每股賺1.58元；董座吳敏求:NOR Flash本季價格可望持平或向上
台北報導
　快閃記憶體大廠旺宏（2337）26日召開法人說明會，第一季合併營收115.98億元，歸屬母公司稅後淨利29.29億元，為歷年同期新高，每股淨利1.58元。
　旺宏董事長吳敏求表示，中國疫情封城對旺宏第一季營運影響不大，清零政策造成中國當地需求及訂單減少，台灣反而增加，雖然發生物流及長短料等區域性影響，但中國以外地區需求十分明確。
　對於疫情封城干擾，吳敏求表示，大陸封城的影響除了造成當地消費減少，主要是造成供應鏈長短料與物流不順，至於美國、日本、歐洲等地需求未受到影響且保持健康。
　對旺宏主力的NOR Flash來說，第一季平均價格維持高檔，高密度晶片出貨比重拉高，預期第二季價格可望持平或向上。
　近期外資法人報告指出，個人電腦等消費性電子需求疲弱，看空NOR Flash後市且價格看跌，吳敏求對此表示，旺宏第一季的個人電腦及消費性應用出貨較上季減少18％，但非消費性出貨僅季減8％，非個人電腦及消費性領域占比已達八成，所以與其它業務仍集中在消費性領域的同業比較將會失真，並抨擊外資不做功課、胡說八道，不負責任的寫法會遭投資者唾棄。
　有關中國記憶體廠長江存儲NAND Flash打進蘋果供應鏈，吳敏求回應，旺宏對於打進蘋果供應鏈沒有興趣，旺宏的策略是關注高品質而非僅是量大，對中國同業決策沒意見也無意相互比較。旺宏現在NAND Flash主要在低密度市場，未來高密度會朝向固態硬碟（SSD）發展。
　旺宏第一季合併營收季減20.3％達115.98億元，較去年同期成長20.5％，平均毛利率季增1.1個百分點達48.3％，與去年同期相較成長14.0個百分點，營業利益季減21.4％達32.18億元，較去年同期成長逾1.7倍，歸屬母公司稅後淨利季減20.7％達29.29億元，與去年同期相較成長近2.2倍，每股淨利1.58元。
　旺宏第二季開始進入出貨旺季，吳敏求表示，今年大客戶任天堂生意跟去年差不多，下半年得觀察經濟發展情況，包括俄烏戰爭、疫情發展、以及中國二十大等，都可能對市況造成影響，第二季毛利率可望持平或向上，全年毛利率會優於去年。
　旺宏為因應客戶對高品質及高容量NOR Flash需求，製程已微縮推進至45奈米，第二季將開始送樣，96層3D NAND預計年底量產，今年資本支出達160億元。
　旺宏去年擬配發每股1.8元現金股利，有法人問及股利是否提高，吳敏求表示，未來股利會穩健增加至2元，公司現金有多方面用途，希望在股利與投資擴產下保持平衡，希望投資人關注長期發展。

DDR3 2月合約價漲2～5％，漲勢可延續到下半年，南亞科、華邦電等受惠
台北報導
　隨著5G數據機晶片及WiFi 6／6E無線網路晶片供不應求情況逐步獲得紓解，包括WiFi 6／6E路由器及5G用戶終端裝置（CPE）出貨放量，進一步拉動利基型x16規格2Gb及4Gb DDR3需求。在供給吃緊情況下，利基型DDR3的2月合約價提前調漲2～5％幅度，價格漲勢可望維持至下半年。
　隨著韓系DRAM廠已將舊製程DRAM產能移轉生產CMOS影像感測器（CIS），包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、晶豪科（3006）、鈺創（5351）等台灣業者已成為全球最主要的利基型DDR3供應商。由於WiFi 6／6E及5G用戶終端仍採用利基型DDR3設計，法人看好台灣DRAM業者營運一路旺到下半年。
　去年下半年電子生產鏈因為長短料問題，導致利基型DRAM合約價出現緩跌走勢，市場原本預期第一季合約價恐續跌5～10％，第二季才會止跌回穩，但因為DRAM廠產能及產品線調配，位元供給量明顯減少，然而WiFi 6／6E路由器及5G用戶終端的長短料問題獲得紓解，特別是WiFi 6／6E無線網路晶片及5G數據機晶片缺貨情況大幅改善，帶動利基型DDR3合約價提前進入上漲循環。
