打進車用、航太領域....，董事長吳敏求大方犒賞
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快閃記憶體大廠旺宏NOR Flash及NAND Flash強攻利基市場有成，除了順利打進一線車廠的自駕車及自動駕駛輔助系統（ADAS）供應鏈，也成為全球首家進入到太空領域的快閃記憶體供應商。另外，旺宏今年獲利大躍進，繼9月恢復發放季獎金後，董事長吳敏求又大方發放耶誕紅包，每名員工可領到新台幣1萬元，總金額超過4,000萬元。
旺宏第4季雖然進入傳統淡季，但因大客戶任天堂的拉貨動能強勁，加上NOR Flash價格續漲，營運可望淡季不淡，11月合併營收雖月減20.6％達32.88億元，但較去年同期大幅成長49.6％。累計前11個月合併營收達310.72億元，較去年同期大幅成長41.1％。
至今年第3季為止，旺宏已經連續5季度維持獲利，外資法人預估旺宏第4季營收將季增5％以上，毛利率維持38～40％高檔，單季獲利亦將超過第3季的21.23億元，代表全年每股淨利將挑戰2.9～3.0元。旺宏不評論法人預估財務數字。
旺宏今年重拾獲利動能，為了激勵與回饋員工，第3季加發平均0.5個月薪資的季獎金及0.5個月中秋禮，是6年來首度恢復發季獎金制度。而吳敏求為了慰勞員工辛勞，決定大方發放耶誕紅包，每名員工可領到新台幣1萬元，總金額逾4,000萬元。
旺宏除了是蘋果Macbook、微軟Surface、任天堂遊戲機Switch的主要NOR Flash供應商，近年來積極卡位的SLC規格低容量NAND Flash亦順利打開汽車電子及航太工業市場。吳敏求日前出席旺宏第16屆科學獎時，透露旺宏是業界第1家在汽車電子市場達到低於1個PPM（百萬分率）不良率的業者，而且旺宏也是全球第1家打進太空領域設備的快閃記憶體廠，代表旺宏的產品通過層層嚴苛考驗。
業者指出，旺宏的NOR Flash及NAND Flash在抗射線及抗酸蝕、寬溫特性上都要有優於其它同業的表現，才能打進航太工業供應鏈當中。旺宏的NOR Flash及NAND Flash設計之初就以通過車規及軍規的認證為首要，所以打進太空領域及搭載在衛星設備上，對旺宏來說的確是一大里程碑。
雖然市場對明年上半年快閃記憶體市況看法保守，但旺宏仍對明年抱持樂觀看法。外資法人預期，旺宏明年NOR Flash平均價格將較今年再漲10％，NAND Flash價格約略持平，但位元出貨量將較今年增加，明年營收可望較今年成長逾3成，每股淨利上看4.0～4.5元。

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市場研究機構集邦科技對明年記憶體市場提出展望。集邦看好行動式DRAM需求續強，雖然價格看漲恐壓抑搭載容量成長空間，但蘋果新機的容量提升將是成長主力。伺服器市場明年維持成長，高容量伺服器DRAM模組的備貨動能將會延續至2018年底。至於NAND Flash市場在3D NAND產能開出下，明年上半年價格看跌，但下半年仍可能供給吃緊。
根據集邦科技的預估，2018全年全球伺服器出貨規模將成長約5.3％，慧與科技（HPE）、戴爾、聯想仍為前三大伺服器出貨品牌廠，整體市占率約為40％。但隨著大環境轉移、智慧型終端裝置普及，資料中心直接代工（ODM Direct）將成為整體伺服器市場的成長動能，出貨預估年增14.4％。
展望2018年NAND Flash產業，上半年受到淡季效應的影響，需求走弱，市場屆時將面臨小幅供過於求的情況，NAND Flash價格有機會走跌。預估2018年NAND Flash平均價格將較2017年衰退10～20％。
在需求端方面，UFS介面明年下半年有機會開始導入中低階智慧型手機市場，滲透率將挑戰20％水準。另一方面，隨著伺服器及資料中心、PC市場近年來加速導入固態硬碟（SSD）產品，SSD已成為NAND Flash市場下一波成長動能所在，2018年占NAND Flash產能的消耗比重將超過40％。其中，PCIe介面將會是2018～2019年的主流介面。此外，2018年筆電用SSD滲透率在NAND Flash價格走弱下，有望首度突破50％大關。

