以3奈米GAA為基礎 未來三年建立相關製程 2025年投片【綜合外電】晶圓代工龍頭台積電揭露2奈米製程2025年開始量產的訊息之後,南韓三星為了迎頭趕上,正加碼押注3奈米環繞閘極技術(GAA)技術,將在未來三年完成建立GAA技術的3奈米晶片製程,並在2025年量產以GAA製程為基礎的2奈米晶片,屆時兩強將同步以最先進的2奈米製程搶市。 南韓媒體BusinessKorea報導,GAA是改善半導體電晶體結構的下一代製程技術,讓閘極能夠接觸電晶體的四個側面,相較於當前鰭式場效電晶體(FinFET)只能接觸電晶體三個側面的情況,GAA結構可比FinFET製程更精準控制電流。三星正押注把GAA技術應用到3奈米製程,以便追趕台積電。 報導指出,三星據傳6月初已導入3奈米GAA製程,進行試驗性量產,成為第一家運用GAA技術的公司,希望技術能達成量子級的躍進,縮短和台積電之間的差距。相較於5奈米製程,3奈米製程能提高半導體的性能提高15%,耗能效率也能改善30%,同時晶片面積減少35%。 三星上半年把GAA技術應用於3奈米製程後,計劃明年把GAA技術導入第二代3奈米晶片,並在2025年量產以GAA製程為基礎的2奈米晶片。台積電的策略則是在今年下半年以穩定的FinFET製程,進入3奈米半導體市場。 專家指出,由於台積電預料將從2奈米晶片開始導入GAA製程,約2026年推出第一款以GAA技術為基礎的2奈米晶片產品,因此若三星在以GAA技術為基礎的3奈米晶片製程良率穩定,能夠改變晶圓代工市場全局,未來三年將是三星的關鍵期。 三星最近宣布,未來五年將投資450兆韓元(約3,600億美元)到半導體等關鍵產業,但在開發3奈米製程時卻遭遇障礙。三星3奈米製程雖傳出已進行試驗性量產,卻因為低良率問題,不斷延後宣布正式量產時間。 報導說,台積電在提高3奈米製程良率時同樣遇到難關。台積電原本計劃7月起以3奈米技術,為英特爾和蘋果量產晶片,卻一直無法達到企求的良率,據傳已數次修改技術藍圖,但台積電董事長劉德音與總裁魏哲家等高層多次公開強調,3奈米今年下半年量產計畫不變。 【2022-06-21/經濟日報/A3版/話題】