陸龍頭廠兆易獲中芯力挺 增產規模占全球產量近三成 恐打亂價格 旺宏、華邦電遇亂流

【台北報導】
紅色供應鏈入侵當紅的編碼型快閃記憶體（NOR Flash）領域。大陸NOR晶片供應龍頭兆易創新，獲當地晶圓代工一哥中芯國際力挺，全力搶進NOR Flash生產，中芯承諾每月提供兆易創新2.5萬片產能、占全球NOR供應量近三成的規模，大舉拓展大陸NOR Flash版圖。

中芯力挺兆易創新，大舉開出產能，為正處於缺貨的NOR產業，投下一顆震撼彈，牽動旺宏、華邦電等台廠神經。

記憶體業者透露，兆易創新新增產能預定在明年第1季陸續投片，加計台灣主要供應商旺宏和華邦電，以及晶豪科等，也都同步增產搶食商機，恐讓NOR晶片明年首季再掀價格戰，其中尤期是中低容量產品，競爭壓力加大。

台灣廠商也嗅到相關威脅，旺宏董事長吳敏求日前法說會上，釋出本季「還看不太清楚」的訊息，指的就是NOR市場將遭中國大陸新增產能干擾的問題，預估低階市場將先受到衝擊。旺宏當時強調，該公司近年在品質和服務扎好基礎，同時提升高階產品比重，預料衝擊有限。

NOR晶片在全球兩大供應商賽普拉斯半導體（Cypress）和美光（Mircon）相繼宣布淡出，但終端需求大開下，今年大缺貨，報價翻漲，年初以來每季均漲價，應用在汽車和商務型電腦的高階產品更是大排長龍。

NOR大缺貨，大陸業者格外眼紅，全球第四大、中國最大NOR記憶體供應商兆易創新，今年6月即積極想擴大NOR產出，但礙於矽晶圓缺貨，中芯無力支援，武漢新芯也轉向全力支援自家生產，使得兆易創新到處碰壁，增產數量有限 。

不過，中國官方全力發展記憶體的政策方針 ，為兆易創新打開新機。業界透露，兆易創新獲中芯力挺，中芯承諾以每月提供2.5萬片產能給兆易創新，為其代工生產NOR記憶體，以目前全球NOR記憶體每月產量約8.8萬片計算，增產的數量近三成之多。

加上國內二大廠旺宏和華邦電也都同步增產NOR晶片，以記憶體代工為主的力晶，也宣布將配合晶豪科，重啟NOR產能，相關產能陸續到位，若加上武漢新芯也大舉投入，都為原本供不應求的NOR型快閃記憶體，投下新變數。

國內二大供應商也加入擴產。華邦電宣布，中科廠預定今年底月產能將由4. 4 萬片，增至4.8萬片，未來將再增加到5.2萬至5.3萬片，必要時可再增至5.5萬片時，新增主要增產NOR晶片；旺宏下半年將高階產品移至12吋生產更新的製程生產。

【2017-11-13/經濟日報/A3版/話題】

高雄報導

　為了回應客戶及市場需求，華邦電昨（25）日宣布，未來15年，將投資3,300億元，在南科高雄園區（高科）興建全新12吋晶圓廠的記憶體廠，年產能7萬～8萬片，以DRAM為主要產品，初期將以20奈米到25奈米量產，未來則將進入14奈米或更先進技術。

　華邦電董事長焦佑鈞昨日與科技部長陳良基、高雄市長陳菊、南部科學工業園區管理局長林威呈等，在高雄市政府召開記者會，共同宣布華邦電的高科重大投資案。

　華邦電董事長焦佑鈞表示，此次投資案，預定在未來15年，總共投資3,300億元，建造一個大約7萬到8萬片產能的晶圓製造廠。焦佑鈞說，這項投資案，預估將招聘2,500位高階人才，希望高雄在地人才能夠擁有良好的工作機會。

