區為308.13億美元，年減2％；歐洲地區為35.95億美元，年減11％；日本為29.87億美元，年減13％。該年度，大陸在全球晶圓製造市場市占率較2018年上升1個百分點至20％，而2018年時的全球市占率較2017年上升5個百分點至19％
對此，IC Insights認為，過去10年，大陸晶片設計公司數量的快速興起（例如華為旗下的海思半導體），帶動其對晶圓製造的需求相應增加。不過，2019年因中美貿易戰減緩大陸的經濟增長，該年度大陸的晶圓製造市佔率僅成長1個百分點至20％。
2014年中國國務院印發「國家集成電路產業發展推進綱要」後，建設本土半導體產業鏈、打造具有國際競爭力的半導體企業，成為大陸中央到地方一致的目標。同年9月，規模為人民幣（下同）1,387億元的大基金一期正式成立。
截至2018年底，大基金一期投資基本完畢，在其投資的半導體項目中，尤其著重半導體製造、IC設計、產業生態建設部分，製造占比更幾乎達到一半。2019年底，大陸官方更啟動規模逾2千億元的大基金二期。
稍早前，經合組織（OECD）在2019年底的最新研究報告指出，許多國家為扶持自身半導體產業，均砸下大額資金扶持，但與其他國家相比，大陸半導體企業獲得最多來自政府的資金支持和介入，旗艦企業紫光、中芯所獲得的政府資金更占公司營收三成。

台北報導

5G、人工智慧（AI）於2020年到來，加上中國大陸持續強化半導體自製化，研調機構DIGITIMES Research認為，中國大陸在IDM及晶圓代工廠等領域都已經開始出現擴產及新產線建置計畫，同時中國大陸半導體製造亦將推進到14奈米世代。
2020年隨終端需求回暖、5G等新興應用推動晶片需求，中國大陸IC製造業產能擴張意願提升，加以大陸晶片自主相關政策支持、記憶體新品問世，以及新建產能陸續投產。
DIGITIMES Research分析師陳澤嘉認為，在市場供需與官方政策支撐下，2020年大陸晶圓廠產能擴張趨勢底定，包括IDM廠或晶圓代工廠多有擴充規畫，且涵蓋4、6、8、12吋等各式產能，晶圓代工業亦可望進入14奈米世代。
陳澤嘉指出，因應5G、IoT等應用帶動邏輯、記憶體、功率與類比晶片需求，大陸半導體製造業者擴建新產能陸續於2019、2020年投產，無論IDM或晶圓代工業者，多有相應產能擴充計畫。除市場需求增溫帶動外，中國晶片自主戰略帶動IC製造新技術、新產品量產，也將驅動2020年晶片產能增加。
2020年大陸IC製造業產能擴張並不侷限於12吋產能，8吋成熟製程或低功耗等特殊製程亦符合IoT相關應用需要，因此也有相應產能擴充或新建產線計畫。且包括14奈米等新技術、3D NAND Flash等記憶體量產，以及IoT等應用帶動功率元件、類比IC等需求擴增，也促使陸廠在成熟製程、特殊製程強化布局。
事實上，中國大陸最大晶圓代工廠中芯國際亦正進行7奈米及更先進的技術研發，並向全球最大的極紫外光（EUV）設備廠ASML採購相關產品，預期在2022年後有機會再度向前推進。
不過，法人圈認為，雖然中國正傾國家之力研發半導體技術，但台灣、韓國及美國等主要科技大廠技術布局相對較早，因此中國在近幾年內要追趕上有相當難度，預期台積電在晶圓代工領域上仍可望穩坐龍頭霸主寶座。