12月將再度處分美光持股，外資看好今明兩年都將賺逾一個股本

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　DRAM廠南亞科（2408）第四季20奈米製程發威，不僅20奈米DRAM單位製造成本已明顯低於30奈米製程，加上20奈米投片量逐月拉升，將帶動毛利率逐季走高到明年第二季，本業獲利亦將逐季快速拉高。

  加上12月將再度處分手中美光持股，外資法人看好南亞科今、明兩年都將賺逾一個股本，後年每股淨利亦有賺逾10元的實力。

　南亞科20奈米DRAM提前在第三季量產，由於良率表現優於預期，第三季已提前達到20奈米單位製造成本低於30奈米的成本交叉目標，9月產出量已超過1萬片。第四季DRAM仍供不應求，合約價平均漲幅達1成，南亞科將在12月將20奈米產能直線拉升至3.8萬片，不僅毛利率會比第三季的44.2％更好，8Gb DDR4也已順利投片。

　法人表示，南亞科預估第四季位元出貨量將較上季增加約15％，再加上平均銷售價格較上季調漲5～10％，預估單季合併營收將上看160億元，季增幅度上看2成。由於20奈米DRAM營收占比提升帶動毛利率拉高，單季營業利益將上看50～60億元，加上12月後將再處分手中美光持股，今年全年可望賺進一個股本。

　南亞科DDR4近期已陸續送交電腦及伺服器客戶進行認證，年底前可望完成認證並正式放量出貨。業界指出，南亞科採用20奈米製程投產的8Gb DDR4，可應用於伺服器平台，等於重返伺服器DRAM市場，由於伺服器DRAM價格較傳統標準型DRAM高出2～3成，對於明年第一季營收及獲利將有明顯挹注。

　法人預期，南亞科20奈米產出將在第一季持續放量，加上價格持續看漲，不僅將帶動營收成長，毛利率也會比第四季更好，完全不受記憶體傳統淡季及工作天數減少衝擊。由此推估，南亞科第一季營業利益可望衝上70億元，改寫單季本業獲利新高紀錄。

　南亞科預計12月10日之後會繼續處分手中的美光持股，目前手中持有美光股數達21,966,142股，每股持有成本17.29美元，以美光股價近期漲至48美元左右計算，未實現潛在獲利仍高達6.75億美元，約折合新台幣超過200億元，約可挹注每股稅前盈餘7.2元。法人預期南亞科第四季將處分部份持股，明年會繼續處分，由此推算，南亞科今年及明年都將賺逾一個股本。南亞科不評論法人預估財務數字。

