強攻5G、AI、ADAS等利基型DRAM，打進國際一線系統廠及車廠供應鏈

台北報導
記憶體大廠華邦電（2344）成功開發出新一代低功耗動態隨機存取記憶體LPDDR4X產品線，首波產品採華邦電自行研發25奈米製程量產出貨，並結合華邦電擁有NOR/NAND Flash完整記憶體產品線優勢，強攻5G、人工智慧（AI）、先進駕駛輔助系統（ADAS）等利基型DRAM市場。
華邦電第三季接單進入旺季並開始全產能投片，下半年營運表現明顯優於上半年。華邦電公告8月合併營收月增3.1％達44.63億元，較去年同期減少6.3％，為12個月以來單月新高；累計前8個月合併營收316.89億元，較去年同期減少約9.5％。法人預期華邦電第三季營收逐月成長，季度營收將較上季成長超過10％；華邦電不評論法人預估財務數字。
華邦電表示，在AI、超高解析度顯示、5G、物聯網（IoT）等新科技的推波助瀾之下，各式新興應用應運而生，包括ADAS、智能音箱、8K電視、5G手機及邊緣裝置、以及安全監控系統產品等，都已逐步進入日常生活之中，這些應用往往需要更低功耗、更高頻寬、與更佳資料傳輸率的記憶體來提升整體的效能，以提供絕佳的使用者體驗。
華邦電長期深耕利基型記憶體市場，十分重視客戶的需求以及新科技的發展趨勢，針對上述各項的新興應用已成功開發出新一代的LPDDR4X產品，首波產品採用華邦電自行研發的25奈米記憶體製程，規格涵蓋完整，包括了JEDEC定義 LPDDR4X及LPDDR4兩大系列，提供2Gb與4Gb等兩種容量，資料傳輸率最高可達每秒4266MT，並同時供應確認良品（KGD）與200接球閘球陣列封裝（BGA）等兩種產品形式。未來華邦電將會把容量推進至8Gb，並加入其它新功能，提供客戶更完整選擇方案。
為了符合5G、AI、ADAS等利基型應用，華邦電LPDDR4X具備非常寬廣的工作環境溫度，最低與最高可達攝氏-40度至+125度。產品應用所涵蓋的範圍可從一般的消費電子、行動裝置，一直延伸到工業控制到車規市場。而在車用與工規市場上，除了嚴苛的工作溫度需求，品質表現及系統更是關鍵，華邦電憑藉著自有晶圓廠與自有製程開發等優勢，嚴格執行最高等級的品質系統與要求，LPDDR4X系列產品在推出時就已符合AEC-Q100及ISO26262等車用產品規範。
華邦電利用本身產品線優勢，以及看好5G及AI終端邊緣運算龐大商機，推出整合NAND Flash及LPDDR4X的多晶片記憶體封裝模組（MCP），可支援5G及車載終端裝置，並已打進國際一線系統廠及一線車廠供應鏈。

台北報導

市場傳出，高雄預拌混凝土嚴重短缺，甚至有惜售囤積狀況，可能衝擊晶圓代工廠台積電及記憶體廠華邦電在高雄的建廠計畫。不過，台積電、華邦對此紛紛表示，建廠計畫並沒有任何改變，也不會受到任何影響。
高雄預拌混凝土傳出短缺消息，不僅將可能漲價，供貨量也開始減少，恐影響台積電、華邦在台南科學園區及高雄的建廠計畫。但台積電對此消息予以否認，表示不會影響建廠計畫。
供應鏈指出，按照一般狀況，半導體廠的建廠計畫發包給營建商後，都會敲定完工日期，就算遇到混凝土價格漲價，也不會影響建物落成時間，因為一旦延後建廠時間，影響的不僅是量產時間，更將會影響全球半導體客戶的投片計畫。
供應鏈表示，屆時半導體廠付出的將可能是高額的延後出貨賠償金，金額將可能是以數十億計算，混凝土漲價金額對比，將是小巫見大巫，因此就算混凝土漲價也不會影響半導體廠完工時間。
目前台積電在台南科學園區進行5奈米製程的12吋晶圓廠Fab 18廠房建設，預計一共將進行三期工程。設備業者表示，台積電預計將於今年第一季在Fab 18廠的開始裝機，第二季將開始風險試產，2020年才要進行3奈米製程廠房建設。
至於華邦電，已在去年10月宣布動土建設12吋晶圓廠，預計2020年完工落成。對於混凝土缺貨可能影響建廠計畫，華邦電表示，不會有任何影響，一切按照先前宣布計畫進行當中。

