高雄廠Q4量產20奈米DRAM，明年將挹注集團營收；通過配發現金股利1元

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　記憶體大廠華邦電（2344）5月31日召開股東常會，決議通過去年盈餘配發每股1元現金股利，董事長焦佑鈞看好電動車發展趨勢將帶動營運成長，華邦電NOR Flash及DRAM已打進全球一線車廠供應鏈，邏輯事業電池監控IC亦導入多家知名車廠鋰電池。

　此外，華邦電高雄廠今年第四季量產20奈米DRAM，明年將明顯貢獻集團營收。

　華邦電記憶體主攻高規格且高品質的車用和工業用領域，隨著工業用產品需求大幅成長，加上車用市場明顯復甦，以及電動車相關應用的帶動下，去年營收占比已增加至22％。焦佑鈞表示，隨著現今電動車趨勢發展成形，除了記憶體事業的NOR Flash及DRAM產品已是全球一線車廠的穩定供應來源外，邏輯事業的電池監控IC（BMIC）產品亦已導入多家知名車廠的鋰電池，並持續耕耘新客戶，將技術延伸至電動腳踏車、電動摩托車及儲能等市場。

　焦佑鈞在致股東營運報告書中指出，過去兩年來，由於新冠病毒疫情影響，全世界的人們在生活型態和工作方式都有了很大的變化，外在更兼有地緣政治衝突、氣候變遷等風險，以及貨運塞港、供應鏈斷線等事件，造成產業供需的不平衡與前所未有的市場變化，然而華邦電因應得宜，去年是豐收的一年。

　華邦電過去兩年全力推動數位轉型，在12吋晶圓廠充分發揮效能，對良率提升、生產效率、品質控制皆有顯著的成果。華邦電高雄廠預計今年下半年投產營運，第四季月產能達1萬片，將在明年明顯貢獻集團營收。

  焦佑鈞指出，華邦電高雄廠將導入自行開發的最新20奈米DRAM製程技術，以滿足物聯網、智能系統、元宇宙等應用利基型DRAM需求。

  焦佑鈞表示，華邦電去年25奈米DRAM製程在營運上帶來明顯貢獻，亦顯著反映在成長的營收上。20奈米DRAM製程開發順利並將年導入至高雄廠量產，為華邦長遠的發展奠定良好的基礎與成長動能。

　Flash製程方面，華邦電順應市場未來高容量需求，持續進行45奈米NOR Flash製程開發，也著手優化既有58奈米NOR Flash製程規格及效能，為華邦電與客戶創造雙贏競爭力。

未來一年～一年半時間，疫情依然是電子供應鏈最大變數

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記憶體大廠華邦電12日召開股東常會，董事長焦佑鈞表示，雖然市場對下半年記憶體市場看法有不同聲音，但第三季DRAM仍供不應求，第四季也不會太差。未來一年到一年半時間，電子產業供應鏈仍以新冠肺炎疫情變化為主要變數，由於半導體產能仍供不應求，就算各業者都積極擴產，明年底前因疫情導致需求面對供需的影響，仍會大於供給面帶來的影響。
由於外資券商出具最新研究報告看壞記憶體後市，華邦電總經理陳沛銘表示，利基型DRAM仍供不應求，其中2Gb DDR3嚴重吃緊且需求強勁，今年內不會有DRAM新產能開出，明年國際大廠新增產能主要生產DDR5，在電子產品記憶體介面改變不會突然發生情況下，DDR3等利基型DRAM需求仍在，對明年仍維持樂觀看法。
對於半導體市場展望，焦佑鈞表示，未來一年及一年半時間，電子產業供應鏈仍以疫情變化為主要影響因素。他舉例，去年上半年半導體市場因疫情有短暫停頓，擔心銷售問題，但下半年卻供不應求且短缺嚴重，證明疫情對供應鏈影響很大。
焦佑鈞表示，總體來看，雖然現在產業積極擴產，明年底前因疫情導致需求面對供需的影響，仍會大於供給面帶來的影響，疫情變化仍要再觀察。而若以長期展望來看，美國總統拜登的基礎建設計畫已獲美國國會通過，2023年主導全球經濟供需狀態的可能是美國3.5兆美元的基礎建設計畫，還有一年半時間可慢慢觀察。
對於生產鏈上下游不同調情況，焦佑鈞指出，半導體產能滿載且供不應求，但終端需求與預期不同而有下修情況發生，包括Chromebook取消1000萬台訂單消息等，市場對此感到困惑。就他的觀察，原本情況為晶片供應量是100、終端需求是120所以供給吃緊，但需求由120下降至110，晶片供應量是100仍供應不足，但由終端需求來看可能會以為是需求下降。
有關地緣政治對半導體產業的影響，焦佑鈞表示，以往全球對於使用科技沒有障礙有共識，但過去一年半來感受到半導體產能不足，所以開始考量供應鏈的安全性及安定性，而不是只考量性價比，在某些重要採購上會需要犧牲成本或性能，這會是一個平衡。所以地緣政治對半導體產業生態的影響正在發生，將來也會影響消費者的行為模式。