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記憶體漲價掀起半導體廠排名大風吹。根據研調機構IC Insights預估，三星今年將可望取代英特爾成為全球半導體產業龍頭，SK海力士及美光各向前進步兩名，成為第3名及第4名。
此外，聯發科今年仍在進行轉型計畫，因此營收受到影響，IC Insights指出，聯發科將掉出全球前10大半導體廠排名之外。
IC Insights最新報告預估，三星今年全年營收將可望達到656億美元，將可望取代英特爾，成為全球半導體廠龍頭。
IC Insights表示，英特爾自1993年就持續稱霸半導體廠第1名寶座，迄今已經連續24年之久，但從今年第2季起三星就躍居榜首，帶動三星成長的主要原因就是DRAM、NAND Flash漲價效應。
受惠記憶體漲價風的還有SK海力士、美光，根據IC Insights統計，SK海力士及美光今年合併營收可望相較去年成長75.84％、73.33％，兩大廠排名也相較去年成長兩名，成為第3、第4名。
至於近期可能合併的博通、高通，預估今年合併營收分別為176億美元、171億美元，兩者排名為第5及第6名。若高通、恩智浦及博通等3大廠合併後，營收規模將增加至439億美元，將可望一舉跳升至第3名。
聯發科今年持續進行轉型計畫，手機晶片事業鎖定中低階市場，高階市場暫時不推出新產品，同時多角化布局物聯網、特殊應用晶片（ASIC）等事業體，不過成效仍尚待發酵，因此IC Insights預估，聯發科可能掉出全球前十大半導體廠排名之外。
由於今年以來人工智慧（AI）成為市場最熱門的話題，輝達（NVIDIA）以GPU產品搭上這波風潮，營收規模今年也將可望成長至92億美元，排名從前十大之外，上升至第9名。
法人表示，記憶體產業漲價是由市場供需決定，DRAM部分，近年來由於各大廠久未擴產，加上市場需求暴增，帶動記憶體漲價，至於NAND Flash領域，則是由於2D轉3D製程不順，但目前市場供給已逐漸順暢，綜合因素下，明年前十大半導體廠排名仍有變數。

集邦：傳統旺季到，加上供不應求，Q4平均價格漲幅約10％

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　根據市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMexchange）調查，第三季全球DRAM產業營收表現再創新高，受惠傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類DRAM產品合約價普遍較前一季再上漲約5％。第四季因為進入DRAM市場傳統旺季，加上仍是供不應求市況，平均價格漲幅將落在10％左右，法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）將直接受惠。

　從市場面觀察，第三季全球DRAM總營收達191.81億元，較上季再成長16.2％，整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，第四季DRAM價格平均漲幅將落在10％，其中，OEM廠已議定第四季合約價格較上季調漲約7％，就一線大廠訂價來看，4GB DDR4模組均價已達30.5美元。

　從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式DRAM接棒漲價帶動，配合DRAM供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的DRAM廠決定調升行動式DRAM報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式DRAM在第四季漲幅約有10～20％，伺服器DRAM拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲6～10％。

　綜觀第三季DRAM市場表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，營收季增15.2％達87.90億美元，再度創下歷史新高。SK海力士營收季增22.5％達55.14億美元，成長動能顯著，兩大韓系業者的市占率合計高達74.5％。第三大廠美光集團營收季增13.0％達40.23億美元，市占率約21.0％。

　由於SK海力士第三季平均銷售單價高於美光，導致兩者市占差距持續擴張。展望第四季，由於美光逆勢成為價格領導者，價格漲幅超越兩大韓系業者，預計將縮減與第二名的市占差距。

　在台廠部分，南亞科第三季營收較前一季小幅成長5.3％達4.39億美元，主要是利基型DRAM價格上揚幅度不及國際大廠有較完整的產品線。然而隨著南亞科20奈米良率繼續提升，將會持續改善成本結構及增加獲利空間。

　力晶科技第三季DRAM營收下滑3.6％達1.03億元，主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳，排擠部分DRAM產能。華邦電第三季營收成長8.7％達1.77億美元，但由於後續製程轉進狀況不明，未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。

陸龍頭廠兆易獲中芯力挺 增產規模占全球產量近三成 恐打亂價格 旺宏、華邦電遇亂流

【台北報導】
紅色供應鏈入侵當紅的編碼型快閃記憶體（NOR Flash）領域。大陸NOR晶片供應龍頭兆易創新，獲當地晶圓代工一哥中芯國際力挺，全力搶進NOR Flash生產，中芯承諾每月提供兆易創新2.5萬片產能、占全球NOR供應量近三成的規模，大舉拓展大陸NOR Flash版圖。

中芯力挺兆易創新，大舉開出產能，為正處於缺貨的NOR產業，投下一顆震撼彈，牽動旺宏、華邦電等台廠神經。

記憶體業者透露，兆易創新新增產能預定在明年第1季陸續投片，加計台灣主要供應商旺宏和華邦電，以及晶豪科等，也都同步增產搶食商機，恐讓NOR晶片明年首季再掀價格戰，其中尤期是中低容量產品，競爭壓力加大。