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記憶體廠華邦電子（2344）搶在年底前推出新一代超低功耗記憶體搶進物聯網及車用市場，其中256Mb DRAM具備極低待機功耗與高效能的特性，適合使用於穿戴式裝置或物聯網相關應用上。華邦也推出了業界最低1.2V電壓的快閃記憶體，包括適用於車用的NOR Flash、以及用於高於工規溫度和高速的SPI NAND。
華邦電第3季合併營收136.81億元，單季歸屬母公司稅後淨利達28.40億元，改寫18年來單季獲利新高，每股淨利0.71元。華邦電前3季合併營收達393.22億元，較去年同期成長14.4％，平均毛利率年增5.4個百分點達38.4％，營業利益年增51.5％達66.98億元，歸屬母公司稅後淨利達65.68億元，較去年同期成長74.6％，每股淨利1.65元。
受美中貿易戰衝擊終端需求，華邦電公告10月合併營收月減3.8％達41.55億元，較去年同期下滑7.5％，法人預估第4季營收雖較第3季下滑，但可維持在120～130億元之間，全年每股淨利將賺逾2元。華邦電不評論法人預估財務數字。
華邦電搶年底推出一系列超低功耗記憶體，全力搶攻物聯網及車用電子市場。DRAM部份推出最新深度自我刷新DSR技術及相容LPDDR規格的256Mb DRAM，獲瑞昱採用在低功耗IP Cam方案中。
快閃記憶體部份，華邦電推1.2V超低電壓但達64Mb高容量的NOR Flash，明年底還推出128Mb容量，至於適用於車用電子的512Mb/1Gb NOR Flash也將在明年上半年推出。在NAND Flash部份，華邦電今年SLC NAND製程主力以46奈米為主，但全新32奈米SLC NAND已開始投片，首款2Gb ONFI NAND已送樣認證中，2Gb SPI NAND將在明年上半年送樣。
華邦電總經理詹東義在法說會中指出，華邦電不與一線大廠在標準型記憶體市場競爭，主攻高品質市場，已獲頂尖客戶青睞及下單，由於產能供不應求，才會投資興建高雄廠。華邦電有許多新產品陸續推出，包括業界最低1.2V的快閃記憶體，以及讀取速度可與NOR媲美的高速序列式SPI NAND等，將可為華邦電營收及獲利帶來穩定成長動能。

