董座吳敏求：明年起NAND Flash、NOR Flash將供不應求，對未來營運樂觀

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快閃記憶體大廠旺宏（2337）9日舉行30週年廠慶，董事長吳敏求對於未來營運抱持樂觀態度。吳敏求說，現在已經拿下華為及日韓大廠的5G基地台訂單，在2020年5G商轉後，營運將可望明顯受惠5G帶來的正面效益。
旺宏9日舉行30週年廠慶，吳敏求親自帶領媒體參觀公司，且一一細數自1989年建廠的點滴，並且介紹公司打入的產品，戰果從無人機、智慧手機、心律感測器、自駕車及5G基地台等產品線，成果相當豐碩。
對於未來營運展望，吳敏求指出，5G世代即將到來，現在基礎建設正在全球各地建設當中，當中基地台不可或缺的NOR Flash在全球除了兩家美系大廠能夠提供之外，亞洲就只有旺宏有相對水準能夠供貨。
吳敏求解釋，由於5G基地台使用的NOR Flash需要使用1～2Gb的規格，不同於以往消費性產品使用的512Mb及256Mb等容量，因此製作難度相對較高，另外由於基地台設備需要在戶外風吹日曬，因此對於品質又更加要求，訂單量能正逐步看增。
吳敏求說，現在除了日韓大廠所生產的基地台採用旺宏NOR Flash之外，就連積極在全球拓展營運的華為也採用旺宏產品，全球有高達八成的廠商都向旺宏下單，對於2020年及往後的5G商機對於旺宏營運抱持正面看法。
在記憶體產業市況，吳敏求預期，2020年起不論是NAND Flash及NOR Flash都將可望供不應求，其中NAND Flash受惠於2D轉3D製程，因此將使2D供給減少；NOR Flash部分，在真無線藍牙耳機（TWS）需求暢旺下，推動NOR Flash需求大增，在5G商機推動下，用量亦將同步成長。
此外，旺宏30週年廠慶，公司特別準備大型生日蛋糕，與所有同仁一起歡慶旺宏生日，吳敏求為了感謝員工的辛勞，特地發放總金額約4,000萬元的大紅包，每位員工將可望領到1萬元現金，替員工加碼聖誕節大餐。
吳敏求對員工說，因為有你們的付出，才能讓旺宏成長茁壯，未來還有許多挑戰，希望大家能一起努力，且在未來20年旺宏能夠成為NAND Flash的市場領導者，再度創造下一個奇蹟。

記憶體價格差＋台中廠的生產效率提升，裝機延至2020

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記憶體大廠華邦電（2344）高雄新12吋廠已在7月上樑，興建計畫依進度進行中，原本預期2021年底可開始進入生產，初期以25奈米DRAM開始投片。不過，華邦電董事長焦佑鈞6日表示，明年記憶體市況將趨於穩定，但因記憶體價格仍然不好，加上華邦電中科12吋廠的營運效率明顯提升，所以高雄12吋廠的裝機時間將遞延到2022年第一季。
第三季記憶體市場價格跌幅縮小且進入出貨旺季，華邦電第三季合併營收達134.20億元，歸屬母公司稅後淨利達5.91億元，每股淨利0.51元，符合市場預期。華邦電子公司新唐第三季合併營收29.44億元創下歷史新高，但因業外收益縮水，單季獲利達1.76億元，每股淨利0.85元。
華邦電第四季進入淡季，6日公告11月合併營收月減6.1％達40.57億元，較去年同期小幅增加0.9％，累計前11個月合併營收446.97億元，與去年同期474.99億元相較減少5.9％。
焦佑鈞6日出席新唐股東臨時會表示，明年記憶體的產業景氣，因為之前價格跌幅很大，現在應該會趨於安定一陣子，價格會不會反彈還看不出來，但應該可以預期是會穩定下來。
焦佑鈞指出，華邦電原先的投資計畫，是考量到中科12吋廠已經沒有空間再放新機器擴產，所以要把20奈米與25奈米的DRAM製程移到高雄新12吋廠並進行良率拉升及後續量產。但考慮到現在記憶體價格並不是很好，台中廠生產效率提升不少，所以改變了原先計畫。
焦佑鈞表示，由於中科廠區還有空間可以裝進下一世代製程設備，就是20奈米和25奈米的DRAM設備，所以若在新設備裝機導入後又順利提升良率，能讓華邦電的成本下降很多。所以，華邦電會先在中科12吋廠導入新製程並提升良率，然後再搬到高雄新廠量產，高雄新廠裝機時間因此遞延到2022年1月。
對於新唐併購Panasonic半導體事業，焦佑鈞表示，新唐明年6月才會正式接手，該事業雖然目前虧損，但轉變快對新唐的衝擊就小，若調整慢的話影響大概會需要二年時間，因此不宜用目前該事業財報來判斷影響。新唐的核心技術在ARM基礎架構上，Panasonic半導體則以系統架構為主，產品線有互補性，未來可整合雙方之力往物聯網、智慧家庭、工業與車電市場邁進。

