桃園及台中廠決導入1y奈米製程，自有封測廠亦將量產，並再招募千人
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美國記憶體大廠美光科技（Micron）將擴大台灣DRAM卓越中心營運規模，除了在今年將桃園廠（原華亞科）及台中廠（原瑞晶）製程升級至1y奈米，台中廠旁的封測廠也展開先進技術開發及擴產。台灣美光記憶體董事長徐國晉表示，DRAM卓越中心除了製造能力提升，更是技術及產品研發中心，美光台灣員工已逾7,000人，今年將再招募千人，希望年底能達8,000人規模。
美光目前為台灣最大外商公司，在美光的全球布局下，台灣已經是美光最大的DRAM製造重鎮，除了桃園廠及台中廠外，美光自建封測廠也已進入量產。同時，美光與台灣封測代工廠亦有緊密合作關係，包括力成、南茂、華東等仍持續承接美光釋出的封測代工訂單。
徐國晉表示，美光不斷提升在台灣的前段DRAM廠的製程技術，現階段桃園廠與台中廠均順利量產1x奈米製程，預計今年下半年將導入1y奈米製程，並啟動1z奈米製程移轉工程，明年可望進入量產。
徐國晉表示，美光後段封測廠開始量產，前後段已順利完成整合，美光會持續擴大台灣DRAM卓越中心營運規模，所以要大舉徵才。美光DRAM卓越中心不僅是製造，還包括了產品設計及銷售等，目前在台員工逾7,000人，今年內將再招募千人，年底應可達8,000人規模。
此外，美光封測廠也導入人工智慧（AI）的智慧製造。徐國晉說，不僅前段DRAM廠加入AI智慧製造，後段封測廠亦是台灣唯一的全自動化封測廠，雖然積極往自動化走，不過對於人力的需求還是有增無減。隨著採用AI的生產製造模式，晶圓產出可以提升10％、產品品質提升35％、提前達到成熟良率目標25％，能有效降低單位生產成本。
對於今年人才招募部分，徐國晉指出，今年招募的新人當中，有很大的部分都是在後段封測廠，另外會有三分之一新人都是非製造相關，包括研發中心、供應鏈管理等，非製造部分預估要新增300人左右。過去美光科技在台灣知名度不高，因此招募人才不易，今年透過校園計畫、在地化融合、人才培育等方式，希望能加快吸引人才。

預估今年產能位元成長率將降至10～15％
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由於今年以來DRAM市況明顯不佳，在供過於求情況下價格走跌，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠已陸續宣布降低今年資本支出消息，而DRAM廠南亞科15日也決定大砍今年資本支出。
南亞科總經理李培瑛表示，2018年資本支出已經較原本預期金額下修15％至204億元，2019年資本支出會更加保守，預期會較去年減少5成至100億元左右。
DRAM廠近期陸續宣布放緩今年投資計畫。根據集邦科技統計，三星電子今年DRAM投資金額降至80億美元，主要用於1y奈米製程推進及新產品開發，投片計畫是近年來最保守的一年，並傳出終止平澤廠Line 18擴產計畫。SK海力士也將今年DRAM投資金額降至55億美元，主要用於新製程轉進及良率提升。美光則下修今年資本支出至30億美元左右，今年產能位元成長率目標由原本預估的近20％下修至15％。
南亞科15日法說會中亦表示將下修今年資本支出，將較去年減少約5成達新台幣100億元。李培瑛表示，預期今年產能位元成長率將達10～15％，與去年的40％相較明顯減少。DRAM廠同步降低今年資本支出，主要是要減緩產能過剩壓力，並減緩價格下跌速度。
對於今年DRAM市場，李培瑛表示，長期來看仍有穩定的成長動能。以智慧型手機市來說，去年第四季開始銷售情況不如預期，但手機廠為了進行差異化，包括增加多鏡頭及加入人工智慧（AI）功能等，都需要依賴DRAM規格升級，看好今年Android系統旗艦機種搭載容量將提高至10～12GB，預期2020年5G手機正式商轉將可刺激行動式DRAM成長動能。
李培瑛亦指出，伺服器市場去年第四季及今年第一季均處於短線庫存調整，以致需求不佳，但長線仍穩定成長，主要為AI與網路產業的發展可持續帶動伺服器的需求。個人電腦部份則受到英特爾處理器缺貨，不利於PC出貨，預期今年中就可恢復正常供貨。
在消費型電子部份，李培瑛認為短期需求是受到美中貿易因素干擾，但包括機上盒、智慧音箱、固態硬碟、IP CAM等各種應用，DRAM搭載容量仍維持成長。所以整體來看，今年DRAM市場總體需求仍穩定增加。