　根據集邦科技及模組廠報價，2月份利基型DRAM合約價較1月上漲2～5％，其中，關鍵的x16規格4Gb DDR3顆粒合約價月漲3.17％達2.60美元，x16規模2Gb DDR3顆粒合約價月漲2.42％達2.33美元，均創下近5個月來新高。業界看好利基型DRAM合約價漲勢可延續到下半年。
　業者分析，三星及SK海力士將舊DRAM製程移轉生產CIS元件，造成DDR3的位元出貨量明顯減少，而業界並無DDR3新增產能開出，南亞科現有產能全滿，新廠產能開出時間落在2024年之後，華邦電高雄廠新增每月1萬片產能要第四季才開始投片，位元出貨明顯提高時間點落在明年第一季。由此來看，DDR3供給吃緊情況應會延續到下半年，價格是易漲難跌。
　由需求面來看，今年因為核心邏輯晶片供貨增加，包括WiFi 6／6E路由器、5G用戶終端等網通裝置，以及工業自動化、安全監控、車用電子等相關應用，去年未能出貨訂單將會在上半年放量出貨，由於這些應用仍採用DDR3記憶體設計，所以DDR3缺貨問題已浮上檯面。法人指出，國際大廠淡出後，台廠已是DDR3主要供應商，隨著訂單大舉湧現，看好南亞科、華邦電、晶豪科、鈺創直接受惠。

台北報導
　台灣在3日傍晚5點46分於東部海域發生芮氏規模約6.0地震，由於台灣DRAM與晶圓代工廠區大多集中於北部與中部，經市調機構集邦科技初步調查，確認各廠並無重大機台損害，生產方面正常運行，實際影響有限。
　集邦指出，台灣DRAM總產出占全球產能約21％，包含台灣美光晶圓科技、南亞科以及其他較小型廠房的綜合產出。晶圓代工方面，包含台積電、聯電、世界先進、力積電等業者的綜合產出，讓台灣地區產出占全球產能高達51％，。
　在DRAM市場變化部分，除了部分終端的需求因長短料況改善而有淡季不淡的支撐外，近期來自中國西安受疫情導致的封城也引發市場對供給面的隱憂，使得現貨價格連日走揚，而該現象於DRAM類別較NAND Flash更加明顯。
　集邦表示，目前對2022年第一季DRAM價格預測仍為約8～13％的季跌幅，但由於上述因素將隨時牽動採購行為的改變，因此後續實際合約價發展仍有待持續觀察更新。
　至於現貨市場部分，由於3日地震發生日仍值中國假期期間，大部分現貨交易商未有積極動作，地震對其是否產生正向的激勵有待日後更新。
　在晶圓代工市場部份，雖然近期部分終端產品進入淡季週期，導致零組件拉貨動能稍加趨緩，但先前較為短缺的晶片，包括車用晶片、電源管理IC、WiFi無線網路晶片等，備貨力道仍然強勁。整體來說，晶圓代工產能仍處於產能利用率超過100％的供不應求市況下。

需求回升及供應鏈重啟庫存回補，華邦電、晶豪科、鈺創營運可望逐季轉旺

　台北報導
　韓系DRAM大廠2021年第四季加快將舊製程產能轉移生產CMOS影像感測器（CIS），利基型DRAM位元供給量持續降低，隨著消費性電子生產鏈長短料問題獲得紓解，在需求回升及供應鏈重啟庫存回補情況下，利基型DRAM合約價提前在2021年12月止跌回溫，2022年第一季可望淡季不淡。
　法人看好華邦電（2344）、晶豪科（3006）、鈺創（5351）營運逐季轉旺。
　市調機構集邦科技日前指出，第一季原本就屬消費性電子產品的相對淡季，加上各國陸續解封之下，以電視為首的相關需求仍將維持低迷，恐將導致利基型DRAM需求較為疲軟。至於供應鏈的長短料問題仍在，採購對於相對長料的DRAM備貨意願恐不高。集邦預估2022年第一季利基型DDR4合約價季跌5～10％，利基型DDR3合約價季減3～8％，其中以4Gb走跌幅度較大，而2Gb相對較緩。