韓系大廠嚴控出貨，南亞科、華邦電、威剛等受惠
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由於韓系DRAM大廠季底嚴控出貨，6月下旬DRAM現貨價漲勢再起，標準型4Gb DDR4現貨價回升到4.5～5.1美元的歷史高檔區間，缺貨嚴重的利基型DRAM價格同步回升至今年高點，為第三季DRAM合約價全面上漲預先吹響號角。法人看好南亞科、華邦電、威剛、十銓、宇瞻等業者受惠於漲價效應，營運將一路看旺到年底。
今年上半年DRAM市場因供不應求，現貨價及合約價同步出現大漲行情，其中標準型及伺服器DRAM合約價上半年漲幅逾30％，利基型DRAM合約價上半年漲幅高達70～90％，且至第二季底為止，DRAM現貨價仍高於合約價約30～40％，雖然第二季中旬現貨價略為回檔，但季度韓系業者嚴控出貨，6月下旬現貨價漲勢推升第三季合約價全面上漲。
市調機構集邦科技預估，第三季DRAM合約價平均漲幅約達3～8％。其中，標準型DRAM受惠於筆電出貨強勁，以及上游DRAM原廠嚴控出貨，雖然OEM／ODM廠手中DRAM庫存水位拉升，但合約價將上漲3～8％。伺服器DRAM面臨美國及中國雲端服務客戶採購動作放緩，但DRAM原廠手中庫存水位仍低，伺服器廠商仍在建立庫存，合約價預期將上漲5～10％。
下半年是智慧型手機出貨旺季，但受到新冠肺炎疫情及手機零組件長短料問題影響，以及等待第四季的新款智慧型手機上市，市場預期智慧型手機第三季出貨量將低於預期，連帶造成行動式DRAM需求下滑。不過，DRAM廠上半年已行先調整產品組合，降低手機DRAM供貨比重，所以第三季行動式DRAM合約價維持上漲走勢，漲幅約介於5～15％之間。在繪圖型DRAM部份，由於繪圖卡及遊戲機的DRAM規格已轉換至GDDR6，但第三季DRAM原廠並無法有效滿足強勁需求，所以合約價預估上漲8～13％。
至於缺貨嚴重的消費性及利基型DRAM，受惠於5G基礎建設及網通設備需求暢旺，多數消費性電子產品仍採用DDR3規格，但DRAM原廠將舊產能移轉生產CMOS影像感測器方向不變，所以DDR3市場供給量減少，第三季合約價預期將上漲8～13％，供貨量較充足的DDR4合約價亦上漲3～8％。

