產業綜覽

新聞日期:2018/01/03 新聞來源:工商時報

京元電接單強勁 拉高資本支出

董座李金恭:人工智慧及車用電子前景俏,將帶動營運成長台北報導測試大廠京元電(2449)董事長李金恭昨(2)日表示,高階智慧型手機雖成長放緩,但中低階智慧型手機在新興市場仍賣的很好,2018年智慧型手機出貨量仍會優於去年。至於人工智慧、車用電子、物聯網等應用正在快速起飛,京元電在各領域都已完成布局且接單暢旺。整體來看,對2018年半導體市場景氣仍抱持樂觀看法。李金恭表示,京元電2017年資本支出達42億元,但今年接單情況不錯,董事會決定今年將資本支出提升3成達55億元左右,就是對景氣及接單比去年還有把握。以2018年來看,1月2月雖受中國農曆春節工作天數減少影響,但營收會在3月出現強勁成長,且可延續成長動能到第3季底、第4季初。李金恭指出,以車用電子來說,電動車及先進駕駛輔助系統(ADAS)會用到很多處理器及感測器,影音系統及安全系統等都會用到更多車用晶片,京元電測試產能準備好了,包括日本及歐洲的國際IDM廠客戶持續擴大委外訂單。再者,人工智慧、物聯網等應用晶片,2018年需求亦看到明顯成長,有助於京元電的營運表現。法人表示,京元電2017年第4季營收受到淡季效應影響,全年營收表現將年減5%以內,但隨著大陸手機廠的庫存去化將於今年第1季中旬結束,3月後訂單將強勁回流,預期京元電2018年第1季合併營收可望優於2017年第4季,等於第1季沒有淡季效應。李金恭說,2017年營收表現比2016年差,主要是受到新台幣兌美元匯率大幅升值影響,至於獲利表現不佳則是提列轉投資公司東琳虧損。2018年雖然匯率仍看升,但預期美國第2季及第3季降稅後,美元會轉為強勢。在2018年的外在環境部份,希望政府政策可維持穩定、匯率維持穩定、而且不要缺水缺電,2018年營運表現就會優於去年。在轉投資部份,京元電的蘇州廠京隆已多年維持獲利,隨著大陸當地銀聯卡及晶片卡的需求明顯跳升,2018年在低容量記憶體封測接單會明顯成長。至於另一家記憶體封測廠東琳2017年虧損,但2018年營運可望明顯回升,全年力拚損益兩平,不會再成為京元電獲利上的負擔。法人表示,京元電2018年營收可望超過2016年續創新高,獲利也將回到相同水準。京元電不評論法人預估的財務數字。
新聞日期:2018/01/02 新聞來源:工商時報

陸記憶體布局 三大陣營成形

晉華電子、合肥長鑫、紫光集團搶進,瞄準利基型DRAM及NAND Flash台北報導 中國半導體發展風起雲湧,在市場、國安等考量下,記憶體成為中國重點發展項目。根據市場研究機構集邦科技最新報告指出,隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域,包含晉華電子、合肥長鑫、紫光集團在內的三大陣營已成形,利基型DRAM及NAND Flash是布局重點。集邦表示,紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場,但中國大陸積極吸收專業人才,無論是台灣地區的建廠人才,或是日韓的技術人才等,皆為大陸半導體廠的目標,並且從技術授權轉為自主研發,處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子專注利基型DRAM的開發,主攻消費型電子市場,技術合作夥伴是聯電,希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能,甚至在補貼政策下,預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略,並且有機會取得技術矽智財(IP)走向國際市場。相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品,合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的產品,其省電技術要求極高,開發難度相當高。然而,中國品牌手機出貨已占全球逾4成,倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策,大陸官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。觀察大陸在NAND Flash領域的發展,以紫光集團旗下的長江存儲為最快成軍的開發廠商,初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長江存儲開發早期技術力不足,難以與一線大廠相抗衡,預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會進軍固態硬碟(SSD)市場,但此市場技術競爭相當激烈,沒有中國政府的支持,短期會難以在成本上取得優勢,利用中國內需市場壯大自己將是紫光集團未來可行的策略。而武漢新芯隨著長江存儲的成立後,將專注於NOR Flash的開發,雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯,但隨著長江存儲於武漢未來城基地建構完成後,未來也將各自獨立。集邦指出,以目前現況來看,中國發展記憶體的策略能否成功,未來的3~5年將是極其重要的關鍵期,特別是強化矽智財的布局,中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力,以及具國際水準的產能,取得與國際廠商最有利的談判籌碼,才有機會立足全球並占有一席之地。
新聞日期:2018/01/02 新聞來源:工商時報