　然而以合約價表現來看，2021年第四季受到生產鏈長短料影響，利基型DRAM合約價在10月出現明顯跌勢，11月價格續跌但跌幅縮小，隨著12月中旬過後，標準型DRAM現貨價重拾漲勢，利基型DRAM現貨價止跌回穩，4Gb以下容量利基型DRAM合約價在12月出現持平及小漲，業界對2022年市況看法已明顯轉向樂觀。
　通路業者指出，雖然2021年第四季利基型DRAM合約價跌幅仍達3～8％之間，但12月下旬合約價明顯止跌回溫，4Gb x16 DDR4合約價持平，4Gb及2Gb x16 DDR3合約價小漲近1％，其中原因包括韓系DRAM廠加快CIS產能轉換，利基型DRAM位元出貨量持續減少，生產鏈長短料的負面影響逐步淡化，以及通路手中庫存降低開始回補等。
　業界原本預期2021年第四季到2022年第一季，利基型DRAM會因客戶調節庫存，價格將出現短期小幅修正，要等到第二季後會止跌回升，下半年進入旺季後價格會有續漲力道。然而近期DRAM市場需求弱化情況沒有預期中嚴重，韓國業者加速調整產能，已造成利基型DRAM位元供給增加停滯，加上標準型DRAM現貨價提前反彈帶動，業界預期利基型DRAM價格已提前落底。
　法人看好2022年利基型DRAM價格逐季上漲趨勢，雖然年度漲幅不會像2021年般強勁，但價格在第一季開始止跌反轉向上，將推升華邦電、晶豪科、鈺創等營運進入成長循環，而且2022年全年平均出貨價格（ASP）會高於2021年，年度獲利表現可望再締新猷。

涂志豪／台北報導
　國際半導體產業協會（SEMI）於台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）舉行半導體產業ESG永續倡議活動，獲得台積電、日月光、南亞科、力積電、世界先進、旺宏、欣興、華邦電、聯電、穩懋、國發會及工研院齊聚響應，期盼鏈結半導體產業與國際接軌，持續提升永續競爭力形象。再者，台積電表示將以TSMC ESG AWARD鼓勵員工提出鏈結公司ESG五大方向好點子，表彰組織的ESG績效，為社會帶來正向改變。
　SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出，因應全球氣候變遷的嚴重影響，全球積極地在各領域進行減少碳足跡的措施。遵循此一趨勢，SEMI為幫助產業實踐永續未來，同時也透過節能減廢媒合會等活動，協助供應鏈夥伴進行創新綠色製程的技術鏈接。
　秉持提升社會的ESG願景，台積電以TSMC ESG AWARD鼓勵員工提出鏈結公司ESG五大方向的好點子，表彰組織的ESG績效，為社會帶來正向改變。繼2020年舉行第一屆TSMC ESG AWARD，2021年進一步加入二個海外子公司共襄盛舉，並透過3D虛擬展覽空間、全公司性直播活動等數位創新途徑，降低疫情間群聚風險。
　台積電表示，2021年總計報名提案數達1,257件，相較去年成長60％，持續擴大共好影響力。台積電董事長暨ESG指導委員會主席劉德音表示，TSMC ESG AWARD的提案不只是點子，而是進一步透過具體行動，成為提升社會向上的力量。
　包括日月光、南亞科、力積電等分享ESG行動及方案。日月光投控行政長汪渡村表示，日月光驅動各重要子公司及營運單位實踐ESG行動方案，致力於推動正面影響力，期盼半導體供應鏈生態圈可建構更美好的未來。
　南亞科副總經理吳志祥表示，在面對全球氣候變遷議題上，除加強氣候韌性調適、降低災害可能帶來的營運衝擊、積極減緩溫室氣體的排放外，長期研發先進且具高效能的環境友善記憶體產品，並將綠色管理融入企業經營中，持續透過去碳化策略建構低碳營運模式，以接軌國際邁向淨零。
　力積電副總經理譚仲民表示，力積電過去五年已投資逾2億元在節能設備的優化，節省能源約6,700萬度電、減碳總量約3.6萬噸。節水方面，力積電透過完整的分流及分級回收、純化後，重新再供應廠內各單元使用。