台灣廠商也嗅到相關威脅，旺宏董事長吳敏求日前法說會上，釋出本季「還看不太清楚」的訊息，指的就是NOR市場將遭中國大陸新增產能干擾的問題，預估低階市場將先受到衝擊。旺宏當時強調，該公司近年在品質和服務扎好基礎，同時提升高階產品比重，預料衝擊有限。

NOR晶片在全球兩大供應商賽普拉斯半導體（Cypress）和美光（Mircon）相繼宣布淡出，但終端需求大開下，今年大缺貨，報價翻漲，年初以來每季均漲價，應用在汽車和商務型電腦的高階產品更是大排長龍。

NOR大缺貨，大陸業者格外眼紅，全球第四大、中國最大NOR記憶體供應商兆易創新，今年6月即積極想擴大NOR產出，但礙於矽晶圓缺貨，中芯無力支援，武漢新芯也轉向全力支援自家生產，使得兆易創新到處碰壁，增產數量有限 。

不過，中國官方全力發展記憶體的政策方針 ，為兆易創新打開新機。業界透露，兆易創新獲中芯力挺，中芯承諾以每月提供2.5萬片產能給兆易創新，為其代工生產NOR記憶體，以目前全球NOR記憶體每月產量約8.8萬片計算，增產的數量近三成之多。

加上國內二大廠旺宏和華邦電也都同步增產NOR晶片，以記憶體代工為主的力晶，也宣布將配合晶豪科，重啟NOR產能，相關產能陸續到位，若加上武漢新芯也大舉投入，都為原本供不應求的NOR型快閃記憶體，投下新變數。

國內二大供應商也加入擴產。華邦電宣布，中科廠預定今年底月產能將由4. 4 萬片，增至4.8萬片，未來將再增加到5.2萬至5.3萬片，必要時可再增至5.5萬片時，新增主要增產NOR晶片；旺宏下半年將高階產品移至12吋生產更新的製程生產。

【2017-11-13/經濟日報/A3版/話題】

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　由於蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產能，在產能排擠效應發酵下，標準型、伺服器、利基型等DRAM持續缺貨，第四季合約價順利再漲6～10％，業界對明年第一季淡季續漲5％已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。

　南亞科受惠於DRAM合約價順利調漲，加上20奈米製程新產能全面開出，昨（6）日公告10月合併營收月增9.2％達50.72億元，創下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7％。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介於43～45億元間維持高檔，改寫近17年來的單月營收新高，威剛10月合併營收應可衝上30億元大關，並改寫4年來新高紀錄。

　由於蘋果第四季進入新款iPhone出貨旺季，其中iPhone X全球大賣且超乎預期，蘋果已通知供應商將擴大採購記憶體，三大DRAM廠的行動式DRAM產能已被包下，無多餘產能可供應給其它手機廠，導致行動式DRAM第四季合約價大漲10～15％幅度。

　在產能排擠效應發酵下，標準型、伺服器、利基型等DRAM持續缺貨，現貨價已連漲6週，創下今年以來現貨價最長漲勢，缺貨最嚴重的4Gb DDR4顆粒現貨價更已一舉漲破5美元大關再創歷史新天價。

　在現貨價持續上漲下，第四季合約價順利調漲6～10％，由於現貨價及合約價之間溢價差高達3成，業界因此認為明年第一季就算是記憶體淡季，價格仍可望續漲5％。

　雖然近期市場傳出三星可能擴大DRAM產能消息，但三星日前法說會中已明確表達並無此事。三星表示，2018年資本支出雖大舉提升至46.2兆韓元（約折合411.5億美元），半導體資本支出僅占64％，平澤廠（Pyeongtaek）新擴產能主要是因應強勁的3D NAND需求，以及聚焦在10奈米晶圓代工產能，明年DRAM位元成長率將與市場平均位元成長率相當。由此來看，三星仍沒有大擴DRAM產能計畫，也讓其它DRAM廠大大鬆了一口氣。

