高雄報導

　為了回應客戶及市場需求，華邦電昨（25）日宣布，未來15年，將投資3,300億元，在南科高雄園區（高科）興建全新12吋晶圓廠的記憶體廠，年產能7萬～8萬片，以DRAM為主要產品，初期將以20奈米到25奈米量產，未來則將進入14奈米或更先進技術。

　華邦電董事長焦佑鈞昨日與科技部長陳良基、高雄市長陳菊、南部科學工業園區管理局長林威呈等，在高雄市政府召開記者會，共同宣布華邦電的高科重大投資案。

　華邦電董事長焦佑鈞表示，此次投資案，預定在未來15年，總共投資3,300億元，建造一個大約7萬到8萬片產能的晶圓製造廠。焦佑鈞說，這項投資案，預估將招聘2,500位高階人才，希望高雄在地人才能夠擁有良好的工作機會。

　他強調，此次選擇高雄科學園區的立基點，在於華邦電習慣科學園區所建構的環境，而以台灣現有科學園區來看，不論是在現有可出租土地部分，還是上中下游供應鏈的關係，高雄是最符合華邦電投資期待。

　科技部長陳良基致詞時指出，科技部經營高雄園區，對科技產業發展的需求，水電的配置以及人才技術的精進等，都非常積極，在高雄園區會以高科技聚落的行程、價值創造為重點。

　他表示，華邦電從1987年成立，一開始是積體電路整合公司，經過轉型朝向利基市場邁進，在記憶體領域有不錯的表現，現在華邦電有一個好的基地可以協助華邦電發展，希望很快可以迎接下一個世代的記憶體技術。

　高雄市長陳菊說，對於華邦電將在高雄科學園區投資3,300億元，設立12吋晶圓廠一事，高雄市政府表示竭誠歡迎與感謝，在這過程中，即便新加坡祭出優惠條件爭取華邦電前往設廠，但最終華邦電仍選擇深耕臺灣。對於華邦電投資高雄的決心、創造2,500名就業機會，高市府給予高度肯定。

　她特別感謝科技部，在第一時間得知華邦電評估高雄科學園區作為新廠設立地點時，科技部即與高市府團隊攜手合作，解決華邦電相關投資問題，順利促成華邦電投資高雄設廠，這是高雄科學園區成立以來，最大規模的單一投資案件。

台北報導

　包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠陸續召開明年產能規劃年度戰略會議，由於明年增加的產能都是來自於技術製程微縮，以及在現有廠房想辦法擠出新產能，因此整體產能增幅十分有限。根據集邦科技調查，明年DRAM產業供給年增率僅19.6％並低於需求成長率，全年仍供給吃緊。業界看好DRAM價格明年持續看漲，南亞科（2408）及華邦電（2344）獲利將大躍進。

　市調單位表示，隨著時序已近第四季，三大DRAM廠已陸續召開針對明年產能規劃的年度戰略會議，根據調查，2018年各DRAM廠的資本支出計畫皆傾向保守，意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水準，持續且穩定的獲利也將是明年首要目標。

　集邦預估，2018年全球DRAM產業的供給年成長率為19.6％，維持在近年來的相對低點，但2018年整體DRAM需求年成長率預計將達20.6％，供給吃緊的態勢將延續。模組業者則認為，DRAM價格明年持續看漲，且是標準型DRAM、伺服器DRAM、行動式DRAM、利基型DRAM等全面漲價的一年。

　DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，從需求端來看，智慧型手機DRAM容量的升級，以及伺服器及資料中心的強勁需求，皆拉升了2018年需求的成長；就供給面來看，在DRAM產業產能吃緊下，興建新工廠滿足市場需求已經是必要的決策，然而，興建一座12吋廠動輒需要1年的時間，加上機台移入與試產，產能開出時間將會落在2019年。從目前三大DRAM廠的產能規劃來看，預計2018年各家新增投片量僅約5～7％，這些新增產能皆來自現有工廠產能的重新規劃與製程轉進。

　龍頭大廠三星DRAM產能增加的空間已相當有限，其每月平均投片量約39萬片12吋晶圓，目前僅有Line17以及部份Line15空間可以增加產能。在新廠計畫方面，三星屬意於平澤興建第2座12吋廠，此工廠將會以 DRAM 為主力產品，但產能開出時間會在2019年之後。