規模遠勝過去15年來高科園區的總額，更勝鴻海在美投資案

高雄報導
華邦電子在高雄路竹科學園區投資高達3,350億元的12吋晶圓廠，將在明（3）日動土，這個單一投資規模，遠勝過去15年來高科園區的累計總額，更勝鴻海在美國的投資案。華邦電2020年新廠完工後，將陸續投產隨機動態存取記憶體、及編碼型快閃記憶體，引爆高科技產業群聚高雄的風潮。行政院也拍板定案，增設橋頭第二園區，因應產業用地需求。
高雄代理市長許立明表示，華邦電是全球利基型記憶體主要供應商，即使新加坡祭出優惠條件，最終仍決定落腳高雄、根留台灣，為了迎接華邦電的投資案，高市府去年起，便與科技部共同協助解決華邦電設廠投資問題，加快審查、供水供電等行政作業流程，讓華邦電能以最快的速度建廠生產，從簽約投資到動土，只有1年就達成。
許立明指出，華邦電投資高雄，比鴻海郭董投資美國更大手筆，在南科路竹基地（高科）投資金額高達3,350億元，至少創造了2,500個高科技人才就業機會。在華邦電進駐前，高科總投資金額僅有375億元，此次華邦電不僅為高科2004年成立以來最大規模的投資案，投資規模遠勝過去15年來的累計總額。
他表示，世界第一封裝測試大廠日月光不斷增資擴廠，蘋果軟板供應鏈的台郡科技，也加碼投資和發園區，發展世界最先進5G毫米波，行政院定案橋頭增設科學園區等，高雄從石化、鋼鐵重工業，一路走向高科技的轉型之路，已有成果。
高雄經發局長李怡德說，高雄半導體產業總產值已突破台幣5,000億元，占全台灣將近20％，且數據持續成長中。而近年來，IC材料、晶圓製造、封裝測試等相關業者，持續進駐及擴大產能，不斷提出對於高雄產業用地的殷切需求。
許立明指出，過去10年間，高雄市政府儲備產業用地，開發大寮和發產業園區、以及報編仁武產業園區，近期更與行政院合作啟動橋頭科學園區計畫，目的無非是讓高雄擺脫過去由國家所命定、發展單一重工產業的歷史宿命，引領高雄的產業結構與就業機會，朝向更加多元轉型發展。這次華邦電只一個起步，看好台灣、看好高雄的產業投資需求，近期必將接踵而來。

下半年記憶體 供不應求

台北報導
記憶體大廠華邦電昨（11）日召開股東常會，順利通過今年每普通股配發1元現金股利。華邦電董事長焦佑鈞表示，去年被客戶打電話催貨的情況已改善，仍看好未來記憶體需求將持續不斷成長，華邦電在產能擴充與客戶需求成長帶動下，今年整體營運表現可望較去年成長並再創佳績。
華邦電總經理詹東義表示，下半年記憶體市況好，DRAM及NAND/NOR Flash接單暢旺，產能供不應求，主要是受惠於物聯網及人工智慧等新應用興起，帶動記憶體容量及顆粒數的用量逐步放大。由於近期三星等大廠調漲DRAM報價，Cypress也調漲NOR Flash價格，詹東義雖不直接評論下半年是否漲價，但表示會跟隨大廠腳步。
華邦電股東常會昨日通過去年財報，合併營收收攀高至475.92億元，歸屬母公司稅後淨利55.51億元，創17年來新高，每股淨利1.54元。股東會亦通過今年每股配發1元現金股利。而華邦電今年營運續旺，第一季合併營收121.56億元，歸屬母公司稅後淨利達15.72億元，但較去年同期大增將近1.3倍，每股淨利達0.40元。
針對華邦電今年營運，焦佑鈞表示，去年記憶體供不應求的情況比較嚴重，導致客戶有過多的存貨，今年上半年客戶消化存貨，不過華邦電的市場非常分散，影響較小。再者，華邦電去年編碼型（code storage）快閃記憶體的總出貨量高達27億顆，市佔率衝上30～35％，可以滿足客戶需求，對維持產業的供需健康有很大的責任。
焦佑鈞表示，隨著物聯網、車用電子、雲計算、大數據等蓬勃發展，整體記憶體的需求成長非常快速，華邦電在NOR Flash市場會努力達成供需平衡。NOR Flash的需求則不斷向上成長，華邦電的擴充一定要比市場快。而下半年景氣看來還不錯，客戶去化庫存的動作大幅減緩，訂單回籠的情況也可望顯著增溫。
詹東義強調，華邦電去年創下一個重要里程碑，DRAM及NOR/NAND Flash的營收比重已差不多，並成為華邦電兩大成長動能，效益之一能讓華邦電營運穩定，不會受到單一記憶體市場變動影響，效益之二是未來蓋新廠時，技術及產能配置不會有太多問題。以DRAM來說，自主研發的38奈米製程已經量產，下半年轉進25奈米，預計2020年新廠啟用後將進入20奈米世代。