　事實上，記憶體業界對2018年DRAM市場仍維持吃緊市況看法，龍頭大廠三星已在10月底通知通路商，第一季將再度調漲DRAM價格，行動式DRAM因需求強勁，價格漲幅將超過5％。業界認為，三星在傳統淡季敢調漲價格，顯示對2018年DRAM市場維持樂觀看法，也說明三星在擴產態度上十分節制，不會放棄拉升DRAM獲利以推升集團獲利表現的策略，這有助於破除近期市場擔心三星可能會擴產打亂DRAM產業秩序的疑慮。

董事會通過，發行4億股，為興建高雄12吋晶圓廠籌措資金

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　記憶體大廠華邦電（2344）為了2020年產能做規劃，將在高雄興建新廠，昨（24）日華邦電召開董事會，通過辦理現金增資案，規劃以每股22元，辦理4億股增資，總計籌措金額達88億元。

　華邦電今年以來記憶體產能需求強勁，且供給完全不及市場需求，因此華邦電於今年9月宣布，將興建12吋晶圓廠，並落腳在高雄，以因應2020年以後的產能需求，預計將以20奈米世代製程DRAM為主要產線，其次將建置3x奈米NAND／NOR Flash產能。

　為了籌措新廠興建資金，華邦電將辦理現金增資，預計將以每股22元，發行4億股，以今天收盤價27.9元計，折價約21％，估增資金額將達到88億元。其中員工將可認購4,000萬股，另外3.2億股則開放原始股東認購，至於最後4,000萬股才開放公開申購。

　華邦電目前訂定11月6日為現金增資基準日，11月2日為停止過戶起始日，至於原始股東及員工股款繳納日則為11月10日～12月11日，特定人股款繳納期間訂12月12日至12月14日。

　華邦電今年以來不論是NOR Flash、DRAM及NAND Flash產能都已經被國際大廠包下，不論是NOR Flash及DRAM皆受到國際大廠青睞。華邦電已與西門子簽訂客戶品質合約，華邦電的利基型DRAM、NAND／NOR Flash等記憶體將被西門子採用，應用在工業及車電領域，此外，日前市場也傳出，華邦電今年的Mobile DRAM產能已經被英特爾包下，將可望搭載在英特爾的數據機晶片，打入美系手機大廠當中。

　至於NOR Flash產業，今年下半年產能早在上半年就已經被三星、蘋果等系統廠採購，原因在於整合觸控功能面板驅動IC（TDDI）及OLED面板都需要外掛一顆NOR Flash，且加上國外記憶體大廠逐步淡出中低規格NOR Flash，使已經供給吃緊的NOR缺貨情形持續加劇。

單季EPS賺逾1元，Q4獲利可望創今年新高；員工多領1個月薪水歡度中秋

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　受惠於NOR Flash第三季價格大漲2成以上，快閃記憶體大廠旺宏（2337）第三季可望繳出亮麗成績單，不僅合併營收將突破100億元創下新高，單季每股淨利可望賺逾1元。至於第四季NOR Flash仍然缺貨，價格已續漲10～15％幅度，旺宏年底前產能已全數賣光，銷售處於配銷（allocation）模式，法人看好第四季營收及獲利將創今年新高。

　旺宏上半年完成減資及打消累虧，第二季底每股淨值已達10.75元，而且第三季在NOR及NAND Flash價格大漲下，營運可望連續5季度維持獲利，因此，旺宏為了激勵與回饋員工，近期加發平均0.5個月薪資的季獎金，是6年來首度恢復發季獎金制度，加上中秋禮向來多0.5個月薪資，旺宏員工等於將增加1個月薪水，開心歡度中秋佳節。

　今年以來NOR及NAND Flash價格同步調漲，旺宏第二季合併營收65.63億元，歸屬母公司稅後淨利6.16億元，較第一季成長逾2倍，以減資後股本計算每股淨利0.35元，優市場預期。旺宏8月合併營收月增19.5％達34.39億元，較去年同期大增62.8％，累計今年前8個月合併營收194.90億元，較去年同期成長34.2％。