其中紫光、中芯獲得的政府補貼，更占公司營收三成
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當前全球半導體業者在各自國家政府支持下，不僅要比技術，還要比口袋深度。經合組織（OECD）最新研究報告指出，與其他國家的競爭對手相比，中國半導體企業獲得最多來自於政府的資金支持和介入，紫光、中芯獲得的政府資金更占公司營收三成。
香港信報13日報導稱，OECD對全球最大的21家半導體公司進行分析並發布報告，當中包括紫光集團、中芯國際、華虹半導體、長電科技這四家中國企業，以及英特爾（Intel）、高通（Qualcomm）等六家美國公司。2018年，這些公司的收入合計超過3,700億美元。
報告指出，這21家公司在2014年至2018年間獲取價值500億美元的政府金援，方式包括直接撥款和政府持股。獲得官方金援最多的前三名業者中，紫光集團排名第一，其次是韓國的三星電子和美國的英特爾。
不過，按這21家公司所獲得的政府資金在其收入中的占比進行比較時，可以發現，中國半導體公司的排名居前，譬如，紫光集團和中芯國際所獲得的政府資金，超過這兩家公司年收入總和的30％。報告還提到，中國企業在獲得諸如「中國國家集成電路產業投資基金」（簡稱大基金）等金援單位支撐下，不僅加速擴廠，也積極進行海內外收購。
自2014年中國國務院印發「國家集成電路產業發展推進綱要」以後，建設本土半導體產業鏈、打造具有國際競爭力的半導體企業，成為中國中央到地方政府一致的目標。同年9月，規模人民幣（下同）1,387億元的大基金一期正式成立，各地亦仿效成立推動半導體的產業基金。
陸媒表示，截至2018年底，大基金一期投資基本完畢，在其投資的半導體領域中，尤其著重在積體電路製造、IC設計、產業生態建設部分，積體電路製造占比更幾占一半，可謂重中之重。
大陸業內人士指出，從投資方向看，大基金一期偏向需求度更高的製造領域，並重點投向中國龍頭企業，例如對中芯國際的承諾投資便達到約215億元，長江存儲（屬於紫光旗下，主攻DRAM與NAND Flash）達到190億元，華力微電子約116億元。2019年10月，中國政府推動下，規模逾2千億元的大基金二期宣告註冊成立。

5G手機銷售量2020年達2億支，中國品牌占逾六成
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中國以舉國之力推動5G，市場共識2020年高達2億支5G手機銷售量中，中國品牌市占率六成以上，晶圓代工龍頭台積電、IC設計台灣之光聯發科可望優先受惠。
全球5G商用化時程提前，原先預期2020東京奧運才是全球5G商用之始，但南韓、美國已搶在4月開台。然而，南韓與美國開台後，電信業者5G網路建設緩慢，終端的選擇有限、價格又貴，美國的5G網路覆蓋率與用戶都偏低，南韓5G用戶數成長率在衝完開台那一波促銷後，便大幅下滑，已申辦5G服務的南韓消費者對收訊多所抱怨，至於歐洲5G已有多國開台，但到目前為止，這些國家的5G網路建設都被業界視為「做做樣子」而已。
雖然搶先開台5G的市場表現多不如預期，相關動作卻成功刺激中國，將5G商用時間提前至11月，並吸取美國與南韓5G之途不順的教訓，中國建置的5G基地台數量不僅居全球之冠，三大電信業者更積極主導5G手機價格下滑。
其中中國移動喊出2020年5G手機銷售量1.5億支的目標，並積極介入2020年中5G手機價格走勢，在中移動規劃中，2020年中人民幣2,000元將是5G手機主流價位，與目前相較幾近對半砍，2020年底入門級5G手機售價，更將挑戰人民幣1,000～1,500元，以壓低售價帶動銷量的企圖心不言可喻。
其中台積電因同時身為5G手機兩大晶片組供應商高通、聯發科的晶圓代工廠，是中國5G手機市場起飛當然受惠者，更重要的是，市場看好，華為2020將成為中國5G手機市占率一哥，旗下IC設計公司海思打造的5G手機晶片組為台積電代工，連華為5G基地台所用晶片組，也多為海思與台積電的組合，以華為目前手握中國三大電信業者，合計約五成的5G網路訂單來說，台積電可說通吃從基地台到終端的商機。
聯發科計畫2020年中推出平價版的5G單晶片MT6883，正好可趕搭上中移動規劃的5G手機主流價位帶。