　SK海力士也面臨到產能不足的問題，SK海力士的M10廠由於較老舊轉進18奈米製程將產生較大的晶圓損失（wafer lost），因此考量經濟效益，已將部份產能轉去晶圓代工領域。M14廠投片規劃也高於今年初的計畫，預計年底可達8萬片，然而在新增產能空間有限的情況下，SK海力士也決議在無錫興建第2座12吋廠，預計最快開出產能時間將落在2019年。

　美光集團日本廣島廠與台灣桃園廠（原華亞科）產能都已經來到滿載水位，僅有台灣台中廠（原瑞晶）的A2廠區產能可利用，評估仍有60～70％的空間可供利用，預估可提升約3～4萬片產能。美光集團目前尚未有興建新晶圓廠計畫。

持續處分美光持股挹注收益；明年位元出貨量估增5成，本業將賺一股本

台北報導

　DRAM廠南亞科（2408）受惠於DRAM價格持續看漲，加上持續處分手中美光（Micron）持股，第三季可認列業外收益已逾77億元，外資法人不僅上調南亞科第三季每股淨利預估至4元，全年每股淨利超過10元，也看好南亞科明年20奈米製程轉換順利，位元出貨量將較今年大增45～50％，明年光是本業獲利就可賺進一個股本。

　由於三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠年底前並無新產能開出，標準型及伺服器DRAM缺貨問題已浮上檯面，OEM大廠宏碁近日就明確指出，第四季DRAM將會是缺貨最嚴重的零組件。然而在供不應求情況下，DRAM現貨價及合約價同步上漲，其中，主流的4Gb DDR4原廠顆粒報價昨日衝上4美元，創下歷史新高價。

　南亞科8月合併營收43.52億元，較去年同期成長26.0％，並創下2014年9月以來的3年來單月營收新高紀錄。由於南亞科20奈米已於5月取得客戶驗證，第二季提前量產，產能將在9月陸續開出，加上DRAM價格順利調漲，因此法人推估南亞科第三季營收可望較第二季成長5～9％之間，9月營收有機會較8月成長逾1成。

　南亞科第三季持續處分美光持股，至昨日為止，南亞科共賣出17,360,121股美光股票，累計處分利益達2.66756億美元，約折合新台幣80.3億元，約可挹注南亞科第三季每股稅前盈餘約2.92元。

　法人表示，南亞科第三季本業獲利優於第二季，再加上出售美光持股業外收益大幅增加，因此將單季每股淨利預估上調至4元，由此推算，南亞科今年全年賺逾10元已無太大問題。

　事實上，南亞科去年12月初完成投資美光私募普通股，取得57,780,138股美光股票，而南亞科今年以來持續處分手中美光持股，至昨日為止持有股數已降至28,405,937股，等於南亞科今年已賣掉一半以上的手中美光持股。以美光股價近期創高至35.95美元來看，南亞科潛在獲利約達新台幣160億元，約可挹注每股稅前盈餘約6元。

　南亞科近期加快20奈米產能轉換，第四季平均月投片量可達3萬片，不僅可以達到20奈米成本低於30奈米的成本交叉，以20奈米轉換計畫來推算，明年位元出貨量成長率可望較今年大幅成長45～50％，加上明年DRAM市場仍供給吃緊且價格持續看漲，外資法人樂觀預估南亞科明年營收有機會年增5成，光是本業獲利就可望賺進一個股本。南亞科不評論法人推估財務數字。