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DRAM廠南亞科（2408）公告10月營收月減9.6％達45.22億元，主要受大陸十一長假影響當地系統廠拉貨動作。DRAM市場過多庫存持續降低，南亞科總經理李培瑛日前在法說會中表示，DRAM市場最壞情況已過，第四季DRAM市場預期供需平穩，價格持平或小幅漲跌。
南亞科公告10月合併營收達45.22億元，較9月減少9.6％，與去年同期相較減少32.8％。累計前10個月合併營收達431.34億元，與去年同期相較減少42.1％。法人預期11月大陸系統廠拉貨動能回復，在DRAM位元出貨提高情況下，11月營收表現將優於10月，第四季合併營收與第三季相較約是持平或小幅衰退情況。
南亞科日前公告第三季財報。第三季DRAM銷售量較上季成長約35％，但平均銷售價格較第二季下滑逾10％，季度合併營收季增19.0％達147.99億元，較去年同期減少39.3％，平均毛利率亦價格走跌影響季減6.9個百分點達28.0％，歸屬母公司稅後淨利季減19.8％達22.05億元，較去年同期減少82.9％，每股淨利達0.72元。
下半年三大DRAM廠陸續進行減產，但需求端進入傳統旺季，市場過剩庫存持續去化。南亞科已調升全年位元銷售量目標至11～13％。李培瑛表示，第三季旺季效應帶動出貨量上揚及庫存降低，供應商持續調節庫存，資本支出保守，預期第四季DRAM市場將是供需平穩，價格持平或小幅漲跌。
集邦科技表示，2020年三大DRAM原廠仍以獲利為導向，資本支出預估將較今年減少至少10％，明年的產出年成長亦是近10年來新低約達12.5％，為價格反彈奠定一定的基礎。