IC設計股 偉詮電、聯傑、原相、鈺創吃補

台北報導 無人商店可望引爆3D感測、微控制器及各式晶片需求,IC設計廠偉詮電、聯傑、原相、鈺創等概念股,明年業績、股價值得期待。3D感測部分,業界已傳出鈺創的自然光3D感測方案已打進亞馬遜無人商店供應鏈,鈺創的自然光3D感測並非採用蘋果結構光3D感測,鈺創及鈺立微推出的3D MAMEC次系統與照相機一樣採用自然光感測,再利用2顆以上鏡頭以演算法取得3D深度圖,才測量出距離。電子紙驅動IC上,聯傑早在幾年就攜手電子紙大廠元太共同開發電子標籤產品,先行推出斷碼式產品,打入台鐵一卡通電子紙供應鏈,目前穩定出貨中。不僅如此,聯傑今年攻入電子貨價標籤市場。其中,無人商店的貨架上未來也可望導入手勢感測,用來偵測使用者拿取商品狀況,原相的手勢感測方案相當成熟,已打入德系車廠,同樣具備爭搶無人商店商機的門票。微控制器(MCU)廠當中,盛群及新唐則可望藉由庫存及貨架管理MCU,卡位進入無人商店供應鏈。偉詮電先前切入的近場無線通訊(NFC)行動支付模組,則有機會搶入消費者離店的自動支付商機。法人看好,明年起無人商店將可望從中國大陸開始逐步萌芽,成為明年半導體搶食的大餅。
新聞日期:2017/12/29 新聞來源:工商時報

8吋晶圓代工續漲 世界先進 明年樂透

台北報導由於環球晶、合晶等矽晶圓廠已調漲2018年第1季8吋半導體矽晶圓價格,加上8吋晶圓代工短期難再大幅擴產,在LCD/LED驅動IC、微控制器(MCU)、電源管理IC(PMIC)、指紋辨識IC等投片需求持續增加情況下,明年第1季8吋晶圓代工價格已調漲5~10%幅度,世界先進將成最大受惠者。世界先進預估第4季訂單穩定,合併營收將介於62~66億元,中間值約與第3季持平,看好PMIC、LED驅動IC的晶圓代工需求成長,第4季平均毛利率可提升至32~34%。世界先進10月及11月合併營收累計已達41.53億元來看,12月營收將介於20.5~24.5億元,將順利達成業績展望目標。2017年以來8吋晶圓代工市場產能一直呈現供不應求情況,一來是8吋晶圓製造設備產能持續降低,部份關鍵設備出現嚴重缺貨,二來是二手8吋晶圓製造設備也是供不應求。在此一情況下,晶圓代工廠很難大舉擴增8吋晶圓產能。雖然LCD驅動IC、PMIC、指紋辨識IC等已出現轉向12吋廠投片情況,但多數上游IC設計廠基於成本及客製化的考量,仍以在8吋廠投片為主。在投片需求持續增加,但擴產有限下,包括台積電、聯電、世界先進等晶圓代工廠的8吋晶圓產能仍是供不應求,而且預期2018年上半年仍是產能不足的情況。就在8吋晶圓代工產能吃緊之際,8吋矽晶圓價格也開始漲價。事實上, 2017年以來12吋矽晶圓供不應求且價格逐季調漲,8吋矽晶圓價格則是在下半年起漲,累計漲幅已達10%左右,而2018年第1季的8吋矽晶圓價格已確定將再度調漲。對晶圓代工業者來說,2018年上半年8吋晶圓製造產能供不應求,8吋矽晶圓價格還會逐季調漲,所以12月以來,晶圓代工廠已對上游IC設計客戶釋出將調漲8吋晶圓代工價格消息。法人指出,8吋晶圓代工價格調漲後,對世界先進十分有利,一來是可將矽晶圓材料漲價的成本轉嫁出去,有助於毛利率表現,二來在預期未來價格將續漲情況下,客戶會在淡季期間增加投片量,明年上半年將無淡季效應。整體來看,世界先進明年營收及獲利將優於今年。
新聞日期:2017/12/28 新聞來源:工商時報