蘋果、三星、華為力挺，加上車用及工控記憶體接單暢旺，全年營運可期
台北報導
記憶體廠華邦電（2344）受惠於記憶體價格維持高檔，昨（7）日公告5月合併營收44.89億元優於預期，第二季營收可望季增逾1成並創18年來單季新高。
受惠於蘋果、三星、華為等大客戶訂單陸續到位，加上車用及工控記憶體接單暢旺，華邦電NOR Flash、NAND Flash、DRAM等三大產品線持續供不應求，不僅下半年接單滿到第四季，價格還可望逐季調漲。
華邦電公告5月合併營收44.89億元，較4月約略持平，與去年同期相較成長18.2％。累計今年前5個月合併營收達211.34億元，較去年同期成長18.3％，已改寫歷年同期新高，表現優於市場預期。
華邦電第一季合併營收121.56億元，歸屬母公司稅後淨利達15.72億元，但較去年同期大增將近1.3倍，每股淨利達0.40元。法人表示，第二季雖是記憶體市場淡季，但華邦電DRAM及NOR/NAND Flash出貨暢旺，6月營收將維持高檔水準，預估第二季營收可望上看135億元，較第一季成長逾1成，並將改寫近18年來季度營收新高，上半年每股淨利有機會挑戰1元。
隨著記憶體市場逐步進入下半年旺季，華邦電DRAM、NOR Flash、NAND Flash等三大產品線仍是供不應求，接單已經滿到第四季。其中，NOR Flash市場前景持續看好，受惠於手機搭載OLED面板、無線充電、先進駕駛輔助系統（ADAS）等應用都需增加NOR Flash搭載量，下半年預期將供不應求，在國際大廠調漲報價後，業界預期華邦電也將調漲價格。
華邦電轉型為利基型記憶體廠後，DRAM及NAND Flash產品線轉向專攻工控及車用市場，並順利打進一線車廠及工控系統大廠供應鏈。由於下半年DRAM仍然缺貨，SLC NAND也持續供不應求，隨著ADAS、安全監控、人工智慧等新興工控應用需求進入旺季，華邦電下半年DRAM及SLC NAND產能已被客戶包下，並可望順勢漲價。
法人表示，華邦電下半年受惠於三大產品線接單滿載且價格調漲，營運表現將優於上半年，全年營收可望順利突破500億元大關，並創下年度營收歷史新高，全年每股淨利可望上看2元。華邦電不評論法人預估財務數字。

車用記憶體需求井噴，Q1獲利年增1.3倍達15.72億元，訂單滿到下半年

台北報導
隨著一線車廠開始在汽車中大量導入先進駕駛輔助系統（ADAS）系統，已帶動車用記憶體強勁需求，今年以來隨著ADAS系統市場滲透率快速提升，車用記憶體需求更呈現井噴態勢。華邦電（2344）記憶體近幾年陸續完成車規認證，包括車用DRAM、NOR Flash、NAND Flash等訂單已滿到下半年，今年營運可望逐季成長到年底。
華邦電公告首季財報，今年雖受到新台幣兌美元匯率升值影響，第1季合併營收季減8.0％達121.56億元，但較去年同期仍成長16.6％，平均毛利率與上季約略持平，但較去年同期大增9個百分點達37.7％，歸屬母公司稅後淨利季減12.1％達15.72億元，但較去年同期大增約1.3倍，每股淨利0.40元，優於市場預期。
華邦電DRAM、NOR Flash、NAND Flash等三大產品線今年以來接單強勁，特別是在車用記憶體市場屢傳捷報，陸續打進一線車廠的前裝及後裝供應鏈。華邦電近幾年改變產品策略，三大產品線均通過車規認證，隨著ADAS系統的市場滲透率快速攀升，華邦電直接受惠，車用記憶體訂單已滿到下半年，對營收及獲利將再添新成長動能。
不同於一般消費性記憶體的使用期限約達3年，車用記憶體的使用期限要求達5～10年之久，除了要求通過AEC-Q100或TS-16949等認證，並且要符合攝氏-40～85度C的寬溫規格，還有具有防震及抗摔等特性。目前華邦電的三大產品線都符合車規認證，並已進入量產階段。
現階段前裝車用電子中控系統主要採用QNX或Linux作業系統，搭載的車用記憶體規格是128～256Mb NOR Flash加上外接式儲存裝置。至於行車紀錄、影音娛樂、汽車導航、環景影像、車道偏移警示、自動煞車等ADAS系統，每一個系統普偏採用512Mb NOR Flash或SLC NAND Flash，並搭配1～2GB DDR3。
隨著ADAS系統滲透率快速攀升，每輛車對車用記憶體的容量需求強勁成長，加上車聯網或自駕車應用的興趣，車內電子系統還要處理龐大數據、執行程式或儲存資料，自然要採用更多車用記憶體。對華邦電來說，64Mb容量以上NOR Flash、4Gb容量以下SLC NAND Flash、2Gb容量以下DDR3等車用記憶體產品線，訂單已滿到下半年，並且順利打進一線車廠供應鏈，將成華邦電今年營運新亮點。

