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工研院:新興記憶體 台積擁跨入優勢

新聞日期:2020/08/12 新聞來源:工商時報

報導記者/蘇嘉維

MRAM、FRAM及RRAM興起,此領域將須整合邏輯製程技術,門檻較高

台北報導
人工智慧(AI)、5G、量子電腦、生物電子醫學等技術已成未來趨勢,工研院電子與光電系統研究所長吳志毅指出,一旦台積電成功跨足磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電記憶體(FRAM)及電阻式隨機存取記憶體(RRAM)等新興記憶體領域,將可望比現有記憶體廠商具有優勢。
由工研院主辦的「2020國際超大型積體電路技術研討會」(VLSI)於11日登場,並邀請到台積電、聯發科、IBM、英特爾、輝達、NTT Docomo、加州大學洛杉磯分校及東京大學等國內外大廠及專家學者進行分享。
與會專家看好愈來愈多的裝置如智慧型手機、無人機、監控設備等具備AI人工智慧的邊緣運算能力,搭配5G無線通訊將能夠迅速且即時處理資訊並做出判斷,而這些發展將同步帶動運算和儲存等需求,推升半導體產業下一波的成長契機。
VLSI-TSA主席同時也是工研院電光所所長吳志毅表示,AI人工智慧與5G時代來臨,摩爾定律一再向下的微縮,半導體走向異質整合,不同的技術整合性愈來愈強,能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色。
吳志毅指出,新興記憶體如MRAM、FRAM及RRAM等技術的開發興起,這些新型記憶體提供更多的工具來增強記憶體性能,也為下一階段記憶體內運算(CIM)建構基礎。
吳志毅表示,由於新興記憶體技術未來將需要整合邏輯製程技術,因此現有記憶體廠要卡位進入新市場,門檻相對較高,其中台積電因為擁有邏輯製程生產能力,因此若台積電要跨入新興記憶體市場將會具有競爭優勢。
據了解,工研院透過元件創新、材料突破、電路優化等方式,開發出更快、更耐久、更穩定、更低功耗的新世代記憶體技術,投入相關領域開法已經超過十年。吳志毅說,目前與台積電的合作不便透露,但可確定的是未來台積電在新興記憶體發展,工研院將會有所貢獻。

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