蔡力行吹反攻號角 聯發科明年奪回市占

台北報導聯發科(2454)昨(27)日舉行年終記者會,共同執行長蔡力行表示,從聯發科目前成績看起來「改善計畫短期已有成效,中長期成長有信心」,未來將持續以5G、無線通訊及人工智慧(AI)等技術強化行動晶片平台,讓聯發科在明年手機晶片市場上開始反攻,有信心產品、財務及技術都能夠持續成長。正在設計三款7奈米晶片至於在高階產品規劃上,蔡力行表示,7奈米製程是相當重要的技術,聯發科目前已經有三款7奈米晶片正在設計當中,聯發科在先進製程上絕對不會缺席。蔡力行表示,業界很少有像聯發科一樣的半導體公司,在技術與矽智財(IP)上同時擁有廣度,不論是無線通訊、運算能力、多媒體、數據機及音訊等不同技術整合起來,做成單晶片(SoC)銷售到世界各地,每年產值也高達8億美元以上,同時與客戶之間保持合作夥伴的互利關係。毛利率已經逐步回升對於聯發科近1年多來的業績表現,蔡力行指出,過去一段時間行動業務確實比較辛苦,不過現在已經逐漸看到成果,曦力(Helio)P系列從今年下半年出貨以來,也獲得客戶不錯的反應,從財務數字上,毛利率已經逐步回升,代表行動業務已經開始持穩。新款P手機晶片反攻王牌在明年佈局上,蔡力行指出,觀察中國大陸智慧手機市場已經走向成熟,下一步就是要瞄準換機需求,同時在東南亞及印度市場仍然高速成長當中,因此,聯發科將在明年第一季推出新款P系列手機晶片,也就代表明年將開始進行反攻,搶回流失的市佔率。聯發科總經理陳冠州指出,聯發科現在瞄準人民幣1,500~3,000元區間的智慧手機,該區段的P系列晶片獲得市場好評,預計明年上半年也將推出P40晶片,並將導入AI應用。陳冠州說,聯發科不能只做跟隨者(Follower),聯發科的優勢在於累積許多IP,未來將聚焦在5G、新一代WiFi規格的802.11x及AI,其中AI不是純開發技術或運算單元本身,最終是要將人工智慧導入的終端平台當中。
新聞日期:2017/12/27 新聞來源:工商時報