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任天堂在9月底推出的平價手持遊戲機Switch Lite，上市10天就賣出近2百萬台，令外界看好年終購物季需求火熱。另一方面，任天堂推出的瑪利歐系列手遊也將加入多人連線功能，激勵股價在1日收盤大漲7.5％至41,500日圓。
國內NOR Flash大廠旺宏也受惠Switch熱賣利多帶動，1日股價一度飆漲到近7％，尾盤因逢高獲利了結賣壓湧現，終場收在32元、上漲2.89％，成交量由前一日的24,379張爆增至81,819張，三大法人聯袂買超2,181張，呈現連兩日買超。
任天堂稍早公布，今年度第二季（7至9月）Switch銷售量285萬台，平價款Switch Lite也賣出195萬台。售價200美元的Switch Lite比Switch便宜100美元，9月20日剛上市。
值得注意的是，Switch Lite上市10天內就在美國賣出80萬台，比日本銷售量39萬台多出一倍以上。分析師表示以往手持遊戲機在美國較不受歡迎，因此Switch Lite能有此成績堪稱相當優秀。
任天堂社長古川俊太郎表示，許多擁有Switch的玩家選擇添購Switch Lite給家人，且Switch Lite的低價也成功吸引女性及其他新客群。任天堂為了趁勝追擊，將自12月起推出更多Switch遊戲軟體，其中包括寶可夢系列新款遊戲。
除了Switch Lite加速整體Switch銷售成長之外，分析師也看好任天堂和騰訊合作將打開大陸遊戲機市場。大陸政府已在10月底核准第一款Switch遊戲軟體上市。
旺宏目前主要供應唯讀記憶體（ROM）給大客戶任天堂，受惠於任天堂遊戲機熱賣，使拉貨需求強勁，帶動旺宏第三季合併營收衝至119.06億元，改寫歷史新高，歸屬母公司稅後淨利18.53億元，與較第二季相比成長逾六倍，繳出旺季水準成績單。
對於第四季展望，旺宏先前對外釋出，雖然ROM產品出貨可能相較第三季放緩，但是NOR Flash、NAND Flash等快閃記憶體需求可望轉好。法人預估，旺宏第四季合併營收與第三季相比可維持平穩水準，且在記憶體價格跌幅放緩效應下，毛利率有機會繳出優於第三季的表現。
展望2020年，旺宏指出，19奈米製程的SLC NAND Flash客戶反映良好，有機會藉此打入車用資通訊娛樂系統及機上盒等終端應用，對營運形成一大貢獻。

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非揮發性記憶體大廠旺宏（2337）24日召開法人說明會，受惠於大客戶任天堂擴大拉貨，加上進入傳統銷售旺季，單季合併營收119.06億元創下歷史新高，歸屬母公司稅後淨利18.53億元，較第二季大增逾六倍，每股淨利1.01元，優於市場預期。旺宏第四季營收將維持平穩，但記憶體價格止跌回穩，庫存跌價損失明顯減少，法人預期毛利率可望維持高檔。
旺宏第三季合併營收季增59.2％達119.06億元，與去年同期相較成長18.7％，並創季度營收歷史新高，平均毛利率季增3.2個百分點達30.0％，營業利益季增逾2.7倍達17.78億元，較去年同期小幅增加0.9％，歸屬母公司稅後淨利18.53億元，較第二季大增逾六倍，與去年同期相較小幅下滑3.3％，每股淨利1.01元，優於市場預期。
旺宏第三季營收創高，主要是受惠於大客戶任天堂提前拉貨。旺宏第三季唯讀記憶體（ROM）業績季增177％，營收占比提升至51％，成為最大產品線。包括NOR及NAND的快閃記憶體業績季增約12％，晶圓代工業績季增10％。
旺宏董事長吳敏求表示，因任天堂出貨策略改變，部分10月訂單提前於9月出貨，將影響第四季ROM銷售較第三季減少，不過NOR Flash及SLC NAND需求好轉，看好NOR Flash價格止跌持穩，SLC NAND持平或微跌。
旺宏19奈米SLC NAND已於第三季末正式量產，目前月產能約達1.2萬片，第一批產品已供貨美國機上盒大客戶。吳敏求表示，19奈米SLC NAND出貨順利，且客戶反應佳，試樣訂單量也很多，對明年19奈米出貨非常有信心。至於192層3D NAND仍在研發階段，預計2021年底可進入量產。
對於明年展望部分，吳敏求表示，受到美中貿易戰等不確定性因素影響，對明年展望難以預估，但相信旺宏的19奈米SLC NAND將對明年市場帶來一定的影響力，對營運會有相當大的貢獻。SLC NAND短期應用主要為機上盒等消費性市場，之後可望推展至車用資訊娛樂系統等不同領域。