未來3～5年，每年再投資20億美元，未來18個月內還要再召募1,500名員工。
台中報導

　美光決定加碼投資台灣，將台灣據點定位為全球DRAM生產重鎮，有三分之二產能會在台灣生產。美光全球製造資深副總裁Wayne Allan昨（6）日表示，美光在台投資已逾120億美元，未來3～5年將每年再投資20億美元，用來提升製程技術及興建封測廠，未來18個月內還要再召募1,500名員工。
　Wayne Allan表示，看好未來2季度的DRAM市況，且將與上季一樣需求強勁且供貨吃緊，美光的DRAM策略是在維持產能不變情況下，提高生產效率來拉高位元成長率，近期內並無興建新晶圓廠擴產計畫。
　美光的全球晶圓廠佈局中，NAND Flash產能集中在新加坡及馬來西亞，DRAM產能則集中在台灣及日本，與英特爾合作開發的3D XPoint記憶體生產據點位於美國。至於原本生產NOR Flash的新加坡8吋廠將在18個月後關閉，不過美光位於美國維吉尼亞的12吋廠已經開始量產，會維持NOR Flash產能不變。
　美光十分重視台灣DRAM生產鏈的投資，日前在台宣布成立DRAM卓越製造中心，就是要把台中廠（原瑞晶）及桃園廠（原華亞科）的技術及產能進行整合，並且在台中廠對面興建新的封測廠，在台灣打造DRAM完整生產鏈。
台中廠已開始以1x奈米製程量產，桃園廠將在明年跟進，之後還會進行投資升級製程至1y/1z奈米。
　由於今年以來DRAM市場持續缺貨，價格一路調漲，Wayne Allan表示，截至上個月底的2017年會計年度第四季是個強勁的季度，營收將達57～61億美元符合原先預期，而整個產業來看，DRAM廠都沒有興建新晶圓廠的計畫，預期未來2個季度的市況將與上季相當。也就是說，DRAM的好光景還可維持到明年。
　Wayne Allan表示，由於客戶需求強勁，美光在DRAM產能配置上，會把台中廠及桃園廠內的晶圓測試產能，移至台中廠對面的封測廠廠區，8月底向TPK（宸鴻）買下的大鴻先進的廠區，就會用來建立晶圓測試廠。而將晶圓測試產能移出後，台中廠及桃園廠就還有空間可以增加投片量。美光的策略是在維持產能不變情況下，提高生產效率來拉高位元成長率，並且維持目前市占率。
　Wayne Allan表示，美光DRAM生產線已經開始採用智慧製造及大數據，利用在每個機台設備上搭載的感測器來收集資料，進一步分析後提升設備生產效能，如此一來就可以有效提高位元出貨量，如與一年前相比，整個晶圓廠的前置時間縮短了25％，過去18個月內生產效能已提升20％以上。

台北報導

　記憶體大廠華邦電今年下半年DRAM及NAND/NOR Flash產能全開，但仍不能滿足客戶強勁需求。華邦電原本計畫在台灣及新加坡兩地擇一興建新12吋晶圓廠，如今確定將落腳台灣，選擇在南科高雄園區興建新廠。華邦電新廠主要是為了因應2020年之後需求，生產線將以20奈米世代製程DRAM為主體，也可望建置3x奈米NAND/NOR Flash產能。
　華邦電董事長焦佑鈞在今年股東常會中表示，今年記憶體需求強勁且產能供不應求，華邦電計畫興建新廠因應2020年後需求，至於新廠設廠地點將以台灣優先。而華邦電昨日宣布，新12吋晶圓廠將落腳在台灣，設廠地點在南科高雄園區，將依未來董事會通過時程，公告建廠及產能規劃相關事宜。
　焦佑鈞日前表示，因為建築業目前很缺土木人工，新12吋廠的建廠時間恐要由1年拉長到20個月，加上裝機與試機的時間，從建廠到量產時間需以3年計算，預計第三季決定設廠計畫。華邦電已去南科的高雄路竹基地看過，6月向南科管理局補提計畫，需地約25公頃。
　華邦電今年將全力擴充NOR Flash產能，希望一年內可以把供給缺口補起來，中科廠現在月產能達4.3～4.4萬片，預計年底可達4.8萬片，明年下半年達5.3萬片，但台中廠房空間最多只能擴充到5.5～5.6萬片。然以長期來看，華邦電需要興建新廠來推升業績成長，同時也能把DRAM產能限制移除。
　華邦電總經理詹東義日前指出，台中廠產能不足且Flash需求強勁，DRAM及Flash的生產設備不同，今年擴產都以Flash為主，目前台中廠DRAM製程已可支援3x/2x奈米，但投資金額很大，反而是擴充Flash產能的投資效益較好，台中廠的擴產以投資報酬率（ROI）最大化為主軸。但長期來看，華邦電需要興建新晶圓廠，DRAM產能限制才能移除。
　華邦電的DRAM製程下半年將開始導入38奈米，低容量 NAND Flash目前採用46奈米生產1～2Gb容量晶片，後續進行製程微縮後可望進入32奈米世代，至於NOR Flash製程以46/58奈米為主。設備業者預期，華邦電新廠應可在2020年進入量產，以製程推進來看，新廠將會以20奈米世代製程DRAM產線為主軸，NAND/NOR Flash則會建置3x奈米產能，後續再視情況建置2x奈米生產線。