三星產能大挪移，市場合約價Q1漲幅上看10％、Q2將再續漲，南亞科、華邦電等受惠
台北報導
全球最大記憶體廠韓國三星電子正在進行半導體產能大挪移，以提升產能運用效率，三星雖然決定在韓國華城Line 17及平澤Line 18擴大先進製程DRAM產能，但三星同時卻將華城Line 11及Line 13的舊製程DRAM產能，移轉生產CMOS影像感測器，有意擠下日本索尼、搶占CMOS影像感測器龍頭寶座。
業界認為，三星在增加DRAM新製程產能之際，同時縮減舊製程產能，總投片量今年及明年都不會增加太多，只利用製程轉換至1y/1z奈米來提高位元出貨成長率。由此來看，DRAM市場今年恐將缺貨一整年，價格逐季調漲已無可避免。
業界指出，今年總投片量增加幅度十分有限，DRAM價格3月見到明顯漲勢，季度漲幅可望上看5～10％，優於先前預期的5％，第二季價格可望再續漲5～10％。法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠。
根據韓國外電報導，韓系記憶體廠三星以及SK海力士已調漲第一季DRAM報價，漲幅約達5～10％，包括標準型、伺服器、利基型、行動式等DRAM價格都全面上漲。
第一季是傳統淡季，DRAM價格在淡季調漲，代表市場供不應求情況未獲紓解，其中又以伺服器DRAM缺貨最為嚴重。
業界人士透露，資料中心需求強勁，搭載的伺服器DRAM價格比智慧型手機採用的行動式DRAM高出2成，所以三大DRAM廠上半年產能都移轉到伺服器DRAM。標準型PC DRAM則在英特爾、超微的新平台推出後，帶動需要搭載8GB以上高容量DRAM的電競PC熱賣，PC DRAM需求強勁且價格持續上漲，目前價格幾乎是去年同期的2倍。
為解決DRAM缺貨問題，龍頭大廠三星已宣布擴產計畫。三星將利用位於韓國平澤Line 18的2樓空間擴增DRAM產能，設備已完成裝機並準備啟動生產，華城Line 17的部份產線也由NAND Flash轉為生產DRAM，下半年將啟動生產。三星的擴產計畫一度讓市場擔憂DRAM市場好日子是不是快過去了，但事實上，三星卻同時縮減舊製程DRAM產能。
外電報導指出，三星已將原本用來生產DRAM的華城Line 11舊製程生產線，在去年底改為生產CMOS影像感測器，預計今年底改裝完畢，隨後華城Line 13舊製程DRAM生產線也會跟著移轉成為CMOS影像感測器生產線。而值得注意之處，在於三星的CMOS影像感測器將用來投產堆疊DRAM及類比邏輯晶片的三層（3-layer stacked）影像感測器。