月增34％衝上50.8億，Q3營收也同步刷新紀錄達119.07億

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記憶體大廠旺宏（2337）受惠於大客戶任天堂擴大唯讀記憶體（ROM）及快閃記憶體拉貨，加上NOR/NAND Flash價格止跌且進入出貨旺季，帶動9月合併營收衝上50.80億元，第三季合併營收達119.07億元，同步改寫單月及單季營收歷史新高，優於市場預期。
旺宏公告9月合併營收月增34.0％達50.80億元，較去年同期成長35.5％，並創單月營收歷史新高。第三季合併營收衝上119.07億元改寫歷史新高，較第二季大幅成長59.2％，與去年同期相較亦明顯成長18.7％。累計今年前三季合併營收254.15億元，較去年同期減少9.1％。
旺宏9月營收明顯飆升，主要是受惠於大客戶任天堂擴大記憶體拉貨。任天堂今年下半年明顯提高Switch及Switch Lite出貨量，主要是下半年有包括寶可夢劍與盾、勇者鬥惡龍等多款重量級遊戲推出。而事實上，根據日本遊戲總合情報媒體Famitsu公布統計數據，勇者鬥惡龍XI遊戲推出，加上消費者趕在增稅前購買，9月23～29日當周Switch遊戲機在日本市場銷售量就較上周飆增87％達11萬5,732台，連續83週稱霸日本遊戲機市場。
再者，由於真無線藍牙耳機（TWS）、智慧家電、數位機上盒、4K/8K超高畫質電視等新應用，對於NOR Flash及SLC NAND等需求明顯增加，使得NOR/NAND Flash價格在第三季出現止跌。對旺宏而言，上半年已先預備好庫存，隨著出貨進入旺季，亦是推升營收創下新高的主要原因，獲利亦將看到明顯跳升。
蔡英文總統5日下午參訪旺宏，由董事長吳敏求、總經理盧志遠親自接待。吳敏求向蔡總統展示最新NOR Flash，以及在車用、5G、物聯網等領域的最新應用及技術，其中，旺宏已成功打進全球前三大車電子大廠供應鏈，獲一線車廠及車用電子廠採用，並與輝達（NVIDIA）及瑞薩（Renesas）搭配，合作搶攻先進駕駛輔助系統（ADAS）及自駕車等市場。
此外，蔡總統對於旺宏的高品質產品也印象深刻，她對於旺宏的產品退貨率從業界標準的ppm（百萬分之一）降到ppb（十億分之一）單位，而成為全球極少數能用ppb 指標衡量不良品的廠商表示相當不容易。另外，旺宏的優質專利顯示了在研發方面的堅強實力，也讓蔡總統了解台灣廠商在全球的領先地位。

星廠應用先進3D NAND製程技術，推動5G、AI關鍵技術轉型；台中廠拚年底落成
新加坡14日專電
記憶體大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規畫，並應用先進3D NAND製程技術，進一步推動5G、人工智慧（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在台灣DRAM廠投資，台中廠擴建生產線可望在年底前落成。
美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、在地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、記憶體模組廠威剛、IC基板廠景碩、記憶體封測廠力成、IC通路商文曄等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。
美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區，以及位於新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開始生產，但在技術及產能轉換調整情況下，Fab 10廠區總產能不變。
美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資，擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進製程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進入量產，第四代128層3D NAND將由浮動閘極（floating gate）轉向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵，同時進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。
美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進製程研發重心，2017年在台灣成立DRAM卓越中心，台灣成為美光最大DRAM生產重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大，台中廠區除了現有12吋廠，也將加快投資進行新廠區擴建，計畫在年底前完成，而台中廠區後段封測廠亦持續擴大產能。
隨著韓國記憶體廠三星及SK海力士開始評估在先進DRAM製程上採用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開始評估將EUV技術應用在DRAM生產的成本效益，隨著DRAM製程由1z奈米向1α、1β、1γ奈米技術推進過程，會選擇在合適製程節點採用EUV技術方案。