台北報導
　研調機構IC Insights預估，今年半導體產業資本支出可望高達809億美元，創下歷史新高紀錄，年增幅達20％，優於研調機構預期。其中，資本支出成長幅度最高的為DRAM領域，年增幅高達53％。
　IC Insights原先預估，全年半導體產業資本支出為756億美元、年增12％，不過由於記憶體產業紛紛進行擴產及技術設備升級，使IC Insight調高今年資本支出。DRAM大廠SK海力士近期指出，已無法單靠製程升級增加獲利，必須加大產能，因此加碼今年資本支出預算。
　IC Insights表示，雖然DRAM資本支出成為今年半導體產業中的成長王，但Flash領域也不遑多讓，Flash產業今年預估將投入190億美元資本支出，高於DRAM產業的130億美元。Flash產業投入資本支出原因不外乎研發3D NAND Flash製程，記憶體龍頭三星於今年6月量產的平澤廠便是案例之一。
　不過，IC Insight也示警，觀察歷史經驗，全球NAND Flash大廠瘋狂投入資本支出可能將導致產能過剩，進而引發價格崩跌，從目前狀況看來，三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝及武漢新芯等都計畫在未來幾年拉升3D NAND產能，因此未來3D NAND市場可能會出現價格走跌的風險。
　至於晶圓代工仍是半導體產業資本支出冠軍，IC Insights預估，晶圓代工領域今年將投入228億美元、年增幅達4％，占所有領域比重為28％。晶圓代工龍頭台積電的5奈米新廠將於本月在南科動工，總投資金額將高達2,000億元。
　法人表示，半導體產業持續擴張，代表各大廠對後市景氣保持樂觀態度，其中又以DRAM產業成長最為快速，雖然IC Insight認為積極擴產恐導致價格衰退，不過以目前狀況看來，物聯網、汽車及伺服器對於記憶體需求不減反升，因此價格全面衰退與否仍需觀察。

華邦電、旺宏、晶豪科進補

台北報導
　受到智慧型手機搭載OLED面板及採用整合觸控功能面板驅動IC（TDDI）等新趨勢，帶動手機內建NOR Flash的強勁需求，但因供給端下半年新增產能開出十分有限，導NOR Flash缺貨問題嚴重，在第三季順利調漲價格2成幅度後，第四季價格將再漲1～2成，包括華邦電（2344）、旺宏（2337）、晶豪科（3006）將直接受惠。
　根據集邦科技研究，智慧型手機搭載OLED面板，或是採用TDDI方案，都需要外掛NOR Flash來儲存程式碼，加上物聯網裝置也都採用NOR Flash，因此帶動NOR Flash需求快速成長，但下半年全球產能成長有限，NOR Flash的每月投片僅約8.8萬片左右，高度客製化與產能不易擴張，第三季市況仍是供不應求，價格因此大漲2成幅度。
　全球NOR Flash已有多年未見擴產動作，賽普拉斯（Cypress）等國際大廠已經逐步淡出NOR Flash市場，轉向專注在車用和工規的市場，而國際大廠出售8吋廠的動作也將影響整體NOR Flash市場的供應，市場傳出美光在縮減8吋產能後並未同步擴充12吋產能，導致下半年供貨吃緊。至於大陸兆易創新併購ISSI日前驚傳破局，但產品線由NOR Flash轉向3D NAND與DRAM發展的方向並未改變。
　台灣業者為了爭搶NOR Flash商機，今年下半年有小幅擴產計畫，但對於整體供給量的挹注卻是杯水車薪。以華邦電來說，NOR Flash月投片量預計由4.3萬～4.4萬片，至年底提升至4.8萬片，但低於市場預期的5萬片規模。旺宏方面雖計畫減資後再增資，不過年底前NOR Flash月產能投片增幅也低於5,000片。
　晶豪科是下半年拿到最多NOR Flash產能的業者，除了在武漢新芯的投片量放大數千片規模，第四季也將開始擴大在華虹及力晶的投片量。相較於其它供應商的產能擴充情況十分有限的情況下，晶豪科供貨量大幅成長，已成為大陸手機廠採用OLED面板及TDDI方案時的主要NOR Flash供應商。
　集邦先前指出，NOR Flash產能增加有限，加上機台移入與試產等，實際產出最快也要等到明年下半年才會陸續開出，由此來看，未來數個季度NOR Flash供貨吃緊的狀況不變。由於OLED、TDDI、物聯網等三大產品對於NOR Flash產品需求屬新興領域，加上原有NOR Flash基本盤市場未減，今年來看短期供需失衡難解，而近期市場傳出，NOR Flash在第三季大漲2成後，第四季續漲1～2成，將有助於華邦電、旺宏、晶豪科的營收及獲利表現。