譚有勝／綜合報導
根據大陸工信部9日指出，2018年大陸積體電路銷售額達到人民幣（下同）6,532億元，年增20％，近全球半導體市場規模增幅的3倍，且產業結構正逐步往中上游領域發展，設計領域、製造領域占比明顯提升，產業結構進一步優化。
新華社報導，大陸工信部電子信息司集成電路處處長任愛光在「2019年全國電子信息行業工作座談會」透露，大陸積體電路市場規模的增速將近全球三倍，2018年，全球半導體市場規模為4,779.4億美元，2012～2018年複合增長率達7.3％；大陸積體電路產業銷售額則達6,532億元，2012～2018年複合增長率為20.3％。
值得注意的是，雖然2018年大陸積體電路銷售額較2017年的5,441億元增長20％，但產業增速較2017年的25％相比，略有放緩的跡象。
報導指出，從積體電路產業結構來看，2018年，大陸積體電路設計業銷售額達2,519.3億元，占比從2012年的35％逐步增加到2018年的38％；製造業銷售額達1,818.2億元，占比從2012年的23％增加到28％。另外，2018年大陸封測業銷售額則為2,193.9億元，占比為34％。

第一代半導體材料就是我們最為熟悉的矽或鍺，又稱元素半導體材料。第二代半導體材料以砷化鎵（GaAS）等化合物材料為代表，可發光但有一定之波長限制，拜LED、行動通信及光通信風潮之賜，第二代半導體材料繼之成為鎂光燈下的新焦點。
隨著5G、雲端計算、工業4.0及新能源車等之日益蓬勃，人們對高效率電力電子產品之需求更是殷切。以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為首的第三代半導體材料因具高溫、高壓、高功率、高頻及抗幅射等特性，廣泛應用於各式發光及電子電力元件。
SiC在光電領域方面可實現全彩顯示，在家電、新能源車及太陽能等應用上則具節能與提高效率等效果；GaN除可協助改善汽車傳感器之性能外，在快速充電、高亮度LED及5G無線基地台等領域之應用上亦具明顯競爭優勢。
市調機構Yole Developpment指出，由於採用SiC MOSFET模組的特斯拉Model 3產能增加，SiC市場成長快速，2023年全球市場規模約15億美元左右，複合年增率29％。
GaN市場則受惠於Apple考慮將GaN技術作為智慧型手機之無線充電解決方案，2017～2023年GaN應用於電源市場之複合年增率將高達93％；另隨5G之即將蓬勃，2023年射頻GaN市場規模將倍增至13億美元左右，複合年增率22.9％。
大陸發展第三代半導體產業緣自2013年科技部「863計劃」將之列為戰略發展產業，2016堪稱是大陸的第三代半導體產業元年，除國務院國家新產業發展領導小組於當年將第三代半導體材料列為重點發展方向外，福建等27個地區近30條的相關政策也陸續推出。
同年6月25日，福建省政府、國家集成電路大基金及三安光電等共同揭牌成立安芯基金以建立第三代半導體產業聚落，基金目標規模500億元人民幣（下同），首期出資75.1億元。2017年工信部、國家發改委公布的「信息產業發展指南」，更將第三代半導體材料列為積體電路產業發展重點。
2018年3月，深圳市政府大力支持的第三代半導體研究院正式啟動，位於北京順義7.1萬平方公尺的第三代半導體材料創新基地，亦於同年12月底正式完工。
根據統計，2018下半年起大陸有超過8個第三代半導體項目落實，除北大、清華及中科院仿生技術研究所等14個單位聯合成立氮化物半導體材料研究計畫外，更有重慶捷舜科技的50億GaN設廠計畫、中科院的20億SiC一體化項目，以及山東天岳晶體的30億SiC材料廠等項目。
另外，三安光電在2018年底宣布完成商業版本的6吋SiC晶圓製程，耐威科技的8吋GaN-on-Si外延晶圓也預計於2019年第二季開始量產出貨。
大陸的鎵產量占全球70％以上，面向5G、新能源汽車及智能電網等電子電力產品之蓬勃發展，挾5G技術領先及全球新能源汽車最大產銷重鎮等優勢，大陸積極擺脫第一代及第二代半導體跟跑窘境，換道超車領跑第三代半導體產業的企圖心不容小覷。