第三季將嚴重缺貨，價格將續漲10～20％，累計前三季漲幅逾40％
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5G智慧型手機OLED面板搭載率拉高，內建主動降噪（ANC）功能真無線藍牙耳機（TWS）出貨暢旺，加上英特爾及超微推出新筆電處理器，帶動NOR Flash強勁需求。由於兆易創新擴產幅度低於預期，NOR Flash市場第二季下旬供給吃緊，第三季已是嚴重缺貨且價格將續漲10～20％，累計前三季漲幅逾40％，法人看好華邦電（2344）、旺宏（2337）、晶豪科（3006）營運旺到第四季。
今年以來NOR Flash市場持續供給吃緊，主要是因為供給成長十分有限，包括華邦電及旺宏並未大舉提高投片量，只有兆易創新增加對中芯國際及華虹的投片。
至於需求端來看成長快速，包括5G智慧型手機OLED面板、新一代英特爾及超微平台筆電、內建ANC功能TWS耳機、先進駕駛輔助系統（ADAS）、5G基地台等均提高NOR Flash搭載量。
在供不應求情況下，上半年NOR Flash價格逐季調漲，累計漲幅已達20～30％，而下半年市場原本預期兆易創新可能擴大對晶圓代工廠投片而導致供給明顯增加而壓抑價格漲勢，但實際上，兆易創新把大部份新增產能移轉生產高毛利的微控制器（MCU）。所以隨著下半年旺季即將到來，NOR Flash缺貨情況恐更為嚴重。法人預估供給缺口恐達10％以上，所以第三季價格漲幅亦擴大至10～20％，第四季還有續漲空間。
華邦電4月合併營收達83.05億元創下歷史新高，累計前四月合併營收296.30億元，較去年同期成長86.4％亦改寫歷年同期新高紀錄。華邦電NOR Flash主要採用58奈米製程量產，下半年將加速轉進45奈米，月產能維持在1.9～2萬片，但產品線已調整鎖定在車規及工規等安全快閃記憶體市場。
旺宏公告4月合併營收達38.11億元，為歷年同期新高，累計前4個月合併營收達134.38億元，較去年同期成長4.6％，同創歷年同期新高紀錄。旺宏NOR Flash以55奈米製程為大宗，月產能約達2萬片，下半年已加快45奈米製程微縮，產品線轉進高毛利的車規及工規、醫療、航太等高容量應用，力拚今年成為車用NOR Flash第一大廠。
晶豪科公告4月合併營收達20.12億元，累計前四月合併營收達69.83億元，較去年同期成長42.9％，自結稅後淨利10.40億元，每股淨利3.69元。晶豪科NOR Flash以消費性電子產品為主，接單滿載且能見度看到年底，今年將全力擴充50奈米NOR Flash產品線及業務，並開始投入車規晶片研發。

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記憶體廠華邦電19日召開法說會，總經理陳沛銘指出，目前北美暴風雪影響德州供電，連帶讓其他同業的車用NOR Flash生產停擺，且供電恢復正常後也需要時間恢復量產，將可能對後續NOR Flash供給更加緊張。
北美日前因暴風雪造成美國德州罕見出現供電停擺，讓半導體晶圓廠產線全面停止量產，當中包含三星、英飛凌及恩智浦營運都受到影響。記憶體市場部分，又以英飛凌先前收購賽普拉斯（Cypress）的晶圓廠生產受衝擊。
陳沛銘表示，友廠在德州奧斯汀（Austin）晶圓廠主要生產車用NOR Flash，由於晶圓廠暫停生產後，需要時間恢復量產，預期後續將對NOR Flash供給更加緊張。
對於華邦電而言，陳沛銘說，公司在車用NOR Flash市場著墨較少，加上華邦電NOR Flash產能已滿載，就算客戶下單給華邦電，短期也交不出產能，整體來看，德州停電事件對於華邦電而言受惠較少。
針對整體記憶體市況，陳沛銘表示，SLC NAND Flash及NOR Flash皆出現供給吃緊狀況。其中SLC NAND Flash供給吃緊主要是因為部分廠商將DRAM產能轉作CIS元件，使DDR3市場供給減少；NOR Flash則因為中國廠商將產能轉作邏輯晶圓，因此讓NOR Flash供給減少。
華邦電目前整體產能相當吃緊，陳沛銘認為，漲價效益最快第二季開始浮現，代表3月營收將有較高成長幅度，且目前來看，這波供需緊張態勢有機會延續到下半年。
此外，陳沛銘表示，興建中的高雄廠按照原定計畫2022年進入裝機階段，最快有機會在2022年第四季小量生產，2023年逐步貢獻營收。
至於華邦電2020年財報，全年合併營收606.83億元、年成長24.4％，平均毛利率28.08％、年增1.6個百分點，稅後淨利為13.04億元、年增3.8％，每股淨利為0.33元。