供給吃緊難紓解，法人看好DRAM廠、模組廠明年營運比今年更好

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　今年DRAM市場供不應求且價格持續調漲，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠的資本支出動向備受市場關注。根據模組業者消息，三星原本計畫用來大擴記憶體產能的Line 18，已決定轉向建置晶圓代工生產線，SK海力士、美光的投資只用於1x/1y奈米製程升級，沒有擴建新晶圓廠打算。
　由此來看，DRAM市況可望一路好到明年，包括下半年DRAM價格會逐季調漲，明年價格走勢看來也是易漲難跌。法人看好南亞科、華邦電、創見、威剛、宜鼎等DRAM廠及模組廠營運表現，不僅營收及獲利將逐季成長到年底，明年營運表現會比今年更好。
　今年以來DRAM市場供給吃緊且價格逐季調漲，以下半年市況來看，DRAM缺貨問題仍然難以紓解，標準型、伺服器DRAM第三季合約價將再漲5～10％，行動式DRAM及利基型DRAM合約價將再漲3～5％。第四季因為是傳統旺季，業者推估價格將續漲5％左右。
　由於DRAM供不應求已影響到PC及手機出貨，在客戶壓力下，三大DRAM廠仍決定透過現有廠房提高投片量，或透過製程微縮來增加產能，並沒有任何興建新DRAM廠計畫。
　龍頭大廠三星的下半年DRAM產能已全數賣光，現在可能會把Line 17廠部份NAND Flash產能移轉到平澤（Pyeongtaek）廠，再想辦法在Line 17現有廠房中再擠出4～5萬片DRAM產能，但相關產能開出應會在明年下半年。至於原本計畫用來擴大記憶體產能的Line 18廠，現在看來將以晶圓代工產能為主體，不會對DRAM市場供需造成影響。
　SK海力士雖宣布大舉拉高今年資本支出37％至9.6兆韓元（約86億美元），擴充大陸無錫DRAM廠及韓國清州（Cheongju）NAND Flash廠設備投資，希望產能建置提前在2018年第四季完成，但因資金多用於技術升級，產能只會增加3～5％，不會對市場供需造成衝擊。另外，SK海力士已想辦法在M14廠擠出2萬片空間建置新生產線，產能開出也得等到明年下半年。
　美光的日本廣島廠及桃園廠已滿載投片，台中廠第二期開始建置17奈米產能，仍有可擴充3～4萬產能空間，但美光目前投資重點在於如何將DRAM製程由20奈米轉入17奈米，明年底前應看不到新產能開出。

受惠NOR Flash價格調漲，單季每股淨利達0.35元，下半年營運展望樂觀

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　非揮發性快閃記憶體廠旺宏（2337）昨（24）日召開法人說明會，受惠於NOR Flash價格調漲，第二季歸屬母公司稅後淨利6.16億元，較第一季成長逾2倍，每股淨利0.35元，優於市場預期。旺宏總經理盧志遠表示，NOR及NAND Flash市場仍供不應求，銷售都處於配銷（allocation）模式，下半年營運展望樂觀。

　NAND及NOR Flash需求強勁，產能全面滿載，旺宏估今年資本支出達40億元，將用於增加先進製程產能，第二季董事會通過的17.85億元資本支出，可望將約4800片的產能升級成為先進製程。盧志遠表示，旺宏預計升級的產能將用來生產55奈米NOR Flash及36奈米NAND Flash，同時也會用來試產更先進的19奈米NAND Flash及3D NAND產品線。