三星、SK海力士、美光擴大減產，法人：DRAM及NAND Flash止跌在望
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為避免記憶體價格續跌導致財報數字惡化，三星電子、SK海力士、美光科技等三大記憶體廠下半年擴大減產，業界表示，DRAM及NAND Flash市場庫存仍高，但三大廠擴大減產10～15％，再加上韓國業者後續恐因日韓貿易紛爭延燒，導致擴產受阻，可望讓記憶體市況提前在第三季觸底。
法人指出，DRAM及NAND Flash現貨價已止跌，預期合約價可望在第三季底止跌，若日本確定擴大對韓國實施半導體材料及設備的出口管制，記憶體現貨價及合約價上漲機率大增，有助於南亞科、群聯等業者下半年營運明顯優於上半年。
美光先前在法說會中已說明下半年減產計畫，包括DRAM晶圓投片維持上半年減產5％幅度，NAND Flash晶圓投片則由減產5％提升至減產10％，明年資本支出會有十分明顯的減少幅度。
SK海力士在日前法說會中亦提及，下半年會將M10廠的部份DRAM產能移轉生產CMOS影像感測器，第四季DRAM產出會減少，且直到2020年DRAM產能利用率可能持續下降，至於NAND Flash減產幅度會擴大至15％，而明年資本支出會明顯低於今年。
龍頭大廠三星雖未公開說明減產計畫，但業界預估其下半年DRAM及NAND Flash投片量應會低於上半年，至於平澤P2廠原本要在下半年展開設備投資，投資動作將延至明年才開始進行。
再者，日韓紛爭亦是記憶體下半年最大變數。日本可能在本周末將韓國移出白色國家名單，代表韓國未來要向日本採購半導體材料及設備，將面臨長達90天或更久的審核時間，這將導致韓國兩大記憶體廠下半年投片量明顯減少，擴產計畫恐怕也得持續向後遞延。
在此一情況下，包括威剛董事長陳立白、旺宏董事長吳敏求、華邦電總經理詹東義等，都認為日韓紛爭拖的愈久，對韓國記憶體廠影響愈大，對台灣記憶體廠反而是爭取市占的好機會。而法人則看好DRAM及NAND Flash合約價可望在第三季止跌，下半年進入出貨旺季，有助於營收及獲利明顯復甦。

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非揮發性記憶體大廠旺宏25日召開法人說明會，由總經理盧志遠主持。旺宏第二季營運倒吃甘蔗，歸屬母公司稅後淨利季增85.9％達2.64億元，每股淨利0.14元，優於市場預期。旺宏下半年唯讀記憶體（ROM）、NOR/NAND Flash均進入出貨旺季，法人預估第三季營收季成長率上看25～30％，獲利將較上季出現倍數成長。
旺宏第二季ROM出貨優於去年同期，但NOR/NAND Flash出貨較去年同期減少，合併營收季增24.1％達74.79億元，與去年同期相較下滑15.8％，平均毛利率季增1.4個百分點達26.8％，歸屬母公司稅後淨利季增85.9％達2.64億元，每股淨利0.14元，優於市場預期。
旺宏雖未說明第三季業績展望，但盧志遠表示，記憶體價格已回穩，第三季一向是旺宏出貨旺季，各產品線需求都會成長，在產品價格穩定及上半年認列存貨跌價損失可望回轉的情況下，對第三季營運展望樂觀。法人預期旺宏第三季營收可望較上季成長25～30％；旺宏不評論法人預估財務數字。
有關日韓紛爭是否對記憶體市場造成影響，盧志遠表示，目前消息非常混亂，不會有利空，但是否有利多也無法評論。就價格走勢來看，NAND Flash上半年跌深，近期價格已經回穩，NOR Flash產業谷底已到可望反轉，ROM業務則受惠於大客戶強勁拉貨。他說，大陸遊戲業者騰訊代理任天堂遊戲機在中國大陸市場銷售，若銷售量不錯，自然對旺宏會好。
旺宏第二季帳上存貨達188.67億元，引發法人關注，但旺宏指出，下半年旺季出貨增加，可以消化存貨至百億元的合理水位。而旺宏上半年因受到產品價格走跌影響，存貨備抵損失共20億元，下半年產品順利出貨後就可回轉，對獲利將會有明顯助益。
旺宏今年資本支出約140億元，主要用於進行製程微縮以降低單位製造成本，包括SLC NAND Flash由36奈米轉換至19奈米，每片晶圓切割出的同容量晶片可增加1倍，第三季可開始貢獻營收。NOR Flash由75奈米微縮至55奈米後，每片晶圓切割出的同容量晶片可增加50％，有助於降低成本及提振獲利。