華邦電、晶豪科前11月營收均創高；供給續吃緊，Q1預期漲5～10％，帶動業績續強

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利基型DRAM市場在2020年第四季已經迎來一波漲幅，進入2021年後，供應鏈傳出1Gb及2Gb DDR3供應持續吃緊，預期第一季報價有望上漲5～10％。法人看好，華邦電（2344）及晶豪科（3006）等相關業者有望搭上漲價商機。
在三星及SK海力士等DRAM大廠將舊有產能移轉至中高階CIS元件和車用市場效應下，使得利基型DRAM供給全面吃緊。供應鏈傳出，繼12月報價調漲過後，2021年第一季報價有望再度提升，漲幅約落在5～10％之間。
據了解，目前5G智慧手機拉貨力道相當強勁，且這波拉貨需求有望從2021年起至少延伸到第二季，加上車用客戶在2020年下半年開始不斷回補庫存，使得5G智慧手機及車用CIS元件需求量持續暴增，在當前Sony、豪威等主要CIS元件無法全面滿足市場需求效應下，三星及SK海力士開始將舊有DRAM產能轉至製程相近的CIS元件市場，搶食這波商機。
由於舊有DRAM產能供給量不足，使得DDR2及DDR3等利基型DRAM市場供給全面吃緊，訂單開始全面轉向華邦電、晶豪科及鈺創等利基型DRAM供應商。法人指出，利基型DRAM市場供給短缺效應下，1Gb及2Gb的DDR 3、1Gb的DDR2等產品市場價格也出現提升，相關供應商有望同步受惠。
晶豪科公告2020年11月合併營收14.84億元、年成長46.5％，寫下單月歷史第三高，累計2020年前十一月合併營收138.84億元、年增26.8％，創歷史同期新高。法人預期，晶豪科2020年業績有機會藉此改寫歷史新高水準，且跨入2021年第一季後，在漲價商機帶動下，營運可望繳出淡季不淡的成績單。
華邦電2020年11月合併營收年成長64.5％至66.75億元，創單月歷史第三高，累計2020年前十一月合併營收538.75億元、年增20.5％，同樣寫歷史同期新高。
法人看好，近期在5G智慧手機、筆電及平板電腦等終端裝置需求暢旺帶動下，華邦電訂單動能相當強勁，後續又有利基型DRAM漲價效益，華邦電業績將有望再締新猷。

三星、美光淡出低容量市場，供貨量減少需求仍強，三家有望大啖轉單

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國際記憶體大廠全力擴建3D NAND產能，但在SLC NAND的供給策略已有所變化，據通路業者消息，全球記憶體大廠三星及美光相繼淡出4Gb以下低容量SLC NAND市場，價格因供貨量減少可望在今年底或明年初率先調漲。
由於包括工控及安控、物聯網、穿戴裝置等SLC NAND需求強勁，相關訂單除了轉向SK海力士，法人也看好華邦電（2344）、旺宏（2337）、晶豪科（3006）喜迎轉單直接受惠。
三星、鎧俠、美光、SK海力士等國際記憶體大廠積極擴建3D NAND產能，至於原本用於生產低容量SLC/MLC NAND Flash的產能，因為量產規模不若以往，基於成本上的考量，業界傳出三星及美光相繼淡出4Gb以下低容量SLC NAND市場消息。
過去SLC NAND多應用在需要極高可靠性及穩定性的車用或工控等裝置中，但隨著MLC NAND可靠性提升，中高容量SLC NAND市場逐步被MLC NAND取代，所以業者將低容量SLC NAND調整支援SPI（序列周邊）介面，以解決NOR Flash容量提升後的高製程成本問題。
事實上，NOR Flash是現階段最普及的SPI介面快閃記憶體，但容量提升到512Mb或1Gb以上，單位製造成本大幅提升，但製程微縮到40奈米以下也遇到很大的製造難題。因此，包括三星、華邦電、旺宏等記憶體廠均推出SPI介面低容量SLC NAND，提供系統廠高容量且低成本解決方案，也解決了NOR Flash容量愈高、成本愈高的營運難題。
SLC NAND仍被大量應用在工控及安控、物聯網、穿戴裝置等市場，如今三星傳出逐步淡出，美光也減少供給量，但市場需求仍維持穩定成長，所以系統廠陸續將訂單轉至仍在生產SLC NAND的記憶體廠如SK海力士，至於在SPI介面SLC NAND多年布局的華邦電、旺宏、晶豪科等也同步受惠。
華邦電11月合併營收年增64.5％達66.75億元，旺宏11月合併營收年減7.5％達30.10億元，晶豪科11月合併營收年增46.5％達14.84億元，表現均優於市場預期。業界認為，中低容量SLC NAND市場的位元供給明年將因大廠淡出而明顯降低，在供給減少及需求增加情況下，價格最快可在今年底或明年初出現反彈走勢，對業者來說亦可帶來正面的營運助益。