　他強調，此次選擇高雄科學園區的立基點，在於華邦電習慣科學園區所建構的環境，而以台灣現有科學園區來看，不論是在現有可出租土地部分，還是上中下游供應鏈的關係，高雄是最符合華邦電投資期待。

　科技部長陳良基致詞時指出，科技部經營高雄園區，對科技產業發展的需求，水電的配置以及人才技術的精進等，都非常積極，在高雄園區會以高科技聚落的行程、價值創造為重點。

　他表示，華邦電從1987年成立，一開始是積體電路整合公司，經過轉型朝向利基市場邁進，在記憶體領域有不錯的表現，現在華邦電有一個好的基地可以協助華邦電發展，希望很快可以迎接下一個世代的記憶體技術。

　高雄市長陳菊說，對於華邦電將在高雄科學園區投資3,300億元，設立12吋晶圓廠一事，高雄市政府表示竭誠歡迎與感謝，在這過程中，即便新加坡祭出優惠條件爭取華邦電前往設廠，但最終華邦電仍選擇深耕臺灣。對於華邦電投資高雄的決心、創造2,500名就業機會，高市府給予高度肯定。

　她特別感謝科技部，在第一時間得知華邦電評估高雄科學園區作為新廠設立地點時，科技部即與高市府團隊攜手合作，解決華邦電相關投資問題，順利促成華邦電投資高雄設廠，這是高雄科學園區成立以來，最大規模的單一投資案件。

台北報導

　記憶體大廠華邦電今年下半年DRAM及NAND/NOR Flash產能全開，但仍不能滿足客戶強勁需求。華邦電原本計畫在台灣及新加坡兩地擇一興建新12吋晶圓廠，如今確定將落腳台灣，選擇在南科高雄園區興建新廠。華邦電新廠主要是為了因應2020年之後需求，生產線將以20奈米世代製程DRAM為主體，也可望建置3x奈米NAND/NOR Flash產能。
　華邦電董事長焦佑鈞在今年股東常會中表示，今年記憶體需求強勁且產能供不應求，華邦電計畫興建新廠因應2020年後需求，至於新廠設廠地點將以台灣優先。而華邦電昨日宣布，新12吋晶圓廠將落腳在台灣，設廠地點在南科高雄園區，將依未來董事會通過時程，公告建廠及產能規劃相關事宜。
　焦佑鈞日前表示，因為建築業目前很缺土木人工，新12吋廠的建廠時間恐要由1年拉長到20個月，加上裝機與試機的時間，從建廠到量產時間需以3年計算，預計第三季決定設廠計畫。華邦電已去南科的高雄路竹基地看過，6月向南科管理局補提計畫，需地約25公頃。
　華邦電今年將全力擴充NOR Flash產能，希望一年內可以把供給缺口補起來，中科廠現在月產能達4.3～4.4萬片，預計年底可達4.8萬片，明年下半年達5.3萬片，但台中廠房空間最多只能擴充到5.5～5.6萬片。然以長期來看，華邦電需要興建新廠來推升業績成長，同時也能把DRAM產能限制移除。
　華邦電總經理詹東義日前指出，台中廠產能不足且Flash需求強勁，DRAM及Flash的生產設備不同，今年擴產都以Flash為主，目前台中廠DRAM製程已可支援3x/2x奈米，但投資金額很大，反而是擴充Flash產能的投資效益較好，台中廠的擴產以投資報酬率（ROI）最大化為主軸。但長期來看，華邦電需要興建新晶圓廠，DRAM產能限制才能移除。
　華邦電的DRAM製程下半年將開始導入38奈米，低容量 NAND Flash目前採用46奈米生產1～2Gb容量晶片，後續進行製程微縮後可望進入32奈米世代，至於NOR Flash製程以46/58奈米為主。設備業者預期，華邦電新廠應可在2020年進入量產，以製程推進來看，新廠將會以20奈米世代製程DRAM產線為主軸，NAND/NOR Flash則會建置3x奈米產能，後續再視情況建置2x奈米生產線。