鈺創董座盧超群:三星未哄抬 DRAM只是回到公道價

台北報導 IC設計廠鈺創(5351)董事長盧超群昨(26)日表示,鈺創近幾年淡出標準型DRAM領域,逐步轉向虛擬實境、物聯網、邊緣運算、先進駕駛輔助系統(ADAS)等利基型應用發展,並順利打進臉書及日系一線車廠供應鏈。另外,針對大陸官方可能開始關注DRAM價格飆漲問題,盧超群表示,不認為三星哄抬價格,DRAM只是回到公道價格。大陸媒體近日報導,大陸官方收到多家手機廠投訴,開始關注DRAM價格飆漲問題,傳出發改委已經約談三星消息。盧超群表示,不認為三星有哄抬價格的情況,這波DRAM價格上漲,主要是因為三大DRAM廠對於擴產十分小心謹慎,但需求端卻出現強勁成長,尤其大陸當地對DRAM需求成長最大,他認為價格只是回到公道價格。鈺創過去的DRAM產品主力是標準型DRAM,但近年來已轉換市場,逐步轉向虛擬實境及擴增實境(VR/AR)、物聯網、邊緣運算、ADAS系統等利基型應用發展。鈺創將在明年初的美國消費性電子展(CES)發表高效能、低功耗的256Mb Mobile DDR2及512Mb DDR3,專攻VR/AR相關應用。鈺創表示,AR/VR為近年備受矚目的新興科技,除應用於遊戲娛樂領域外,在教育、醫療、旅遊、房地產方面也陸續導入商業等級應用,鈺創所擁有的高效能、低功率256Mb Mobile DDR2及512Mb DDR3,擁有16/32位元輸出入與每秒最高達4.3GB的傳輸速率,可支援VR/AR所需的高頻寬與低延遲影像處理技術。此外,鈺創自主開發的DDR3結合SPI(串列周邊介面)的NAND Flash,則鎖定寬頻網路商機。鈺創表示,寬頻通訊環境的建置為各國政府積極發展的重點,尤其以光纖通信中的超高速被動光纖網路(GPON)與乙太被動光纖網路(EPON),還有超高速數位用戶迴路(VDSL)等都需要搭載記憶體,鈺創方案已經通過市場主要晶片大廠的驗證,並量產出貨給網路通訊大廠。鈺創採用30奈米及25奈米製程的利基型緩衝記憶體產品線,提供裸晶(KGD)與小型化封裝的方案,如256Mb LPDDR2可望採用在物聯網、機器人等應用,至於車規的DDR2/DDR3已符合AEC-Q100車規規格認證通過,已送樣給日系一線車廠並採用在ADAS系統中,明年可望量產出貨。
新聞日期:2017/12/26 新聞來源:工商時報

電競市場夯 瑞昱、茂達出貨看增

今年全球電競產值將達15億美元,切入電競供應鏈之IC設計廠受惠台北報導研調機構Superdata指出,今年全球電競產值將達到15億美元,2022年更將站上23億美元,並持續帶動周邊電競產品熱銷。法人看好,IC設計廠瑞昱(2379)、原相(3227)、創惟(6104)及茂達(6138)等廠商現已經切入電競供應鏈,未來出貨量看增。電競產業近來發展蓬勃,從遊戲、實況直播等領域,直接帶動發展成熟的PC產業逆勢成長。根據Superdata報告指出,今年全球電競市場產值高達15億美元,現行電競賽事透過實況直播將比賽放送到全球,觀眾數量因此持續增加,且觀眾數量還有相當大的成長空間。過去電競發展僅局限在少數國家,不過隨著電玩開發商將遊戲設計成對戰模式,同時搭配網路技術發展迅速,讓連線對戰成幾乎每款遊戲必備模式,帶動電競產業快速成長。Superdata表示,伴隨電競產業不斷成長,吸引越來越多企業對電競產業投資,預估到2022年電競產業產值將上看23億美元。事實上,現在電競產業與過去已經截然不同,隨著網路連線速度大幅成長,家中只需要配備一台高階配備PC及攝影機,人人都可以成為遊戲實況主,並將遊戲內容透過直播平台放送到全球,同時實況主使用的電競品牌就可能成為粉絲們選購配備的首選,因此許多傳統PC供應鏈廠商紛紛開始切入電競市場,希望能搶食電競商機。其中,電競PC由於需要中高階零組件,舉凡獨立繪圖卡、網路晶片以及具有LED燈光的電競滑鼠,部分要求聲光效果的玩家還會特別加購音效卡。茂達今年以三相風扇馬達驅動IC切入繪圖卡供應鏈,打入NVIDIA、AMD陣營當中,受惠於電競及虛擬貨幣挖礦需求,今年第四季繪圖卡全球出貨量有機會寫下今年新高,帶動今年茂達風扇驅動IC出貨年成長20~25%。瑞昱則是透過音效晶片、無線通訊晶片打入數款電競筆電當中,今年相關產品出貨量與去年同期相比也出現明顯增長。原相以光學滑鼠感測器獨家打入電競品牌雷蛇當中,今年下半年將可望逐季增長。
專訪美國記憶體大廠美光(Micron)大動作在美對聯電可能竊取及使用營業祕密一事提出訴訟,聯電總經理簡山傑對此予以駁斥,強調聯電早年就生產過DRAM,本身擁有不少DRAM專利,事隔15年後決定自主研發DRAM技術,目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。以下是專訪紀要。問:聯電重新投入DRAM技術研發原因為何?答:聯電的本業是晶圓代工,順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務,聯電研發DRAM的經驗有助於新世化記憶體的發展,包括MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)等,等於可以搶先進入有潛力的新市場。再者,聯電是借外部力量來研發DRAM技術,福建晉華支持研發費用,雙方共同投入研發設備及技術,可快速研發速度,不會擠壓聯電的獲利表現。聯電要獨立自主研發DRAM技術,另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術扎根,這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後,相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作,意義格外重大。問:美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產,聯電的技術來源為何?答:聯電要自主研發DRAM技術。聯電在晶圓代工市場多年,長期投入研發已有很好的技術實力,連最先進囗最複雜的14奈米邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產,而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。至於在DRAM特有技術部分,則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解,再依據開發路線落實。事實上,DRAM工作原理沒有改變,現今的DRAM只是藉由更先進的製程技術,達到每位元更低成本的目標,操作原理與15年前研發DRAM時相同。問:聯電的DRAM事業的營運模式為何?答:聯電目前與國外DRAM設計公司合作,以達成及加速DRAM技術研發。不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊,聯電本業是晶圓代工,所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式,與經驗豐富的DRAM設計團隊合作,可以減少研發過程中的許多不確定性因素,加快問題解決的速度。再者,聯電未來的DRAM技術研發成功後,會授權給晉華生產,但聯電並沒有投資晉華,未來也可爭取其它DRAM代工訂單。聯電目前沒有自建DRAM產能計畫,不會與台灣現有DRAM廠商競爭。問:聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同?答:聯電不了解美光製造DRAM的內容,因此無從說明兩者之差異,但根據第三方TechInsights於2013年發表文章,有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米製程世代的DRAM,美光採用直行式主動區(Active Area,AA)設計,但聯電DRAM選擇交錯式AA設計,與美光的記憶胞架構明顯不同。DRAM的記憶胞是技術上最核心之處,選擇不同的記憶胞架構,代表了不同的研發道路,證明聯電和美光的技術核心不相同。
新聞日期:2017/12/25 新聞來源:工商時報