庫存回補減弱，供給過剩壓力愈來愈大，南亞科、華邦電與威剛營運恐有壓

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隨著系統廠及ODM/OEM廠在第二季大舉回補DRAM庫存後，第二季底存貨已達季節性安全水位，由於新冠肺炎疫情對終端需求仍造成衝擊，庫存回補需求明顯減弱情況下，7月標準型DRAM合約價反轉下跌逾5％，利基型DRAM連續第二個月走跌且跌幅擴大至3～6％，下半年DRAM合約價將逐季走跌。
法人認為對南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）等業者下半年營運恐有壓。
新冠肺炎疫情帶動在家遠距工作及遠距教學商機，美中貿易戰升溫造成中國供應鏈加快去美化，兩大變數造成的不確定性大增，讓系統廠及ODM/OEM廠在上半年積極回補DRAM庫存水位，而庫存回補需求也順利推升上半年DRAM價格累計上漲約5～10％幅度。
不過，新冠肺炎疫情雖推升上半年筆電及平板、伺服器、WiFi網路裝置等需求，但第三季以來相關需求成長動能已然放緩，至於智慧型手機、智慧音箱等消費性電子的銷售動能明顯疲弱。由於系統廠及ODM/OEM廠手中DRAM庫存已在第二季下旬回升至季節性安全水位，下半年採購需求明顯減弱，7月DRAM合約價普遍走跌，恐怕是市場已反轉向下的重大警訊。
根據集邦科技及模組廠消息，7月標準型DRAM合約價較6月下跌逾5％，8GB DDR4模組報價降至27.0美元，7月利基型DRAM合約價亦較6月下跌3～6％，其中x16規格4Gb DDR4顆粒均價跌至1.72美元，x16規格8Gb DDR4顆粒均價亦滑落至3.53美元，連續第二個月走跌且跌幅擴大，並且逼近年初低點。
業界對於第三季DRAM市況看好普遍保守，雖然多數業者預期市況應呈現供需平衡，但實際上供給過剩壓力愈來愈大。模組業者指出，近期現貨價跌幅明顯大於合約價，代表終端市場需求轉弱，至於新冠肺炎疫情上半年帶動的伺服器、筆電及平板等銷售動能已明顯放緩，消費性電子下半年看不到明顯復甦。總體來看，下半年DRAM市場將是供過於求局面，可能要等到明年上半年才會好轉。
模組業者預期，第三季DRAM合約價預期會較第二季下跌5～10％，第四季因進入淡季跌幅恐擴大至10～15％。其中，標準型8GB DDR4模組現貨價在6月出現明顯下跌，至7月底跌勢不止且已跌至歷史新低價，對下半年合約價造成更大的降價壓力。
伺服器DRAM因美系資料中心採購量減少，中國三大伺服器廠開始對供應鏈砍單，預期第三季合約價可能較上季下跌5％以上，第四季跌幅可能擴大至10％以上。

4月營收43.49億，年成長11.4％，Q2營運有望由虧轉盈

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　記憶體大廠華邦電（2344）宣布奪下去年NOR Flash全球最大供應商龍頭寶座。根據市場研究機構WebFeet Research最新市場資料，華邦電去年NOR Flash記憶體營收規模全球市占率達22.8％，此亮眼成績歸功於穩健的出貨量，華邦電去年快閃記憶體總出貨量逾30億顆，一舉占有全球NOR Flash記憶體全系列產品出貨量的27.3％。

　華邦電第一季營收115.49億元，毛利率季增2個百分點達24.1％，營業利益0.32億元代表本業已開始獲利，但因提列業外損失導致歸屬母公司稅後淨損0.87億元，每股淨損0.02元。不過，華邦電第二季以來受惠於DRAM、NOR/NAND Flash合約價同步上漲，4月合併營收月增5.0％達43.49億元，較去年同期成長11.4％。法人看好華邦電第二季營運將由虧轉盈且繳出獲利成績單。