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記憶體廠華邦電14日與19家銀行簽訂7年期新台幣420億元聯合授信案，簽約典禮由華邦電董事長焦佑鈞及臺灣銀行董事長呂桔誠共同主持。華邦電表示，此次銀行聯貸主要用以興建南部科學工業園區高雄園區12吋晶圓廠及購置機器設備。華邦電新廠預計2020年進入量產階段，滿載月產能規畫為4萬片，初期投片將以DRAM產品為主。
華邦電與銀行團簽訂7年期420億元聯合授信案，委由臺灣銀行、中國信託商銀、第一商銀、台新國際商銀、兆豐國際商銀、合作金庫商銀、彰化銀行及星展銀行共同主辦，總計19家經營績效良好金融機構共同參與。華邦電指出，此聯合授信案深獲銀行團支持並踴躍參貸，獲超額認購193％，最後以420億元籌募完成，充分顯現銀行團對於華邦電營運與獲利表現給予高度肯定。
華邦電表示，此次的聯合授信案主要用途，為興建南科高雄園區12吋晶圓廠房及購置機器設備所需，未來華邦電將以穩健腳步進行新廠規劃與投資，以滿足持續增長的客戶需求。
華邦電致力於全方位記憶體解決方案，為全球第五大自有品牌DRAM製造商，亦為全球領導的NOR Flash供應商，為全球少數同時擁有DRAM及Flash產品線的記憶體廠商。
受到記憶體價格下跌及需求動能減緩影響，華邦電公告2018年12月合併營收月減8.2％達36.91億元，較2017年同期下滑12.9％。去年第四季合併營收季減13.3％達118.68億元，與前年同期相較下滑10.1％。去年合年合併營收511.90億元，年增7.6％並創歷史新高，法人預估全年獲利約達歷史次高。

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市場傳出，高雄預拌混凝土嚴重短缺，甚至有惜售囤積狀況，可能衝擊晶圓代工廠台積電及記憶體廠華邦電在高雄的建廠計畫。不過，台積電、華邦對此紛紛表示，建廠計畫並沒有任何改變，也不會受到任何影響。
高雄預拌混凝土傳出短缺消息，不僅將可能漲價，供貨量也開始減少，恐影響台積電、華邦在台南科學園區及高雄的建廠計畫。但台積電對此消息予以否認，表示不會影響建廠計畫。
供應鏈指出，按照一般狀況，半導體廠的建廠計畫發包給營建商後，都會敲定完工日期，就算遇到混凝土價格漲價，也不會影響建物落成時間，因為一旦延後建廠時間，影響的不僅是量產時間，更將會影響全球半導體客戶的投片計畫。
供應鏈表示，屆時半導體廠付出的將可能是高額的延後出貨賠償金，金額將可能是以數十億計算，混凝土漲價金額對比，將是小巫見大巫，因此就算混凝土漲價也不會影響半導體廠完工時間。
目前台積電在台南科學園區進行5奈米製程的12吋晶圓廠Fab 18廠房建設，預計一共將進行三期工程。設備業者表示，台積電預計將於今年第一季在Fab 18廠的開始裝機，第二季將開始風險試產，2020年才要進行3奈米製程廠房建設。
至於華邦電，已在去年10月宣布動土建設12吋晶圓廠，預計2020年完工落成。對於混凝土缺貨可能影響建廠計畫，華邦電表示，不會有任何影響，一切按照先前宣布計畫進行當中。