預期韓廠將降低產能利用率，DRAM及NAND Flash平均上漲約1成；合約價也出現止跌

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日本在7月初開始管控向韓國出口3種生產半導體及面板所需關鍵材料，造成記憶體模組廠出現提高報價狀況。隨著近期日本及韓國之間協商毫無共識，日本經產省又在安全保障貿易管理中將韓國列為最不能信賴國家，日韓貿易紛爭持續惡化，在預期韓國記憶體廠恐將開始降低產能利用率情況下，DRAM及NAND Flash現貨價平均上漲約1成，部份貨源較少產品更一口氣大漲逾2成。
■南亞科、群聯等受惠
隨著DRAM及NAND Flash現貨價持續上漲，7月合約價也出現跌幅明顯縮小或持平止跌現象。由於第三季是傳統旺季，法人看好南亞科、華邦電、群聯等業者本季營收及獲利將明顯優於第二季。
日本對韓國發布關鍵面板及半導體材料限制出口禁令後，韓國記憶體大廠三星電子及SK海力士手中的光阻劑及高純度氟氫酸庫存水位急降，兩家業者雖然積極向外尋求新供應商，但至今仍無法取得足夠材料貨源。同時，韓國業者雖表示已向日本供應商海外工廠調貨，不過日本官方說明若是最終使用者是韓國業者仍受到出口禁令管制。
目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上並非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長且需確定最終使用者一定要是半導體廠，所以短期結構性供需反轉的可能性低。但業者表示，光阻劑及高純度氟氫酸保存期限短，日本將申請時間大幅拉長，且每次採購都需申請，會導致韓國業者出現材料供給缺口，造成晶圓廠產能利用率明顯下滑，將可加速DRAM及NAND Flash庫存去化速度。
因為日韓紛爭短期內無法達成共識，加上傳統出貨旺季到來，模組廠順利調漲現貨價格。根據集邦報價，8Gb DDR4現貨均價已漲至3.7美元左右，最高成交價達4.0美元，7月以來漲幅約10％，供貨較少的4Gb DDR3已漲至1.7美元，7月以來漲幅逾15％。
NAND Flash現貨價漲幅更大，因為日本東芝記憶體四日市廠區發生停電後導致第三季產出大幅減少，且智慧型手機最高搭載容量今年拉高至512GB，日韓紛爭可能導致韓系業者供應量下滑，NAND晶圓（wafer）現貨價因此大漲，512Gb TLC晶片價格漲至3.9美元，供貨量少的128Gb TLC晶片價格更大漲33％達1.6美元。
■業界預估至少漲到月底
模組業者表示，韓國三星及SK海力士的庫存已開始下滑，DRAM及NAND Flash現貨價預期至少會漲到月底，7月漲幅預估會達2～3成，若日韓紛爭延續到日本參議院大選後仍然未解，8月現貨價格續漲機率大增，合約價有機會反轉開始上漲。法人認為價格上漲有助於群聯、南亞科、華邦電等記憶體廠第三季營運表現。