　華邦電去年NOR Flash記憶體營收獨占全球鰲頭，全球市占率22.8％，出貨量全球占有率27.3％。此外，就序列式NOR Flash記憶體而言，華邦電自2012年以來即為市場最大供應商，2019年在全球20.09億美元的市場中擁有27.1％的市占率。

　華邦電董事長焦佑鈞在致股東報告書中提及，去年華邦電在編碼型儲存快閃記憶體的營收創新高，占全年營收比重51％，首次超越DRAM營收並成為最大的事業。華邦電與國際大廠建立緊密夥伴關係，其中NOR Flash更為全球第一領導廠商，亦為華邦電穩健成長主要動能。

　為了因應不斷攀升的快閃記憶體需求，華邦電於中科園區營運12吋晶圓廠外，亦計畫於南科高雄園區建置第二座12吋晶圓廠，將視需求逐步擴增和調配產能，以期滿足諸如AI、車用電子、儲存裝置、網路與5G等快閃記憶體新應用需求。

　華邦電自2006年推出SpiFlash的NOR Flash產品線以來，在序列式快閃記憶體出貨已逾200億顆，在這段時間裡，華邦電持續推進製程及封裝能力，包括於2011年推出首款58奈米產品，現今已提供容量介於16Mb至1Gb、電壓介於1.8V至3V的高容量58奈米SpiFlash，並計畫於2021年推出最先進45奈米製程NOR Flash。

記憶體價格差＋台中廠的生產效率提升，裝機延至2020

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記憶體大廠華邦電（2344）高雄新12吋廠已在7月上樑，興建計畫依進度進行中，原本預期2021年底可開始進入生產，初期以25奈米DRAM開始投片。不過，華邦電董事長焦佑鈞6日表示，明年記憶體市況將趨於穩定，但因記憶體價格仍然不好，加上華邦電中科12吋廠的營運效率明顯提升，所以高雄12吋廠的裝機時間將遞延到2022年第一季。
第三季記憶體市場價格跌幅縮小且進入出貨旺季，華邦電第三季合併營收達134.20億元，歸屬母公司稅後淨利達5.91億元，每股淨利0.51元，符合市場預期。華邦電子公司新唐第三季合併營收29.44億元創下歷史新高，但因業外收益縮水，單季獲利達1.76億元，每股淨利0.85元。
華邦電第四季進入淡季，6日公告11月合併營收月減6.1％達40.57億元，較去年同期小幅增加0.9％，累計前11個月合併營收446.97億元，與去年同期474.99億元相較減少5.9％。
焦佑鈞6日出席新唐股東臨時會表示，明年記憶體的產業景氣，因為之前價格跌幅很大，現在應該會趨於安定一陣子，價格會不會反彈還看不出來，但應該可以預期是會穩定下來。
焦佑鈞指出，華邦電原先的投資計畫，是考量到中科12吋廠已經沒有空間再放新機器擴產，所以要把20奈米與25奈米的DRAM製程移到高雄新12吋廠並進行良率拉升及後續量產。但考慮到現在記憶體價格並不是很好，台中廠生產效率提升不少，所以改變了原先計畫。
焦佑鈞表示，由於中科廠區還有空間可以裝進下一世代製程設備，就是20奈米和25奈米的DRAM設備，所以若在新設備裝機導入後又順利提升良率，能讓華邦電的成本下降很多。所以，華邦電會先在中科12吋廠導入新製程並提升良率，然後再搬到高雄新廠量產，高雄新廠裝機時間因此遞延到2022年1月。
對於新唐併購Panasonic半導體事業，焦佑鈞表示，新唐明年6月才會正式接手，該事業雖然目前虧損，但轉變快對新唐的衝擊就小，若調整慢的話影響大概會需要二年時間，因此不宜用目前該事業財報來判斷影響。新唐的核心技術在ARM基礎架構上，Panasonic半導體則以系統架構為主，產品線有互補性，未來可整合雙方之力往物聯網、智慧家庭、工業與車電市場邁進。