　旺宏第二季合併營收季減1％達65.63億元，較去年同期成長27％，平均毛利率季增7個百分點達34％，與去年同期相較大幅提升20個百分點，代表本業獲利的營業利益5.85億元，較第一季成長41％，表現優於預期。

　旺宏第二季沒有提列業外損失，歸屬母公司稅後淨利6.16億元，較第一季大增逾2倍，與去年同期虧損6.89億元相較亦由虧轉盈，以減資後股本調整後，單季每股淨利0.35元。旺宏上半年合併營收131.73億元，歸屬母公司稅後淨利8.19億元，以減資後股本計算每股淨利0.47元，優於市場預期。

　盧志遠表示，過去手機都是用NOR Flash，但智慧型手機後來改用NAND Flash後，導致NOR Flash市場大幅衰退，10年前主導NOR市場的英特爾、超微等一線大廠都退出市場，至今生產NOR Flash的廠商已經不多，而且國際大廠都不再回頭生產。

　但市場需求面在近期卻出現快速成長，盧志遠表示，除了物聯網裝置需要搭載NOR Flash，智慧型手機採用整合觸控功能面板驅動IC（TDDI）或AMOLED面板的新技術，都需要外掛NOR Flash。總體來看，NOR Flash在下半年仍會供不應求展望樂觀，明年市場展望也樂觀期待，價格也一路調漲。

　受惠於NOR Flash強勁需求，第二季出貨量已是2013年來的單季新高，旺宏較75奈米製程先進的產品占第二季NOR Flash營收比重達5成，NOR Flash已處於配銷模式，強勁需求來自於每個應用領域。在SLC規格NAND Flash的產品線部份，旺宏去年拿下許多系統大廠的設計案，將推升今年營收成長及市占率提升，NAND Flash同樣也因供不應求，銷售亦處於配銷模式。

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　非揮發性記憶體廠旺宏昨（18）日正式發表通過AEC-Q100 Grade 2/3級品質考核認證的NAND Flash產品。旺宏在非揮發性記憶體的設計及製造能力與經驗已超過27年，此次通過AEC-Q100各項嚴苛的車用電子標準，成為首家符合AEC-Q100 Grade 2/3車規認證標準（AEC-Q100 fully compliant）的NAND Flash供應商。

　車用電子蓬勃發展，其應用也從影音娛樂系統、智慧儀表板及主動式先進駕駛輔助系統（ADAS），轉向為智慧汽車、車聯網、自動駕駛車等新進技術。隨著新科技的運用與發展趨勢，未來的汽車宛如擁有人工智慧的電腦伺服器，而對記憶體的需求大幅躍增。

　旺宏這次發表的車用NAND Flash系列產品，除採用旺宏自有專利的36奈米製程技術外，也透過電路設計克服了NAND Flash常因半導體製程微縮及儲存單位存放數增加而降低產品可靠度、P/E周期（Program/Erase Cycle）、及使用壽命的缺失，也達成車用電子對於高容量、高傳輸效能、高可靠度的需求。旺宏的車用NAND Flash內存資料約可保存10年，寫入次數也可達10萬次，超越JEDEC標準規範。

　旺宏NAND Flash儲存容量涵蓋1Gb到8Gb、輸出入介面包括SPI與平行介面、工作溫度範圍也從攝氏零下40度至105度，而遠優於目前市面上逾攝氏85度的溫度設限產品。不同於一般NAND Flash溫度與電流限制，旺宏車用NAND Flash的寬溫彈性，也有利於其內資料的保存與操作能力，且特別適合於空間狹隘的汽車相關應用裝置。

　此外，為了兼顧不同電壓的需求，旺宏的NAND Flash也提供1.8V與3V的產品。又考量記憶體尺寸日漸微縮及錯誤更正機制（ECC）日益重要，旺宏也提供足以支援4-bit ECC功能及無錯誤更正碼（ECC-free）的產品。至於高品質與準期交貨是汽車電子的必要條件，此系列產品將在旺宏自有的12吋晶圓廠生產製造，以充分監控並掌握相關產能與進度。

　旺宏表示，目前已是全球最大唯讀記憶體（ROM）製造廠，近幾年加速拓展NOR Flash及NAND Flash市場布局，目前在NOR Flash晶片市占率已躍升全球第一位，其他車用快閃記憶體產品線還包括序列式（Serial）及並列式（Parallel）NOR Flash產品線。