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NAND Flash控制IC廠群聯昨（24）日宣布，與紫光存儲在北京簽署戰略合作協定，未來將在記憶體產品供應鏈、產品設計、代工生產等領域全面深化合作，建立密切的合作夥伴關係，充分發揮各自行業優勢，共同促進雙方的業務發展和產品延伸，實現生態共贏。
昨日的戰略合作協定簽署儀式，群聯董事長潘健成、紫光集團全球執行副總裁兼紫光存儲董事長馬道傑、紫光存儲總裁任奇偉等雙方高層皆出席了簽約儀式，可見本次合作案備受雙方重視。
根據協定，雙方將深化開展生產、銷售記憶體產品與服務層面的合作，打造完整、高效的商業鏈條，聯合開發創新記憶體產品，協作開拓全球市場，紫光存儲與群聯電子將全面發揮資源和能力互補優勢，不斷推動技術創新、產品創新與商業模式創新，打造共用共贏的業務生態，共同提升在全球存儲市場的影響力。
馬道傑表示，紫光存儲堅持更加開放、全面合作、產業共贏的理念，積極開展上下游合作，目前已與業內眾多知名廠商建立戰略合作夥伴關係，此次紫光存儲和群聯電子強強聯合，全面合作，是紫光繁榮存儲生態的又一重要舉措，將進一步推動存儲產業的創新發展，為雙方創造更大的價值。
潘健成指出，群聯耕耘快閃記憶體產業近20年，深知保持開放合作的態度是長期競爭力的基石，已與各半導體大廠建立策略聯盟，在快閃記憶體採購、控制晶片設計、提供一條龍技術產品與服務等方面，皆已獲得上下游夥伴之肯定。紫光存儲為存儲產業之新星，也預期將在半導體產業中佔有重要的一席之地。
供應鏈指出，紫光集團明年將正式跨入NAND Flash產業，且明年下半年就能進入到64層的3D NAND量產，腳步相當迅速，由於NAND Flash必須搭配控制IC才能使用，因此紫光集團的新產能就成為群聯搶先合作的目標。
法人指出，目前NAND Flash價格雖然逐步走跌，不過明年下半年有機會受惠於5G、資料中心及人工智慧等儲存需求，使NAND Flash價格止跌回升，群聯也將在需求回升情況下，帶動業績穩健成長。

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記憶體大廠華邦電（2344）與大日本印刷（DNP）宣布策略聯盟，雙方將合作研發可提升物聯網安全等級、搭載更大容量記憶體的eSIM及安全元件（Secure Element，SE）。華邦電近期推出的TrustME安全快閃記憶體系列，提供安全的代碼和數據存儲解決方案，安全等級等同系統單晶片（SoC）和應用處理器中所使用的嵌入式快閃記憶體。
大日本印刷是SIM卡主要供應商，在看好安全物聯網市場下，利用旗下IC卡事業研發出的IC晶片OS技術和安全技術，投入可提高物聯網安全性的關鍵SE元件。在此一技術下，大日本印刷藉由使用搭載華邦電大容量的安全快閃記憶的安全微控制器（MCU），著手進行搭載大容量記憶體的eSIM及SE元件開發。
大日本印刷表示，現階段eSIM及SE元件所搭載的記憶體容量最高為1MB，但此次與華邦電合作研發的eSIM產品，將搭載4MB大容量安全快閃記憶體，可讓使用者儲存更多的設定檔，同時不必再受限於容量太少而去刪除設定檔。
另外，大日本印刷已推出可協助物聯網的機器之間通訊編碼的高安全性IoST（安全物聯網）平台。大日本印刷指出，現在的物聯網導入的安全性機制，需要搭載MCU及SE元件等2顆晶片，但此次與華邦電合作的SE元件已經把MCU整合，加上運用IC卡的防竄改技術，將軟體儲存在IC晶片中，可降低遭到不當複製的風險。
華邦電不與國際大廠直接競爭，朝向利基市場發展，推出多款TrustME安全快閃記憶體系列產品，針對高安全需求的應用設計者當前所面臨的嵌入式記憶體技術限制的解決方案，可應用於物聯網節點、車用、行動裝置和其他連接產品等領域。