台北報導
　晶圓代工大廠力積電（6770）董事長黃崇仁24日指出，2022年力積電產能仍將維持供不應求水準，價格有望持續上漲，預期2022年公司毛利率將衝破50％水位。
　黃崇仁出席台大依據「國家重點領域產學合作及人才培育創新條例」在110學年度設立「重點科技研究學院」的揭牌典禮。針對同業在2022年將有望持續調漲代工報價，黃崇仁指出，力積電屆時漲價幅度將會與同業相仿，且隨著漲價效益陸續浮現，2022年業績有機會逐季成長。
　針對外資近日出具報告，指出2023年半導體產業將面臨供過於求的風險，黃崇仁指出，2022年邏輯產能相當吃緊，且後續產能也絕對不夠，國內三大晶圓代工廠產能都相當明確，並重批分析師搞不清楚狀況，市場絕對不是像外資報告說的狀況。
　由於力積電2022年將持續受惠於產能供給吃緊帶來的漲價效益，加上訂單動能可望一路滿到2022年底，黃崇仁也看好2022年力積電的毛利率將有機會突破50％水準。
　法人看好，若力積電2022年營收逐季攀升，加上毛利率將有機會衝破50％水準，代表獲利將可望繳出至少年成長三成以上的歷史新高表現。
　事實上，力積電現已成為面板驅動IC及電源管理IC的一線晶圓代工大廠，銅鑼新廠預計將於2022年9月裝機，黃崇仁先前已經對外指出，並將在2023年分期投入產能，目前一期的月產能2.5萬片已經被客戶全數包下，因此對於後續新廠獲利表現深具信心。
　力積電11月合併營收達67.21億元、月成長9.0％，創單月歷史新高，累計2021年前11月合併營收為587.51億元、年增40.8％，改寫歷史同期新高。
　法人預期，力積電2021年全年獲利將可望繳出年成長倍數的成績單，且2022年營運將更上一層樓。
　力積電自12月6日掛牌上市開盤大漲57％後，股價便一路下探，24日收盤小漲0.14％至70.4元，力守周線水位，不過法人開始逢低加碼，三大法人單日共買超1,432張，連續五個交易日買超。

台北報導
　記憶體大廠美光（Micron）與晶圓專工廠聯電達成和解後，美光進一步宣布與聯電合作，定位雙方為業務夥伴關係，為美光未來向車用、行動裝置以及關鍵客戶的產品供應取得保障。
　業界解讀，美光將會利用聯電28奈米產能，生產DRAM模組的暫存時脈驅動器（RCD）及NAND Flash模組的控制IC等關鍵元件。
　美光與聯電達成和解，業界傳出是群聯執行長潘健成牽線促成。潘健成表示，對於市場傳聞不評論。不過，美光是群聯的客戶，聯電則是長期合作的晶圓代工夥伴，樂見雙方能夠在訴訟糾紛達成和解，未來群聯也會持續與美光、聯電的合作，且可望擴大供貨給美光的5G、車用等相關產品線，達到三贏的結果。
　半導體業界指出，美光與聯電達成和解有二個重要關鍵，一是聯電支付給美光金額保密的和解金，二是聯電增加給美光記憶體模組內建控制晶片的邏輯製程產能支援。因此，美光除了自己下單，亦可能透過合作夥伴向聯電下單，以提高DRAM模組RCD晶片或NAND Flash模組控制IC等產能，以解決記憶體模組長短料問題。
　業者表示，DDR5模組採用的RCD晶片，以及eMMC或固態硬碟（SSD）關鍵的NAND控制IC，主要採用40奈米或28奈米邏輯製程，美光及聯電的業務合作，將由聯電保留南科廠部分產能給美光專用，美光除了直接下單，也會透過供應商下單擴大產出支援。
　聯電指出，美光先前不是聯電的客戶，此合作代表美光將成為聯電的新客戶，美光會在聯電未來新開出的產能投片，有產能保障就能解決車用晶片短缺的問題。供應鏈指出，聯電產能滿載到明年，未來在Fab 12A的P5及P6廠開出新產能應可提供美光及其合作夥伴投片。