聯電新記憶體製程 東芝MCU可望採用

台北報導晶圓代工大廠聯電(2303)日前宣布,推出40奈米結合美商超捷(Silicon Storage Technology,SST)嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體,較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上,並使整體記憶體面積縮小了20~30%。東芝電子元件暨存儲產品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。東芝電子元件暨存儲產品公司混合信號晶片部門副總經理松井俊也表示,預期採用聯電40奈米SST嵌入式快閃記憶體技術,有助於提升東芝MCU產品的性能。與聯電合作,透過穩定的製造供應,及配合東芝的生產需求提供靈活的產能,將能夠保持強勁的業務連續性計劃(BCP)。聯電表示,已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產,包含了SIM卡、金融交易、汽車電子、物聯網、MCU及其他應用產品。聯電特殊技術組織協理丁文琪表示,自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來,一直受到客戶的高度關注,藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性,可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。聯電正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台,期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。聯電分離式閘極記憶體單元SST製程,依據JEDEC所制定的規範標準,具100K耐久性和在攝氏85度、及工作溫度範圍為攝氏零下40度到125度的寬溫溫度下,數據可保存10年以上。除40奈米 SST製程外,還有20多家客戶使用聯電的55奈米SST技術生產各類應用產品。聯電已公告11月合併營收月減12.0%達121.55億元,較去年同期下滑5.9%,累計今年前11個月合併營收達1386.17億元,為歷年同期新高,較去年同期成長2.4%。聯電預期第四季營運狀況將會下滑,主要原因來自於年底典型的季節性調整。此外,並觀察到28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的需求將趨緩。
新聞日期:2017/12/22 新聞來源:行政院洗錢防制辦公室

【政策宣導】政府推動洗錢防制,保護國人財產安全

     
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