福懋科 全年EPS上看3.5元

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DRAM廠南亞科（2408）第四季20奈米DDR4產能持續開出，加上8Gb DDR4伺服器DRAM及低功耗LPDDR4/4X等新產品進入量產，同屬台塑集團的記憶體封測廠福懋科（8131）直接受惠。法人預期福懋科第四季營運表現將與第三季相當，但毛利率應有改善空間，全年每股淨利可望上看3.5元。
南亞科今年加快20奈米DRAM製程轉換，承接後段封測訂單的福懋科營運也跟著成長，第三季合併營收季增2.4％達22.81億元，較去年同期成長22.0％，平均毛利率雖降至19.6％，導致營業利益季減16.1％達4.07億元，但與去年同期相較大幅成長63.5％，在認列持有台塑集團公司股票的股息後，稅後淨利季增4.5％達4.63億元，每股淨利1.05元。
福懋科前三季合併營收65.57億元，較去年同期成長9.7％，平均毛利率年增4.9個百分點達20.8％，代表本業獲利的營業利益12.45億元，較去年同期成長46.8％，稅後淨利11.88億元，與去年同期相較成長19.2％，每股淨利2.69元，優於市場預期。
福懋科公告10月合併營收月增1.0％達7.53億元，與去年同期相較成長19.8％。由於大客戶南亞科的20奈米DDR4產能持續開出，8Gb DDR4伺服器DRAM亦獲資料中心驗證通過將在第四季出貨，同時LPDDR4/4X等低功耗DRAM亦在第四季量產，法人預估福懋科第四季營運將與上季相當，代表全年每股淨利將上看3.5元。福懋科不評論法人預估財務數字。
南亞科雖下修今年資本支出至210億元，但根據設備業者預估，明年的DRAM位元成長率仍可達15％目標，每月總產能也將提升至7.3萬片12吋晶圓規模，20奈米占比將提升至65％左右。由此來看，南亞科明年總產出會大於今年，有助於福懋科接單維持成長動能。法人表示，南亞科明年主流製程將轉進20奈米，產品組合將以價格較佳的伺服器DRAM及行動裝置LPDDR4/4X為主力，而這些新製程及新產品的封裝量將大於今年，測試時間也較標準型DDR4拉長，有助於明顯推升福懋科的營收成長，樂觀看待福懋科明年營收及獲利將優於今年。

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記憶體廠華邦電子（2344）搶在年底前推出新一代超低功耗記憶體搶進物聯網及車用市場，其中256Mb DRAM具備極低待機功耗與高效能的特性，適合使用於穿戴式裝置或物聯網相關應用上。華邦也推出了業界最低1.2V電壓的快閃記憶體，包括適用於車用的NOR Flash、以及用於高於工規溫度和高速的SPI NAND。
華邦電第3季合併營收136.81億元，單季歸屬母公司稅後淨利達28.40億元，改寫18年來單季獲利新高，每股淨利0.71元。華邦電前3季合併營收達393.22億元，較去年同期成長14.4％，平均毛利率年增5.4個百分點達38.4％，營業利益年增51.5％達66.98億元，歸屬母公司稅後淨利達65.68億元，較去年同期成長74.6％，每股淨利1.65元。
受美中貿易戰衝擊終端需求，華邦電公告10月合併營收月減3.8％達41.55億元，較去年同期下滑7.5％，法人預估第4季營收雖較第3季下滑，但可維持在120～130億元之間，全年每股淨利將賺逾2元。華邦電不評論法人預估財務數字。
華邦電搶年底推出一系列超低功耗記憶體，全力搶攻物聯網及車用電子市場。DRAM部份推出最新深度自我刷新DSR技術及相容LPDDR規格的256Mb DRAM，獲瑞昱採用在低功耗IP Cam方案中。
快閃記憶體部份，華邦電推1.2V超低電壓但達64Mb高容量的NOR Flash，明年底還推出128Mb容量，至於適用於車用電子的512Mb/1Gb NOR Flash也將在明年上半年推出。在NAND Flash部份，華邦電今年SLC NAND製程主力以46奈米為主，但全新32奈米SLC NAND已開始投片，首款2Gb ONFI NAND已送樣認證中，2Gb SPI NAND將在明年上半年送樣。
華邦電總經理詹東義在法說會中指出，華邦電不與一線大廠在標準型記憶體市場競爭，主攻高品質市場，已獲頂尖客戶青睞及下單，由於產能供不應求，才會投資興建高雄廠。華邦電有許多新產品陸續推出，包括業界最低1.2V的快閃記憶體，以及讀取速度可與NOR媲美的高速序列式SPI NAND等，將可為華邦電營收及獲利帶來穩定成長動能。