　其中，法人預期美光NAND控制IC合作夥伴群聯可望直接受惠。群聯受此利多消息激勵，股價2日攻上漲停，終場大漲41.5元，以458.5元作收，成交量達14,775張。而聯電股價2日在平盤上下震盪，終場下跌0.3元，以66.7元作收，成交量達310,855張，三大法人賣超1,518張。
　美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia表示，美光擴大與聯電的合作，有助於美光強化客戶的供應鏈，同時也是加深整個半導體產業合作的絕佳機會。
　此合作讓美光得以持續為車用及行動裝置客戶提供關鍵產品，美光期待在未來數年透過與聯電合作，為全球客戶提供美光的記憶體與儲存解決方案。

台北報導
　快閃記憶體大廠旺宏（2337）董事長吳敏求參加成功大學成電論壇時表示，大數據與人工智慧（AI）對於記憶體的需求與規格，改變了記憶體既有的角色，記憶體將由以往在幕後擔任資料儲存角色，走向幕前成為協助運算、最終實現存算一體的具體表現。對旺宏來說，記憶體典範轉移，經營策略上也將由純記憶體走向系統應用。
　為了培育更多半導體人才，在擔任財團法人成電文教基金會理事長的吳敏求推動下，成功大學在創校90週年與成大電機系系慶前夕舉辦第一屆成電論壇，首屆主題為IC產業發展與佈局，現場計有200名系友與校外人士共襄盛舉。吳敏求表示，希望藉由成電論壇搭建系友間的交流與合作，也分享在半導體產業一些新的趨勢與應用。
　吳敏求指出，非揮發性快閃記憶體的2D製程時代已走到盡頭，產品還可以延伸下去但要靠不同技術，最後是靠層數來做並驅動設計規則（design rule）延續下去。非揮發性記憶體的次奈米世代與邏輯製程不同，技術發展走向堆疊，「沒有想過會有一天這樣子做，半導體變化讓人感到驚艷（amazing）」。
　吳敏求表示，記憶體在AI浪潮下需求持續擴大，市場穩健成長。先進半導體製程技術例如採用堆疊，使得2D製程NAND Flash及NOR Flash跨越無法微縮的障礙，而且進入3D製程還可促使容量持續增加，維繫NAND Flash及NOR Flash成長動能。
　吳敏求表示，NOR Flash到了45奈米技術節點已經不易再微縮下去，因為成本會大幅提升，但是NOR Flash市場需求不會萎縮，創新會擴大應用，旺宏在NOR Flash的創新包括投入垂直2T架構製程並轉為低功耗，透過3D堆疊達到高密度，採用微加熱器（micro heater）提升產品耐久性，最後是存算一體（computing in memory）的應用大幅開展，NOR Flash扮演運算記憶體重要角色。
　吳敏求重申看好2022年NOR Flash市況並表示，車用晶片缺貨會持續到2022年，所有與汽車有關的大客戶都來找旺宏，旺宏NOR Flash缺貨情況將一直延續到明年，同時價格也將調漲，看好2022年營運會大幅成長。同時，吳敏求表示旺宏的記憶體在2015年就已切入航太產品當中，已打進低軌衛星、飛彈等應用領域。

台灣廠將成美光旗下 導入EUV製程首例
台北報導
記憶體大廠美光（Micron）宣布未來十年將投入1,500億美元資本及研發資出，美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia表示，美光持續看好5G、雲端、電動車及人工智慧（AI）等新興領域將會帶來龐大記憶體需求，成為美光投入大筆資本支出的關鍵，但目前尚未底定資本投入方向，並重申台灣依舊是美光生產供應鏈的重要角色。
美光宣布未來十年將投入1,500億美元資本支出，Manish指出，由於電動車、5G、雲端、人工智慧及智慧手機等終端需求不斷成長，以美光現有產能無法因應未來十年的記憶體需求，因此將以規劃1,500億美元投入增加產能及製程研發等應用。至於美光1,500億美元資本支出案，目前是否有任何新建廠房規劃。Manish說，美光當前尚無確切計畫可透露，未來會持續與美國、新加坡及台灣等政府持續溝通，評估各地新建廠計畫。