　由於旺宏9月NOR及NAND Flash出貨量再創新高，法人看好營收將上看37億元以上，第三季合併營收可望站上100億元，較第二季大幅成長逾5成幅度。由於NOR及NAND Flash價格續漲，帶動毛利率明顯提升，法人樂觀預估旺宏第三季獲利將賺逾18億元，亦即每股淨利將賺逾1元。旺宏不評論法人推估財務數字。

　任天堂新一代Switch遊戲機熱賣到缺貨，近期擴大對旺宏採購記憶體，蘋果、微軟等大廠亦擴大下單，加上智慧型手機廠因搭載AMOLED面板或採用整合觸控功能面板驅動IC（TDDI）方案，需要外掛NOR Flash儲存程式碼，已追價向旺宏下單包產能。由此來看，旺宏今年底前所有產能已全數賣光，而且銷售處於配銷模式，第四季NOR Flash價格將再漲10～15％，NAND Flash價格至少也有5％以上漲幅，有助於營收及獲利表現。

　法人表示，旺宏第四季唯讀記憶體（ROM）出貨續創新高，NOR及NAND Flash價格持續調漲，為了因應客戶對於NOR及NAND Flash的強勁需求，旺宏除了產能滿載投片外，今年40億元資本支出將用於增加先進製程產能，可望將約4,800片的產能升級成為先進製程，用來生產55奈米NOR Flash及36奈米NAND Flash，同時也會用來試產更先進的19奈米NAND Flash及3D NAND產品線。

高雄報導

　為了回應客戶及市場需求，華邦電昨（25）日宣布，未來15年，將投資3,300億元，在南科高雄園區（高科）興建全新12吋晶圓廠的記憶體廠，年產能7萬～8萬片，以DRAM為主要產品，初期將以20奈米到25奈米量產，未來則將進入14奈米或更先進技術。

　華邦電董事長焦佑鈞昨日與科技部長陳良基、高雄市長陳菊、南部科學工業園區管理局長林威呈等，在高雄市政府召開記者會，共同宣布華邦電的高科重大投資案。

　華邦電董事長焦佑鈞表示，此次投資案，預定在未來15年，總共投資3,300億元，建造一個大約7萬到8萬片產能的晶圓製造廠。焦佑鈞說，這項投資案，預估將招聘2,500位高階人才，希望高雄在地人才能夠擁有良好的工作機會。

　他強調，此次選擇高雄科學園區的立基點，在於華邦電習慣科學園區所建構的環境，而以台灣現有科學園區來看，不論是在現有可出租土地部分，還是上中下游供應鏈的關係，高雄是最符合華邦電投資期待。

　科技部長陳良基致詞時指出，科技部經營高雄園區，對科技產業發展的需求，水電的配置以及人才技術的精進等，都非常積極，在高雄園區會以高科技聚落的行程、價值創造為重點。

　他表示，華邦電從1987年成立，一開始是積體電路整合公司，經過轉型朝向利基市場邁進，在記憶體領域有不錯的表現，現在華邦電有一個好的基地可以協助華邦電發展，希望很快可以迎接下一個世代的記憶體技術。

　高雄市長陳菊說，對於華邦電將在高雄科學園區投資3,300億元，設立12吋晶圓廠一事，高雄市政府表示竭誠歡迎與感謝，在這過程中，即便新加坡祭出優惠條件爭取華邦電前往設廠，但最終華邦電仍選擇深耕臺灣。對於華邦電投資高雄的決心、創造2,500名就業機會，高市府給予高度肯定。

　她特別感謝科技部，在第一時間得知華邦電評估高雄科學園區作為新廠設立地點時，科技部即與高市府團隊攜手合作，解決華邦電相關投資問題，順利促成華邦電投資高雄設廠，這是高雄科學園區成立以來，最大規模的單一投資案件。