新聞分析

半導體產業都是以美元計價，所以國內半導體廠都會設立境外公司來降低匯率變動帶來的壓力。以晶圓代工龍頭台積電來說，已在上次董事會核准在額度不超過20億美元範圍內，對台積電在英屬維京群島設立的百分之百持股子公司TSMC Global Ltd.增資，以降低外匯避險成本。
南亞科董事會昨（12）日亦決議在10億美元額度內，成立100％持股的境外子公司以降低外匯避險成本。特別是DRAM價格都以美元計價，而且匯率變動會直接影響DRAM廠財報表現，降低匯率波動影響自然有助於營運不致於出現過多業外變數。
對於DRAM市況，根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMexchange調查，雖然今年下半年是產業旺季，但市場持續供過於求，DRAM第三季合約價格季漲幅縮小到僅1～2％，第四季可能反轉下跌5％，也不排除跌幅持續擴大，終結價格連九季上漲的超級週期（super cycle）。
DRAMeXchange指出，下半年削弱DRAM需求的主因，包括智慧型手機硬體規格已難以吸引換機需求，導致旺季出貨表現平淡；伺服器市場出貨動能出現雜音，以及PC及NB市場因英特爾平台供貨不足而受到衝擊等。
展望2019年，雖然各家對後續新增產能的計畫較為保守，但投片量仍逐漸上升，再加上明年也將持續受惠於1x/1y奈米製程進入成熟期，DRAMeXchange預計整體供給位元年產出將成長近22％。明年DRAM價格跌幅仍取決於需求端的變化，尤其是伺服器的出貨以及單機搭載量是否有足夠的成長動能。
目前預估2019年DRAM價格年均價將下滑約15～20％，但如果伺服器以及智慧型手機需求出現重大修正，價格恐怕會有進一步下滑的風險。

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由於英特爾中央處理器供不應求，導致DRAM現貨價及合約價在10月同步下跌，合約價跌幅則超過10％。DRAM廠南亞科受到價格下滑影響，10月合併營收月減15.7％達67.26億元，表現低於市場預期。法人表示，DRAM價格第四季跌幅明顯擴大，法人圈已下修南亞科第四季營收季減幅度至10％左右，大於原先預估的5％幅度。
南亞科昨（5）日公告10月合併營收67.26億元，較9月合併營收79.79億元明顯下滑15.7％，與去年同期相較仍成長32.6％。累計今年前10個月合併營收達744.90億元，較去年同期成長72.3％。而南亞科10月營收低於市場預期，主要原因為DRAM價格調降以及出貨量減少。
市調機構集邦科技旗下記憶體儲存研究DRAMeXchange的最新調查顯示，在各大廠已議定第四季合約價的情況下，10月份的DRAM合約價格開始大幅滑落，主流4GB DDR4模組的合約均價自上季的34.5美元滑落至31美元，跌幅10.1％，大容量8GB DDR4模組跌幅更為明顯，自上季的68美元滑落至61美元，跌幅為10.3％。由於DRAM市場供過於求的態勢才剛開始，因此不排除11月與12月價格將持續下探。而由於各家廠商積極求售，8GB模組的價格跌幅預期將會持續高於4GB。
DRAMeXchange資深協理吳雅婷指出，作為價格領先指標的現貨價格自今年初起持續走弱，整體10月份價格也延續9月份跌勢持續走弱。以最新報價來看，主流交易顆粒8Gb DDR4顆粒的現貨價格已跌至6.946美元，與合約價的7.31美元相比已經有5％的價差，預告後續合約價將繼續下滑。而在供過於求的市場態勢下，廠商亟欲在價格進一步下跌前拉抬銷售量，使得8GB DDR4模組的滲透率將快速攀升，在數量上提前超越4GB模組成為市場主流。