不過，Manish也坦承，1,500億美元的資本支出計畫當中確定會包含製程研發及微縮成本。他指出，製成微縮成本相當高，但這也是讓利潤成長的關鍵之一，因此美光會持續投入在DRAM、NAND Flash的先進研發開發。
針對外媒報導指出，美光正在評估在美國設廠的可能性。對此，Manish表示，美光確實有在評估在美國設廠計畫，不過由於在美國生產成本高出亞洲35～45％，因此後續需要評估美國聯邦政府及地方政府補貼措施，才會產生足夠誘因在美國設廠，且即便在美國設廠，也不會取代亞洲生產供應鏈的地位。
外界傳出，美光在日本廣島現有廠區將投入8,000億日圓（約合新台幣1954.5億元）擴建廠房，代表台灣在美光生產供應鏈地位恐因此降低。對此，Manish表示，美光在廣島的投資案一事並未獲得公司證實，且台灣目前為美光最先進製程1α奈米製程DRAM的生產重鎮，未來台灣美光更將導入極紫外光（EUV）製程DRAM廠，為旗下全球首座支援EUV製程的DRAM廠。
對於記憶體產業在2022年恐迎來衰退，Manish認為，短期確實有遇到一些記憶體需求修正的壓力，不過從中長期角度來看，在各式新興終端應用持續發展同時，記憶體含量需求只升不減，因此美光仍舊看好未來記憶體市場發展。

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市調機構集邦科技指出，隨著後續買方對DRAM的採購動能收斂，加上現貨價格領跌所帶動，第四季合約價反轉機會大，預估將下跌3～8％，結束僅三個季度的上漲週期。而在買賣雙方心理博弈之際，後續供給方的擴產策略，與需求端的成長力道，將成為影響2022年DRAM產業走勢最關鍵的因素，預期2022年全年的DRAM平均銷售單價（ASP）恐較今年衰退約15～20％。
照目前進度看來，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠2022年擴產規畫其實仍顯保守，預估明年的供給位元成長率約17.9％，然而由於目前買方庫存水位已偏高，加上2022年需求位元成長率僅16.3％，低於供給端的成長速度，集邦預期2022年DRAM產業將由供不應求轉為供過於求。
由供給面來看，三星主要投片增幅落在仍有較大空間的P2L廠區，投片規模將有持續上修的可能。儘管目前增幅不大，主要靠先進製程的挹注，但仍將帶動三星明年供給位元成長率達19.6％。SK海力士最新的M16廠在今年加入生產後，明年總產能將持續擴大，並配合市場狀況動態做調整，配合1y奈米及1z奈米製程提升，明年的供給位元成長率約17.7％。
美光A3廠周邊新增的空間主要是輔助該廠往下一代製程做轉換時，避免有產能減損（wafer loss），因此明年總產能變化並不大，主要仰賴1z奈米及最新1α奈米帶來的位元增加，預計明年的供給位元成長率為16.3％。至於南亞科及華邦電明年新廠還未有明顯產能開出，供給成長幅度十分有限。
由需求面來看，DRAM消耗量占比最高的智慧型手機、伺服器、筆電市場，明年生產或出貨量要出現大幅成長的難度大增。除此之外，各大產業持續受零組件缺料所苦，終端產品組裝受限將使相對身為長料的DRAM需求量下滑。集邦推估2022年DRAM需求端的位元成長率預估僅16.3％，將低於供給端成長的速度。
集邦表示，2021年在採購端積極拉貨的情況下，對於DRAM原廠是出貨表現相當亮眼的一年，不過隨著第四季DRAM價格的反轉向下，延續至2022年上半年的跌幅仍有擴大可能，2022年全年的DRAM均價恐較今年衰退約15～20％，而原廠的出貨成長幅度預估也將落在相同區間，意即整體DRAM產業出貨的成長將受到報價下滑所抵銷，故2022年DRAM產值約略與今年持平。