因應手機進行AI邊緣運算，DRAM搭載量大增，新iPhone也傳將提高至4GB

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人工智慧（AI）走向終端的邊緣運算（edge computing）成為今年市場新主流，智慧型手機搭載AI運算核心將是今年重頭戲，但為了因應手機進行AI邊緣運算功能，手機搭載DRAM容量大躍進，業界傳出蘋果今年下半年推出的新iPhone將搭載4GB行動式DRAM，Android手機搭載容量更上看6GB。
由於三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠，今年底前並無新增產能開出，現有產能又移轉至生產行動式DRAM，導致利基型及伺服器DRAM上半年缺貨問題難獲紓解，價格持續看漲，法人看好南亞科（2408）及華邦電（2344）今年本業獲利將明顯優於去年。
蘋果去年針對iPhone 8/X打造的10奈米A11 Bionic應用處理器，內建名為神經網絡引擎（neural engine）的AI運算核心，協助並加快3D感測進行人臉辨識，同時也能提供機器學習功能。至於大陸手機大廠華為針對新一代Mate 10設計的Kirin 970應用處理器，同樣搭載了可進行AI運算的神經運算單元（Neural Processing Unit，NPU）。由此來看，手機大廠已將AI邊緣運算視為今年智慧型手機主戰場。
手機晶片廠高通及聯發科同樣看好AI邊緣運算龐大市場商機，如聯發科今年將推出的Helio P系列手機晶片中，加入可進行異質運算的多重神經運算單元架構的AI運算功能。高通同樣也是採用將手機晶片中的不同運算核心，利用異質運算及AI運算模式，打造出神經運算引擎（Neural Processing Engine，NPE）的AI運算能力。
手機廠或手機晶片廠將AI邊緣運算功能帶入智慧型手機，除了手機晶片或應用處理器將採用12/10奈米或7奈米等先進製程，手機搭載的DRAM容量也需要放大，才能支援AI的快速運算。也因此，業界傳出，包括華為Mate 10 Pro及三星將推出的Galaxy S9等旗艦機，都為了提高AI邊緣運算效率，而將行動式DRAM搭載容量一舉拉高至6GB。至於蘋果今年下半年推出的新iPhone也將提高搭載容量至4GB。
不過，DRAM市場今年仍是供不應求，特別是三大DRAM廠在年底前並無新增產能開出，仍是靠製程微縮至1x/1y奈米來提高產供給量，所以多數產能仍用來生產行動式DRAM，也導致利基型及伺服器DRAM仍然缺貨，第一季價格續漲5～10％，第二季價格同樣看漲，法人因此看好南亞科、華邦電今年DRAM本業獲利將明顯優於去年。

集邦：傳統旺季到，加上供不應求，Q4平均價格漲幅約10％

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　根據市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMexchange）調查，第三季全球DRAM產業營收表現再創新高，受惠傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類DRAM產品合約價普遍較前一季再上漲約5％。第四季因為進入DRAM市場傳統旺季，加上仍是供不應求市況，平均價格漲幅將落在10％左右，法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）將直接受惠。

　從市場面觀察，第三季全球DRAM總營收達191.81億元，較上季再成長16.2％，整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，第四季DRAM價格平均漲幅將落在10％，其中，OEM廠已議定第四季合約價格較上季調漲約7％，就一線大廠訂價來看，4GB DDR4模組均價已達30.5美元。

　從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式DRAM接棒漲價帶動，配合DRAM供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的DRAM廠決定調升行動式DRAM報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式DRAM在第四季漲幅約有10～20％，伺服器DRAM拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲6～10％。

　綜觀第三季DRAM市場表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，營收季增15.2％達87.90億美元，再度創下歷史新高。SK海力士營收季增22.5％達55.14億美元，成長動能顯著，兩大韓系業者的市占率合計高達74.5％。第三大廠美光集團營收季增13.0％達40.23億美元，市占率約21.0％。

　由於SK海力士第三季平均銷售單價高於美光，導致兩者市占差距持續擴張。展望第四季，由於美光逆勢成為價格領導者，價格漲幅超越兩大韓系業者，預計將縮減與第二名的市占差距。

　在台廠部分，南亞科第三季營收較前一季小幅成長5.3％達4.39億美元，主要是利基型DRAM價格上揚幅度不及國際大廠有較完整的產品線。然而隨著南亞科20奈米良率繼續提升，將會持續改善成本結構及增加獲利空間。

　力晶科技第三季DRAM營收下滑3.6％達1.03億元，主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳，排擠部分DRAM產能。華邦電第三季營收成長8.7％達1.77億美元，但由於後續製程轉進狀況不明，未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。